У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.net

МЕТА РОБОТИ Теоретичне вивчення і практичне дослідження випрямляючих діодів; визначення фізичних та осно

Работа добавлена на сайт samzan.net: 2015-07-10

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 28.4.2025

НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ

КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ

КАФЕДРА МІКРОЕЛЕКТРОНІКИ

Звіт

про виконання лабораторної роботи1 

Дослідження випрямляючих напівпровідникових діодів

Виконав: студент  групи ДС-92

Моргун А.В.

Перевірив:

викладач Королевич Л.М.

Київ 2011

1. МЕТА РОБОТИ

Теоретичне вивчення і практичне дослідження випрямляючих діодів; визначення фізичних та основних технічних параметрів германієвих та кремнієвих діодів із їх вольт-амперних характеристик .

2. ЗАВДАННЯ

  1.  Вивчити структуру параметрів (паспортних даних) досліджуваного підкласу діодів. Ознайомитися із вимірювальним стендом та використовуваними приладами.
  2.  Зібрати схему для дослідження вольт-амперної характеристики випрямляючих діодів.
  3.  Виміряти вольт-амперні характеристики германієвого та кремнієвого діодів при кімнатній температурі. Результати вимірювань записати в таблиці.
  4.  Побудувати графіки вольт-амперних характеристик діодів.
  5.  Графічно визначити дифузійний потенціал φ0 , опір бази rb та струм виродження Iвир для кожного з діодів. Оцінити тепловий струм германієвого діода.
  6.  За побудованими графіками характеристик визначити основні параметри діодів.
  7.  Провести аналіз результатів досліджень, і зробити висновки з виконаної роботи.


3. СХЕМА ВИМІРЮВАННЯ

Рис.1. Схема вимірювання ВАХ діода. При знятті зворотньої гілки ВАХ змінюється полярність джерела живлення та номінал резистора R (величина резистора для прямої гілки  R1=5 кОм;  для зворотньої

R2 = 100 кОм).

4. РЕЗУЛЬТАТИ ВИМІРЮВАННЬ

4.1 ТАБЛИЦІ ВИМІРЮВАННЬ

Табл. №4.1.1. ВАХ германієвого діода. Умови вимірювань: пряме зміщення, R1 = 5 кОм, Т1 = 20°С

U, B

0

5,20

10,00

15,06

20,06

25,05

29,86

34,94

40,00

45,28

50,00

Ur, B

0

5,00

9,79

14,81

19,80

24,76

29,55

34,61

39,65

44,91

49,60

Ud, B

0

0,20

0,21

0,25

0,26

0,29

0,31

0,33

0,35

0,37

0,40

Id, мА

0

1,00

1,96

2,96

3,96

4,95

5,91

6,92

7,93

8,98

9,92

Табл. №4.1.2. ВАХ германієвого діода. Умови вимірювань: зворотне зміщення, R1 = 100 кОм, Т1 = 20°С

U, B

0

5,05

10,15

14,95

20,03

25,03

30,02

34,90

40,06

44,50

50,00

Ur, B

0

1,13

1,80

2,18

2,52

2,78

3,00

3,37

3,96

4,72

5,6

Ud, B

0

3,92

8,35

12,77

17,51

22,25

27,02

31,53

36,10

39,78

44,40

Id, мА

0

0,011

0,018

0,022

0,025

0,028

0,030

0,034

0,040

0,047

0,056

Табл. №4.1.3. ВАХ кремнієвого діода. Умови вимірювань: пряме зміщення, R1 = 5,0 кОм, Т1 = 20°С

U, B

0

4,99

10,00

15,09

20,06

25,01

30,01

35,00

39,88

45,09

49,96

Ur, B

0

4,39

9,36

14,43

19,39

24,33

29,32

34,30

39,17

44,38

49,24

Ud, B

0

0,60

0,64

0,66

0,67

0,68

0,69

0,70

0,71

0,71

0,72

Id, мА

0

0,88

1,87

2,87

3,88

4,87

5,86

6,86

7,83

8,88

9,85

Табл. №4.1.4. ВАХ кремнієвого діода. Умови вимірювань: зворотне зміщення, R1 = 100 кОм, Т1 = 20°С

