Будь умным!


У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.net

Вопросы для зачета по электронной микроскопии

Работа добавлена на сайт samzan.net:

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 25.11.2024

Утверждено на заседании кафедры   нанотехнологийй и инженерной физики

«11»  ноября    2012 г.  (протокол   № 4)

Зав. кафедрой  __________________

Вопросы для зачёта по электронной микроскопии

Специальность  210600.62  Нанотехнология

Степень (квалификация) – бакалавр техники и технологии

Форма обучения очная курс 4     семестр 7

  1.  Разрешающая способность микроскопа и способы её улучшения.
  2.  История создания и основные принципы работы и РЭМ и ПЭМ. Отличие РЭМ от ПЭМ (разрешающая способность, глубина резкости)
  3.  Латеральное разрешение и разрешение по глубине.
  4.  Виды генерации процессов на массивном образце. Использование информативных сигналов в РЭМ.
  5.  Виды генерации процессов в тонком образце. Использование информативных сигналов в ПЭМ.
  6.  Информативность сигналов в электронной микроскопии.
  7.  Виды используемых приставок для электронных микроскопов.
  8.  Описание процессов рассеяния. Сечение рассеяния. Длина свободного пробега. Длина свободного пробега при нескольких процессах рассеяния.
  9.  Упругое и неупругое рассеяние. Связь их углов рассеяния.
  10.  Типы механизмов потери энергии электронов при неупругом рассеянии.
  11.  Потери энергии электронов при неупругом рассеянии по Бете. Формула Блоха. Условия применимости формулы Бете.
  12.   Длина пробега по Бете. Формулы Поттса.
  13.  Характеристики области возбуждения во вторичных электронах, отражённых электронах, характеристическом рентгеновском излучении и оже-электронах.
  14.  Вторичная электронная эмиссия. Объяснение характерного спектра ВЭЭ.
  15.  Коэффициент истинно-вторичной эмиссии. Коэффициенты неупруго отражённых и упруго отражённых электронов. Вклад истинно-вторичных электронов для обратно отражённых электронов и электронов отражённых от стенок камеры.
  16.  Скорость потерь, средняя длина, вероятность выхода, характерная глубина выхода вторичных электронов.
  17.  Зависимость коэффициента истинно-вторичной эмиссии от порядкового номера элемента и энергии первичных электронов и его значимость при исследовании образцов. Управление зарядкой мишени.
  18.  Зависимость коэффициента вторичной эмиссии от угла падения. Кантен-эффект, его объяснение и учёт при интерпретации изображений.
  19.  Объяснение и использование характеристического рентгеновского излучения. Сплошное рентгеновское излучение.
  20.  Объяснение и использование оже-электронов. Дифференцирование зависимости N(Е). Сплошное рентгеновское излучение.
  21.  Явление контаминации. Формула Канае-Окаяма.
  22.  Эмпирические закономерности явления контаминации. Изменение размеров структур при контаминации. Использование контаминации для настройки электронного зонда.
  23.  Зависимость нагрева мишени от параметров электронного зонда и образца.
  24.  Конструкции и виды электронных пушек.
  25.  Сравнение характеристик различных видов катодов для электронных пушек.
  26.  Свойства электронных пушек (интенсивность, яркость, монохроматичность, стабильность).
  27.  Схема электронной пушки с термоэмиссионным катодом.
  28.  Роль цилиндра Венельта. Кроссовер. Диаметр электронного зонда в кроссовере.
  29.  Напряжение смещения в стабилизации и изменении электронного тока.

30. Яркость электронного пучка термокатода. Длина когерентности электронного пучка. Критический размер области эмиссии электронов.

31. Электромагнитные линзы (схема, структура). Требования к полюсным наконечникам.

32. Траектории электронов в ЭМ-линзах. Эффект закручивания.

33. Управление током в конденсорной линзе

34. Измерение тока цилиндром Фарадея

35. Сферическая аберрация ЭМ-линз. Методы её исправления. Коэфф. сфер. аберрации

36. Хроматическая аберрация ЭМ-линз. Методы её исправления. Коэфф. хром. аберрации

37. Дифракционная аберрация и её связь с углом обзора апертуры линзы и энергией электронов

38. Совокупное влияние аберраций и выбор оптимального угла обзора апертуры линзы

39. Астигматизм. Принцип работы стигматоров

40. Вакуумная система электронных микроскопов. Характеристики дифференциальной вакуумной откачки

