У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.net

Вычислить собственную концентрацию носителей заряда в кремнии при T=300K

Работа добавлена на сайт samzan.net: 2016-03-13

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 8.6.2025

Задачи по полупроводникам

1. Вычислить собственную концентрацию носителей заряда в кремнии при T=300K, если ширина его запрещенной зоны Eg=1,12еВ, а эффективные массы носителей заряда mn=1,05m0, mp=0,56m0, где m0 – масса свободного электрона.

Решение.

Концентрация собственных носителей заряда рассчитывается по формуле:

где Nc – эффективная плотность состояний в зоне проводимости,

      Nv – эффективная плотность состояний в валентной зоне.

Рассчитаем эффективные плотности: Nc=2,69·1019 см-3, Nv=1,05·1019 см-3.

Подставим эти значения в формулу концентрации собственных носителей заряда.

Ответ: ni=6.45·109 см-3, Nc=2,69·1019 см-3, Nv=1,05·1019 см-3.

2. Уровень Ферми в кремнии при 300 К расположен на 0,2 еВ ниже дна зоны проводимости. Рассчитайте равновесную концентрацию электронов и дырок в этом полупроводнике, если ширина его запрещенной зоны = 1,12 еВ, а эффективные массы носителей заряда mn=1,05m0, mp=0,56m0, где m0 – масса свободного электрона.

Решение.

Равновесная концентрация электронов в зоне проводимости:

По условию задачи EcEF = 0,2 эВ.

При помощи соотношения действующих масс ni2= np найдем равновесную концентрацию неосновных носителей заряда:

p= ni2/n

Произведем вычисления.

Ответ: Nc=2,69·1019 см-3, n = 1,17·1016 см-3, p = 3,55·103 см-3.

3. При исследовании температурной зависимости концентрации носителей заряда для чистого кремния в области собственной электропроводности получены следующие результаты: T1=463 К собственная концентрация ni1=1020 м-3, а при T2=781 К  ni2=1023 м-3. Н основании этих данных рассчитать ширину запрещенной зоны при T=300 К, если коэффициент ее температурного изменения b=-2.84·10-4 эВ/К.

Решение.

Отношение концентраций при температурах T1 и T2 равна:

Eg = Δ - bT

Отсюда

Ответ: Δ = 2,0227 эВ, Eg = 2,1 эВ.

4. На сколько процентов изменится коэффициент диффузии электронов в невырожденном полупроводнике при повышении температуры на 10%, если подвижность электронов изменяется пропорционально Т-1,5.

Решение.

Коэффициент диффузии электронов вычисляется по формуле:

Преобразуем второе выражение с учетом соотношений:

T2 = 1,1T1

Найдем отношение второго коэффициента диффузии к первому и получим результат:

5. Образец собственного кремния имеет удельное сопротивление 2000 Омм при комнатной температуре и концентрацию электронов проводимости ni=1,4·1016 м-3. Определить удельное сопротивление образца легированного акцепторной примесью с концентрацией 1021 и 1023 м-3. Предположите, что подвижность дырок остается одинаковой как для собственного, так и для примесного кремния и равной μp= 0,25μn.

Решение.

Удельное сопротивление полупроводника обратно пропорционально электропроводности:

Из этой формулы найдем подвижность электронов.

μn= 0,178

μp= 0,25μn= 0,0445

Теперь найдем удельное сопротивление данного образца:

Ответ: μn= 0,178,  μp= 0,0445, ρ1= 13,5 Ом·м.

6. Определить при какой концентрации примесей удельная проводимость при температуре 300 К имеет наименьшее значение. Найти отношение собственной удельной проводимости к минимальной при той же температуре. Собственная концентрация носителей при этой температуре ni= 2,1·1019 м-3, подвижность электронов μn= 0,39 м2/(В·с), подвижность дырок μp=0,19 м2/(В·с).

Решение.

Удельная проводимость выражается формулой:

Так как np = ni2 , следовательно,

Продифференцируем это выражение:

Это выражение имеет минимум при:

т.е. когда

или

тогда

Удельная проводимость у собственного полупроводника:

Минимальная удельная проводимость полупроводника:

Отношение собственной удельной проводимости к минимальной:

Концентрация дырок:

Ответ: σi =1,95 См/м, σ =1,83 См/м, σi /σ =1,07, p =3·1019 м-3.

7. Вычислить время жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике, если их установившаяся концентрация при воздействии источника возбуждения составляет 1020 м-3, а начальная скорость уменьшения избыточной концентрации при отключении источника 7,1·1023 м-3 с-1. Найти избыточную концентрацию Δn через время t=2мс после выключения источника возбуждения.

Решение.

Зависимость концентрации избыточных носителей заряда от времени выражается соотношением:

Δn0избыточная концентрация носителей заряда в момент выключения источника возбуждения,

τ – время жизни носителей.

Продифференцируем по t:

где τn - время жизни неосновных носителей заряда. Начальная скорость при  t=0 равна 7,1·1023 м-3 с-1:

Отсюда:

Избыточная концентрация через  t=2с:

Ответ: τn = 140 мкс, Δn = 8,7·1019 м-3.

8. В толстом образце германия равномерно по объему генерируются электронно-дырочные пары. Найти скорость поверхностной рекомбинации, если концентрация неравновесных дырок на поверхности образца в 4 раза меньше, чем в объеме; Lp=0,2 см, τp=10-3 с.

Решение.

Запишем уравнение непрерывности:

Граничные условия таковы:

Решение уравнения имеет вид:

Из граничных условий C2 = 0.

Так что:

Найдем отношение полученных величин:

Откуда выведем скорость поверхностной рекомбинации:

Ответ: s = 600 см/с.




1. прп представляют собой один из видов многочисленного семейства полупроводниковых приборов свойства ко
2. тема Древней индии
3. Махаон гЧернигов ул
4. Об утверждении квалификационных характеристик должностей служащих государственных предприятий телевизи
5. Смольный собор 4 января суббота
6. ЛЕКЦІЯ 21 Матриці
7. Секс это отвратительно.html
8.  2013 г1
9. 27 ноября 2006 года начальника Управления Судебного департамента в Волгоградской области с изм
10. телесной или ориентированной на тело терапией