Кристаллофизика для гр
Работа добавлена на сайт samzan.net: 2015-07-10
Поможем написать учебную работу
Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
от 25%
Подписываем
договор
Вопросы к экзамену по курсу «Кристаллофизика» для гр. ЭМЭ-11-1
- Преобразование системы координат. Матрица направляющих косинусов:
- Записать матричное представление (матрицу направляющих косинусов) операции отражения в плоскости перпендикулярной оси X3.
- Записать матричное представление (матрицу направляющих косинусов) операции отражения в плоскости перпендикулярной оси X2.
- Записать матричное представление (матрицу направляющих косинусов) операции отражения в плоскости перпендикулярной оси X1.
- Записать матричное представление (матрицу направляющих косинусов) операции отражения в вертикальной плоскости симметрии, делящей угол между осями координат X1 и X2 пополам.
- Записать матричное представление (матрицу направляющих косинусов) операции поворота вокруг оси симметрии второго порядка параллельной оси X1.
- Записать матричное представление (матрицу направляющих косинусов) операции поворота вокруг оси симметрии второго порядка параллельной оси X2 .
- Записать матричное представление (матрицу направляющих косинусов) операции поворота вокруг оси симметрии второго порядка параллельной оси X3.
- Предельные точечные группы симметрии. Для описания каких физических явлений необходимы предельные группы симметрии.
- Принцип Кюри и принцип Неймана.
- Определение тензора.
- Скалярные свойства кристаллов.
- Пироэлектрический эффект.
- Вектор-векторное взаимодействие.
- Закон Ома для анизотропных кристаллов.
- Преобразование компонент тензора второго ранга при изменении сис-темы координат.
- Тензор механических напряжений. Физический смысл компонент тензора механических напряжений tii и tij (i≠j).
- Тензор механических деформаций.
- Указательная поверхность физического свойства кристалла.
- Характеристическая поверхность тензора второго ранга, описывающего физические свойства кристаллов.
- Величина свойства в заданном направлении.
- Связь вида характеристической поверхности тензора второго ранга, описывающего физические свойства кристаллов, с симметрией кристалла.
- Прямой пьезоэлектрический эффект. Число независимых пьезомодулей тензора III ранга.
- Обратный пьезоэлектрический эффект.
- Какими уравнениями описываются прямой и обратный пьезоэлектричес-кие эффекты.
- Физический смысл компонент тензора III ранга. Правило девятки.
- Тензоры IV ранга. Число независимых компонент тензора IV ранга. Упругие свойства кристаллов. Модуль Юнга. Закон Гука. Переход от тензорной формы записи к матричной.
- Объемная и линейная сжимаемость кристаллов. Модуль сдвига.
- Оптические свойства кристаллов.
Оптическая индикатриса. Свойство оптической индикатрисы. Какие направления в кристаллах называются оптическими осями?
- Явление двулучепреломления.
- Оптически одноосные, двухосные кристаллы.
33 Что такое характеристическая поверхность физического свойства, определяемого тензором второго ранга?
- Каков физический смысл физических компонент тензора удельной электропроводности σii и σij (i≠j)? Главные оси симметричного тензора второго ранга.
- Что такое главные коэффициенты тензоров
- диэлектрической проницаемости [εij];
- теплового расширения [αij]
- Как найти экстремальные значения физических свойств кристаллов, определяемых тензорами второго ранга [Tij]?
- Как определяются направления, соответствующие экстремальным значениям свойств, характеризуемых тензорами второго ранга?
- Как рассчитать величину любого физического свойства, определяемого тензором второго ранга, в произвольном направлении ?
- Как определяются компоненты тензора напряжений [tij]?
- Какой физический смысл имеют компоненты тензора напряжений tii и tij (i≠j)?
- Тензором какого вида описывается одноосное сжатие (растяжение) вдоль оси X3?
- Какова симметрия такого воздействия, как одноосное сжатие?
- Как выглядит тензор напряжений для сдвига в плоскости Х1Х2?
- Тензор какого типа соответствует воздействию гидростатического сжатия (растяжения)?
- Как определяются компоненты тензора деформаций [rij]?
