Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
Модель ковалентной связи:
Взаимодействие атомов п/п осуществляеется за счёт общей пары валентной.вращающ.по арбите не может быть больше 2-х элктронов находящихся на одном энергетич. уровнях. Общее кол-во электронов в атоме бедет равно порядковому номеру в таблице минделеева.
При сближении атомов в решётке кристалов происходит расщипление каждого энергетич уровня в энергю зону. разрешён.(зона провод-сти.)
Ec Е запрещённая Ev З.П.
Eб разр.(валентная зона) Ec В.З.
ширина верхних из заполненных зон максимальна .все внутр. зоны заполнены целеком .В дальнейшем внутр зоны не расм. Между зонами разрешю наход. запрещён.зоны.В п/п обычно расм. отдельная запр зона. валентную зону от зона проводимости
для диэлектрикоав для п\п
Е>3 эВ Е>3 эВ
п/п явл. базисным матереалом в современном предметом для полупр. и микроэлектроники.
п/п следуя из зонной теории преобретают электропроводнютогда когда эл.находятся внутри валентной зоны внещн воздействием сообщюэнергии Е достаточн для перехода из В.З.в З.П.
Неравновесные процессы в полупроводниках
Если в п/п нарушено состояние термоденамического равновесия,то произведение n * p = ni2
Состояние неравновесности п/п под действием приводящ. концентрацю носителей :
неоднородный нагрев,Воздействие света,механические воздействия,сильные магнитные поля
сильные эл. поля,магнитные поля дифекты в структуре, разности потенциалов на контактах п/п и p-n переходах.
Процессы генерации и рекомбинации в п/п
При движении носителей зарядов, напряжение эл-ов,происходит их сталкновение . Может случиться, что эл-оннаходится в З.П.при сталкновении с фононом займёт место дырки в В.З. это процесс называется рекомбинацией
Генерация-это процесс образования перехода из одной системы в другую.
Обусловлены промежуточными процессами
Непрямые процессы в полупроводниках
Непрямые процессы в п/п имеют место во всех случаях ,когда структуру кристалической решётке нарушают примесные атомы.
Полразделяют непрямые пр-сы в объёме и на поверхности
В центре рекомбинации при прямом пр-ах размещены в З.З. в середине Ei ,Еt -Ei глубоких центр.Центры размещённые в близи границ разр. зон наз. неглубокими
З.П.
Е 1 2
Et
Еi
Ev В.З.
.......................
Баръерная ёмкость обратно смещённого p-n перехода
т.к. толщина объединённой плоскости p-n перхода есть ф-ия от приложенного напряжения.
W=[1⅟2
Исходя из формулы=> область пространственного заряда (ОПЗ)ведёт себя как нелинейный конденсатор ёмкость которого зависит от приложенного напряжения Сбар=
dQ плотность поверхностного заряда при U<0 обратное смещение p-n перехода ю Диэлектриком этого конденсатора считать облость самого перехода
Q=[LабсqU0]⅟2
Сбар=[*]⅟2
Сбар=S*абс/W S-площадб p-n перехода
Формула определяющая Сбар была выведенапри U<0 Применить её дляU>0 нужно ещё больше дифуз. ёмкость, связанная с наполнением заряда насителей в нейтральных облостях.
Переходные процессы в диодах с p-n переходом
При резком изменеии тока через p-n переход напряжение на нём установив с течением времени.Такой перходн. процесс обусловлен имперционностью процессов,протекающих в p-n переходах.
Переходные процессы:
Инерционность связана с :
а) накоплением и рассасыванием неосновных носителей в диоде.Это происходит при прямом и обр. включении диффузии и рекомбинации .
б)перезарядом барерной ёмкости рамссм. переход. процессы включения p-n перехода
Ig
E(t) Ug
Любому диоду можно сопоставить сопротивление диода и вентиль эквивал.малосигнальнаю схема диода облигчает от простейшей и выглядет
Сбар rпер rбазы
Uпер Uб
Ug
rпер- дифференциальноу сопротивление переход а
rбазы объёмное сопротивление переход а
Сбар- барерная ёмкост p-nперехода
Ug –Uпер+Uбазы =Uпер +Ig rбазы
а) 1)При достаточно больших прямых токах Rперех будет равно: Rперех =
2)При достаточно больших прямых токах влияние Сбар можно не учитовать
Переходные процессы в диоде обусловлены изменением rбазы
б)1)При обратном включении диода из-за малых токов,малое влияние имеет rбазы ,поэтому на переход влияет рассасывание зарядов в базе и перезаряд Сбар