Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
4.7. СХЕМЫ ПРОСВЕЧИВАНИЯ
4.7.1. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
Следует применять схемы просвечи вания, рассмотренные ниже.
Способ эллипса (просвечивание через две стенки/двойное изображение) см. пп. 4.7.6 не должен применяться для на ружного диаметра De > 100 мм, толщины стенки t > 8 мм и ширины сварного шва более De/4. Двух смещенных на 90° изо бражений достаточно для t/De < 0,12. Рас стояние между двумя изображениями сварного шва должно быть равно пример но ширине сварного шва.
Если нецелесообразно при De 100 мм применять способ эллипса, то можно пользоваться способом перпендикулярной съемки см. пп. 4.7.7. В этом случае потре буются три снимка, смещенных на 120° или 60°.
При схемах контроля по пп. 4.7.6, 4.7.8 угол наклона излучения должен быть по возможности малым и направление излучения должно быть таким, чтобы не было наложения двух изображений свар ного шва. Расстояние источник излуче ния - контролируемый объект, f должно быть по возможности малым. ИКИ должен располагаться вблизи пленки вместе со свинцовой буквой "F".
По согласованию между договорны ми сторонами можно использовать другие способы радиографии, например, из-за особой геометрии детали или разности в толщине материала. Нельзя применять способ нескольких снимков для того, что бы уменьшить длительность экспозиции при одинаковой форме контролируемых участков.
4.7.2. ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ ПЕРЕД КОНТРОЛИРУЕМЫМ
ОБЪЕКТОМ, А ПЛЕНКА НА ПРОТИВОПОЛОЖНОЙ СТОРОНЕ
ВНУТРИ
4.7.3. ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ СНАРУЖИ,
А ПЛЕНКА ВНУТРИ КОНТРОЛИРУЕМОГО ОБЪЕКТА
4.7.4. ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ ВНУТРИ И ПО ЦЕНТРУ, А ПЛЕНКА ВНЕ КОНТРОЛИРУЕМОГО ОБЪЕКТА
4.7.5. ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ ВНУТРИ И ПО ЦЕНТРУ,
А ПЛЕНКА СНАРУЖИ КОНТРОЛИРУЕМОГО ОБЪЕКТА
4.7.6. СПОСОБ ЭЛЛИПСА
4.7.7. СПОСОБ ПЕРПЕНДИКУЛЯРНОЙ СЪЕМКИ
4.7.8. ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ ВНЕ КОНТРОЛИРУЕМОГО ОБЪЕКТА, А ПЛЕНКА - НА ДРУГОЙ СТОРОНЕ
4.7.9. СПОСОБ ДЛЯ МАТЕРИАЛОВ РАЗЛИЧНОЙ ТОЛЩИНЫ
4.7.10. КОНТРОЛЬ КОЛЬЦЕВОГО СТЫКОВОГО СВАРНОГО ШВА
Минимальное количество снимков по рис. 4.55 ... 4.58 относится к трубам с на ружным диаметром более 100 мм.
Если отклонение толщины стенки сварного шва, который должен быть проконтролирован одним снимком, не превышает 20 %, то применяются рис. 4.57 и 4.58. Данный способ рекомен дуется только, если вероятность наличия поперечной трещины мала или сварной шов проверяется на наличие таких дефек тов другими способами неразрушающего контроля.
Если меньше или равно 10 %, то применяются рис. 4.55 и 4.56. В этом слу чае имеется вероятность выявления и по перечных трещин.
Если контролируемый объект прове ряется на наличие отдельных поперечных трещин, то требуемое минимальное коли чество радио
грамм, по сравнению со зна чениями, указанными на рис. 4.55 ... 4.58, увеличивается.
Если соединение имеет несколько уг ловых швов с разной степенью проплавления, то его просвечивают с использова нием нескольких пленок (рис. 4.59).
Схема просвечивания при радиографировании сварной закрытой сферы пока зана на рис. 4.60. Принцип радиографирования аналогичен контролю сварных труб через две стенки, при этом равноотстоя щие маркировочные знаки должны раз мещаться таким образом, чтобы их изо бражения фиксировались на снимке.
Схема контроля закрытого резервуа ра представлена на рис. 4.61. Размещение источника излучения около одного конца резервуара показывает, что такая схема позволяет просветить сварной шов друго го конца за одну экспозицию.
Все сварные швы на полусфере мож но просветить за одну экспозицию с ис пользованием радионуклидного источника излучения. Источник размещают в гео метрическом центре полусферы, а плен ки - над всеми швами (рис. 4.62).
Рис. 4.63, 4.64 иллюстрируют два примера панорамного просвечивания. На рис. 4.63 показана схема просвечивания труб достаточно
большого диаметра, тако го, чтобы в нее можно было ввести рент геновский аппарат с панорамным выходом излучения или радио-нуклидный источ ник. Современные кроулеры - автомати чески передвигающиеся в трубах устрой ства с источниками излучения - имеют диаметр около 120 мм, так что с их помо щью можно панорамно просвечивать тру бы с внутренним диаметром 130 мм и бо лее. Схема просвечивания, приведенная на рис. 4.64, применяется в тех случаях, ко гда нужно просветить достаточно большое количество одинаковых мелких ОК.
Рис. 4.65 иллюстрирует схемы про свечивания при контроле качества паяных и клееных сотовых конструкций. Такие схемы используются при радиографировании сотовых конструкций толщиной менее 25 мм. В этом случае изображение любого углового шва верхней поверхно сти любой ячейки на снимке не должно накладываться на изображение любых других угловых швов. Это требование можно удовлетворить при выполнении условий:
и - для левой схемы рис. 4.52, а и - для схемы рис. 4.52, б, в равна, на пример, 1,5 мм.