- Каким компонентам тензора [rij] соответствует деформация растяжения (сжатия) вдоль осей
- Х1;
- Х2;
- Х3.
- Какие деформации называются сдвиговыми?
- Какими уравнениями описывается прямой и обратный пьезоэлектрический эффект, записанные
- в тензорном виде;
- в матричном виде?
- Какой физический смысл имеют компоненты матрицы упругой податливости
- Sij (i=1, 2, 3);
- Sij (i≠j; i=1, 2, 3 );
- Sij (i, j=1, 2, 3, 4, 5, 6 )?
- Как определяется модуль Юнга для анизотропных сред
- в направлении, совпадающем с кристаллофизическими осями X1X2X3;
- в произвольном направлении , заданном относительно осей X1X2X3?
- Какой вид имеет уравнение оптической индикатрисы для кристаллов
- триклинной сингонии;
- тригональной сингонии;
- кубической сингонии.
- Какими свойствами обладает оптическая индикатриса?
- Какие световые волны, распространяющиеся в анизотропных средах, называются:
a) обыкновенными;
б) необыкновенными?
- Какие направления в кристаллах называются оптическими осями?
- Какие по симметрии кристаллы называются:
а) оптически одноосными;
б) оптически двуосными?
- Возможно ли существование обыкновенных волн в двухосных кристаллах?
6.3.1. Какой из упругих коэффициентов Sij связывает механическое напряжение, действующее вдоль оси Х1 с деформацией, вдоль оси Х3?
а) S12;
б) S15;
в) S11;
г) S32;
д) S13.
Ответ: д.
6.3.2. Каким выражением определяется модуль Юнга в направлении нормали пластине Z – среза?
а) 1/ S11;
б) 1/ S12;
в) 1/ S33;
г) 1/ S26;
д) 1/ S55.
Ответ: в.
- Какие из коэффициентов упругой податливости кристалла должны присутствовать в матрице (Sij), чтобы могли возникнуть сдвиговые деформации в плоскости Х1, Х2 под действием механического напряжения t, действующего вдоль оси Х1?
а) S14;
б) S13;
в) S11;
г) S16;
д) S66.
Ответ: г.
- В кристаллах каких классов симметрии тетрагональной сингонии можно вызвать сдвиговые деформации напряжениями сжатия-растяжения?
а) 2m;
б) 422;
в) 4;
г) 4/m;
д) 4/mmm.
Ответ: в, г.
- Что такое оптическая индикатриса?
а) характеристическая поверхность тензора диэлектрической проницаемости;
б) поверхность, образованная волновыми векторами;
в) характеристическая поверхность тензора диэлектрической непроницаемости;
г) поверхность, образованная показателями преломления;
д) поверхность, полученная при решении уравнения Френеля.
Ответ: в.
- Как следует направить нормаль к монокристаллической пластинке из ниобата лития (класс симметрии 3m), чтобы вдоль этого направления двупреломление такой пластинки было максимальным?
а) параллельно оси 3;
б) под углом к оси 3;
в) перпендикулярно оси 3;
г) перпендикулярно оси 2.
Ответ: в.
- Как следует ориентировать монокристаллическую кварцевую пластинки (класс симметрии 3), чтобы она не обладала оптической анизотропией (n=0)?
а) параллельно оси 3;
б) перпендикулярно оси 2;
в) перпендикулярно оси 3;
г) параллельно оси 2.
Ответ: в.
- Какая из поверхностей второго порядка соответствует оптической индикатрисе кристаллов средних сингоний?
а) гиперболоид;
б) трёхосный эллипсоид;
в) одноосный эллипсоид;
г) сфера.
Ответ: в.
- Кристаллы каких сингоний относятся к оптически двуосным кристаллам?
а) кубические;
б) тригональные;
в) ромбические;
г) триклинные;
д) моноклинные.
Ответ: в, г, д.
- В кристаллах каких тетрагональных классах симметрии приложение электрического поля по направлению [001] изменяет симметрию их оптической индикатрисы?
а) 4/mmm;
б) 2m;
в) 4mm;
г) 4;
д) 4/m.
Ответ: б.