а контактная разность потенциалов
Работа добавлена на сайт samzan.net: 2016-06-20
Поможем написать учебную работу
Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
от 25%
Подписываем
договор
Электронно-дырочные переходы.
- Образование электронно-дырочного перехода (p-n-перехода), контактная разность потенциалов. Распределение потенциала в ОПЗ p-n-перехода. Ширина и емкость ОПЗ.
- Диодная теория выпрямления полупроводникового диода. Влияние рекомбинации и генерации носителей в ОПЗ p-n-перехода на вид вольт-амперных характеристик. Частотные свойства полупроводникового диода, эквивалентная схема.
- Тепловой и электрический пробой p-n-перехода. Гетеропереходы. Переходные процессы в диодах с p-n-переходом.
- Функциональные возможности полупроводниковых диодов (выпрямительные диоды, стабилитроны, импульсные диоды, детекторы СВЧ-диапазона, параметрические диоды и варикапы, фотодиоды, солнечные батареи, излучающие диоды, инжекционные лазеры).
Диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности.
- Туннельный диод, его вольт-амперные характеристики и частотные свойства.
- Лавинно-пролетный диод, механизм усиления переменного сигнала, мощность и коэффициент полезного действия.
- Диоды Ганна, принцип действия и возможные режимы работы, мощность и коэффициент полезного действия.
Биполярные транзисторы.
- Принцип действия транзистора в качестве усилителя. (Коэффициент передачи тока на низкой частоте в схеме с общей базой. Статические характеристики и коэффициент передачи тока в различных схемах включения. Выражения для переменных токов в транзисторе, его эквивалентная схема. Частотная зависимость коэффициента передачи тока, предельная частота усиления, граничная частота (частота отсечки) коэффициента передачи тока.)
- Транзистор в качестве линейного четырехполюсника. Максимальная частота генерации. Различные типы быстродействующих транзисторов.
Полевые транзисторы.
- Принцип действия и статические характеристики полевого транзистора с p-n-пере-ходом в качестве затвора, его эквивалентная схема и частотные свойства. МДП-структура и ее вольт-фарадная характеристика.
- Принцип действия и статические характеристики полевого транзистора с изолированным затвором, его эквивалентная схема и частотные свойства. Преимущества и недостатки полевых транзисторов.
- Устройство и принцип действия энергонезависимых элементов памяти на основе МОП-транзисторов, репрограммируемые запоминающие устройства (РПЗУ).
Аналоговые транзисторы.
- Транзисторы со статической индукцией, с проницаемой базой и с металлической базой, устройство, принцип действия, частотные свойства.
- Приборы с вольт-амперной характерис-тикой S-типа.
- Инжекционные и лавинные S-диоды, принцип действия и основные параметры. Динисторы и тиристоры, статические вольт-амперные характеристики, частотные свойства, области практического применения.