41. Форвакуумный насос. Роторно-пластинчатый, жидкостно-кольцевой насос 

42. Турбомолекулярный и диффузионный насосы. Преимущества и недостатки

43. Ионно-сорбционные вакуумные насосы. Роль электрического поля и паров Ti

44. Условное деление вакуума различной глубины и его использование в рабочей камере, электронной колонне и электронной пушке

45. Держатели образцов (гониометры) и их виды

46. Система регистрации изображения в обычном и сканирующем режимах

47. Растровая электронная микроскопия. Характеристики низковакуумной модели JSM-6610LV (JEOL)

48. Типичные задачи и характеристики РЭМ

49. Теоретический диаметр пучка      

50. Основные части РЭМ и его функциональная схема

51. Система управления и возможности управления образцом в JSM-6610LV

52. Типы объектных линз (классическая и иммерсионная) и их особенности. Отличия в работе оптического и электронного (растрового) микроскопов

53.  Разрешение РЭМ. Ток зонда в зависимости от диаметра зонда и ускоряющего напряжения для различных РЭМ. Оптимальные области работы РЭМ

54.  Глубина фокуса. Изменение глубины фокуса с изменением размера апертуры 

55. Классический детектор Эверхарта-Торнли. Схема, режимы и принципы работы, преимущества и недостатки

56. Модифицирорванный детектор Эверхарта-Торнли, полупроводниковые детекторы « in lense»

57. Полупроводниковые детекторы вторичных электронов. Преимущества

58. Детекторы  химического (элементного) контраста: класс. твёрдотельные полупроводниковые детекторы, детекторы Робинсона

59. Полупроводниковый детектор обратнорассеянных (отраженных) электронов. Осуществление топографического и химического контраста на детекторе обратнорассеянных (отраженных) электронов

60. Виды контраста в РЭМ. Режим регистрации истинно вторичных электронов

61. Виды контраста в РЭМ. Режим регистрации обратноотражённых электронов

62. Приёмы борьбы с зарядом образца

63. Детектор дифракции отражённых электронов. Преобразование Хуга

64. Энергодисперсионный анализ характеристического рентгеновского излучения

65. Катодолюминесценция

66. Какова область применения просвечивающей электронной микроскопии?

67. Каковы способы улучшения разрешения ПЭМ?

68. В чем отличие режимов работы ПЭМ при формировании светлопольного, темнопольного изображений?

69. Как получают картины дифракции электронов?

70. В чем отличие между амплитудным и фазовым контрастом? Какова их информативность?

71. Для каких целей применяют моделирование изображений многослоевым методом?

72. Какие тест-объекты применяются для калибровки просвечивающего электронного микроскопа?

73. Какова область применения методов электронной дифракции?

74. Что такое «сфера Эвальда»? Для чего применяется это понятие?

75. В чем преимущество методов электронной дифракции перед методами рентгеновской дифракции?

76. Что такое «постоянная прибора» для ПЭМ? Для чего применяется эта характеристика?

77. Назовите основные методы пробоподготовки образцов для исследования с помощью просвечивающего электронного микроскопа. Сравните область применения этих методов.

Лектор          Кузько А.Е.




1. 1816 русский поэт
2. Астана медицина университеті А~ Нысан ТС~~071
3. Тема 13 1Какой вид планирования называют стратегическим Стратегическое планирование видение предпри
4. Модуль вектора момента силы относительно точки О определен равенством где h ~ плечо силы относительно то
5. Фасад
6. Курсовая работа- Допрос подозреваемого
7. оптические системы передачи и перспективы их развития Волоконнооптическими ВОСП называют системы перед
8. Эволюция живых организмов
9. Государственный Рязанский Приборный завод СОДЕРЖАНИЕ
10. Изменение системы государственного управления народным хозяйством в 1957г
11. Проблемы осуществления прав и свобод в сфере труда, провозглашенных Конституцией РФ
12. Контроль экологической безопасности на предприятиях и в хозяйственных структурах
13. Семья и школа 7 1982 год письмо читательницы
14. 1 Порядок обучения и проверки знаний работников должен соответствовать отраслевому положению об обучении
15. На тему- Основные требования к профессиональному бухгалтеру
16. вступает во взаимодействие с информацией других органов чувств и на переработку ее влияют память воображен
17. Жертвам фашизма
18. Оценка стоимости бизнеса ОАО «Аэрофлот»
19. Понятие назначение к какой группе относится товар
20. Этот ребенок необучаем У нее низкая обучаемость и т.