Радиотехнические элементы: транзи сторы, диоды (рис. 4.67) и другие, можно просвечивать по схеме рис. 4.68, 4.69 ис пользуя рентгеновские трубки с окном из бериллия. В этих случаях применяют мелко зернистую пленку с односторонним покры тием, а при расшифровке снимков исполь зуют лупы с 20-ти кратным увеличением.
Рис. 4.36. Схема получения снимка для плоского сварного шва и при просвечивании через одну стенку
Рис. 4.38. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку (сварной шов вставной детали)
Рис. 4.37. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку
Рис. 4.39. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивания через одну стенку (сварной шов наложенной детали)
Рис. 4.40. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку
Рис. 4.41. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку (сварной шов вставной детали)
Рис. 4.42. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку (сварной шов наложенной детали)
Рис. 4.44. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку (сварной шов вставной детали)
Рис. 4.43. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку
Рис. 4.45. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку (сварной шов наложенной детали)
Рис. 4.46. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта для контроля двух стенок при просвечивании через две стенки (двойное изображение) (источник излучения и пленка - вне контролируемого объекта)
Рис. 4.47. Схема получения снимка изогнутых контролируемых объектов при просвечивании через две стенки (двойное изображение) для контроля двух стенок (источник излучения и пленка вне контролируемого объекта)
Рис. 4.50. Схема получения снимка прямолинейного сварного шва при просвечивании через две стенки (одно изображение)
Рис. 4.49. Схема получения снимка при просвечивании через две стенки (одно изображение)
Рис. 4.48. Схема получения снимка изогнутых контролируемых объектов при просвечивании через две стенки (одно изображение) для контроля стенки, ближайшей к пленке. ИКИ должен располагаться вблизи пленки
Рис. 4.51. Схема получения снимка изогнутых контролируемых объектов при просвечивании через две стенки (одно изображение) для контроля стенки, ближайшей к пленке
Рис. 4.52. Схема получения снимка при просвечивании угловых швов
Рис. 4.53. Схема получения снимка при просвечивании угловых швов
Рис. 4.54. Способ нескольких пленок
Рис. 4.55. Минимальное количество снимков N при просвечивании через одну стенку снаружи внутрь и с максимально допустимым увеличением просвечиваемой толщины на основе косого направления излучения в проверяемой области = 10 % в зависимости от отношения для трубы и от отношения наружного диаметра трубы De к расстоянию f
Рис. 4.56. Минимальное количество снимков N при эксцентрическом просвечивании изнутри наружу, а также просвечивании через две стенки и с максимально допустимым увеличением просвечиваемой толщины на основе косого направления излучения в проверяемой области = 10 % в зависимости от отношения для трубы и от отношения наружного диаметра трубы De к расстоянию пленки - фокус FFA: 1 - стенка трубы
Рис 4.57. Минимальное количество снимков N при просвечивании через одну стенку снаружи внутрь и с максимально допустимым увеличением просвечиваемой толщины на основе косого направления излучения в проверяемой области = 20 % в зависимости от отношения для трубы и от отношения наружного диаметра трубы De к расстоянию f
Рис. 4.58. Минимальное количество снимков N при эксцентрическом просвечивании изнутри и снаружи, а также просвечивание через две стенки и с максимально допустимым увеличением просвечиваемой толщины на основе косого направления излучения в проверяемой области = 20 % в зависимости от отношения для трубы и от отношения наружного диаметра трубы De к расстоянию пленка - фокус FFA: 1 - стенка трубы
Рис. 4.59. Схемы просвечивания таврового соединения с использованием нескольких пленок: 1 - источник излучения; 2 - ОК; 3 - кассета с пленками
Рис. 4.60. Схема просвечивания сварной закрытой сферы: I - источник излучения; II - ОК; III - маркировочные цифры: IV- кассета с пленкой; F, VI – соответственно изображения маркировочной платы и сварного шва
Рис. 4.62. Схема просвечивания сварных швов на полусфере: 1 - источник излучения; 2 - сварные швы; 3 – пленки
Рис. 4.61. Схема просвечивания сварного закрытого резервуара: 1- источник излучения; 2 - ОК; 3 - пленка
Рис. 4.64. Схема просвечивания одинаковых мелких ОК: 1 - источник излучения; 2 – ОК; 3 - пленки
Рис. 4.63. Схема просвечивания труб большого диаметра: 1 - источник излучения; 2 - ОК; 3 - пленки
Рис. 4.66. Схема просвечивания сотовой панели толщиной более 25 мм: 1 - фокусное пятно источника излучения; 2 - клиновидный фильтр; 3 - ОК; 4 – пленка
Рис. 4.65. Схемы просвечивания при контроле качества паяных и клееных сотовых конструкций толщиной менее 25 мм: а - плоская конструкция; б - клиновидная; в - изогнутая
Рис. 4.68. Схемы просвечивания транзисторов: 1, 2, 3- соответственно выводы базы, коллектора и эмиттера
Рис. 4.67. Схематические изображения транзистора (а) и диода (б) с некоторыми видами дефектов: 1, 2, 3- соответственно выводы базы коллектора и эмиттера; 4 - выплески припоя, кусочек проволоки; 5 - излишки припоя; 6 - нестандартный зазор; 7 - разомкнутые соединительные провода; 8 - включения или пустоты в герметике; 9 - анод; 10 - катод
Рис. 4.69. Схемы просвечивания диодов, резисторов и конденсаторов