U, B

0

5,02

10,03

15,07

19,96

24,97

30,05

34,90

40,05

45,00

50,00

Ur, мB

0

1,75

2,10

3,05

3,80

4,56

5,26

5,47

6,18

6,70

7,20

Ud, B

0

5,01

10,02

15,06

19,95

24,96

30,04

34,89

40,04

44,99

49,99

Id, мкА

0

0,018

0,021

0,031

0,038

0,046

0,053

0,055

0,062

0,067

0,072

4.2. РОЗРАХУНКИ

4.2.1. Розрахунок напруги на германієвому діоді та струму ID, що протікає через діод при прямому та зворотному зміщенні:

4.2.1.1. Розрахунок напруги UD на германієвому діоді проводиться за формулою: :

4.2.1.1.1. Пряме зміщення, :

 5,20 5,00 = 0,20 В;   

 10,00 9,79 = 0,21 В;   

 15,06  14,81 = 0,25 В;   

 20,06  19,80 = 0,26 В;

 25,05  24,76 = 0,29 В;   

 29,86  29,55 = 0,31 В;   

 34,94  34,61 = 0,33 В;   

 40,00  39,65 = 0,35 В;   

 45,28  44,91 = 0,37 В;   

 50,00  49,60 = 0,40 В;  

Отримані результати занесені до таблиці 4.1.1. .

4.2.1.1.2. Зворотне зміщення, :

 5,05 – 1,13 = 3,92 В;   

 10,15 – 1,80= 8,35 В;   

 14,95  2,18 = 12,77 В;   

 20,03  2,52 = 17,51 В;

 25,03  2,78 = 22,25 В;   

30,02  3,00 = 27,02 В;   

 34,90  3,37 = 31,53 В;   

 40,06  3,96 = 36,10 В;   

 44,50  4,72 = 39,78 В;   

 50,00  5,60 = 44,40 В;   

Отримані результати занесені до таблиці 4.1.2. .

4.2.1.2. Розрахунок струму ІD, що протікає через діод проводиться за формулою:

:

4.2.1.2.1. Пряме зміщення, :

Отримані результати занесені до таблиці 4.1.1. .

4.2.1.2.2. Зворотне зміщення, :

Отримані результати занесені до таблиці 4.1.2. .

4.2.2. Розрахунок напруги на кремнієвому діоді та струму ID, що протікає через діод при прямому та зворотному зміщенні:

4.2.2.1. Розрахунок напруги UD на кремнієвому діоді проводиться за формулою: ::

4.2.2.1.1. Пряме зміщення, :

4,99 4,39 = 0,60 В;   

 10,00 9,36 = 0,64 В;   

 15,09  14,43 = 0,66 В;   

 20,06  19,39 = 0,67 В;

 25,01  24,33 = 0,68 В;   

30,01  29,32 = 0,69 В;   

 35,00  34,30 = 0,70 В;   

 39,88  39,17 = 0,71 В;   

 45,09  44,38 = 0,71 В;   

 49,96  49,24 = 0,72 В;  

Отримані результати занесені до таблиці 4.1.3. .

4.2.2.1.2. Зворотне зміщення, :

 5,02  1,75  5,01 В;   

 10,03  2,10  10,02 В;   

 15,07  3,05  15,06 В;   

 19,96  3,80  19,95 В;

 24,97  4,56  24,96 В;   

30,05  5,26  30,04 В;   

 34,90  5,47  34,89 В;   

 40,05  6,18  40,04 В;   

 45,00  6,70  44,99 В;   

 50,00  7,20  49,99 В;   

Отримані результати занесені до таблиці 4.1.4. .

4.2.2.2. Розрахунок струму ІD, що протікає через діод проводиться за формулою:

:

4.2.2.2.1. Пряме зміщення, :

Отримані результати занесені до таблиці 4.1.3. .

4.2.2.2.2. Зворотне зміщення, :

Отримані результати занесені до таблиці 4.1.4. .


4.2.3 Побудова графіків:

4.2.3.1. Графік прямої гілки вольт-амперної характеристики германієвого та кремнієвого діодів:

Максимальна похибка вимірювань прямого зміщення:

Для Ge: напруга: 

струм:

Для Si: напруга 

струм:

4.2.3.2. Графік зворотної гілки вольт-амперної характеристики германієвого та кремнієвого діодів:

4.2.3.2.1. Оскільки на цій характеристиці обернену гілку ВАХ кремнієвого діода не видно, ії графік ВАХ масштабовано:

Максимальна похибка вимірювань зворотного зміщення:

Для Ge: струм: 

напруга:

Для Si: струм: 

напруга:


4.2.4. З одержаних графіків визначаємо:

4.2.4.1. Опір бази rb  та струм виродження  для германієвого діода:

На графіку, який зображено в п. 4.2.3.1. у точці  визначається опір бази rb. З точки   опускається перпендикуляр на вісь струмів та напруг. Визначається струм            і відповідна напруга  В. Дотична, яка проведена до т. пересікаючи вісь струмів визначає . Отже, опір бази rb буде рівний:  7,95 Ом. Визначивши rb знайдемо струм виродження (- температурний потенціал електрона; він рівний )

4.2.4.2. Опір бази rb  та струм виродження  для кремнієвого діода:

На графіку, який зображено в п. 4.2.3.1. у точці  визначається опір бази rb. З точки   опускається перпендикуляр на вісь струмів та напруг. Визначається струм            і відповідна напруга  В. Дотична, яка проведена до т. пересікаючи вісь струмів визначає . Отже, опір бази rb буде рівний:  12,77 Ом. Визначивши rb знайдемо струм виродження (- температурний потенціал електрона; він рівний )

5. ВИСНОВОК

В даній лабораторній роботі проводилось практичне вивчення випрямляючих діодів та їх параметрів. Проаналізувавши отриманні графіки в пунктах 4.2.3.1., 4.2.3.2.(разом з п.4.2.3.2.1.), розрахунки, приведені в п.4.2.4 та похибки вимірювань, зазначених в цих же пунктах, визначено:

  1.  При малих ( див. п. 4.2.3.1) у германієвого діода спостерігається висока провідність. У кремнієвих діодів  більша, за германієві.
  2.  Кремнієвий діод стабільніший (див. п. 4.2.3.2. та п. 4.2.3.2.1.), має більший опір для струму втрат, тому більш надійний, ніж германієвий.
  3.  Германієвий менш стабільніший(див. п. 4.2.3.2.), має менший опір для струму втрат.

Отже, кремнієвий діод має суттєві переваги перед германієвими. Тому на сьогоднішній день вони широко застосовуються в електроніці, майже повністю витіснивши германієві діоди.




1. тема управління охороною праці СУОП підприємства це сукупність органів управління підприємством які на
2. Способы образования самостоятельных частей речи
3. Наконецто появилась книга о сбыте и торговле способная порадовать и ветерана и новичка в равной степени Я
4. Магнитное поле силовое поле действующее на движущиеся электрические заряды и на тела обладающие маг
5. Задание 20 Типовая межотраслевая форма М8 Утверждена постановлением Госкомстата России от 30
6. Тема- Биография Франца Шуберта
7. Психологические особенности пользователей сети Интернет
8. Технология В.Н. Зайцева как способ формирования метапредметных результатов деятельности учащихся основно
9. Общие представления Живые организмы защищаются от ксенобиотиков окружающей среды благодаря их биотран.html
10. Зміна дії медикаментозних речовин у випадку повторних уведень- кумуляція звикання залежність сенсибіліз