Энергия связи Ковалентная связь
Работа добавлена на сайт samzan.net: 2016-06-20
Поможем написать учебную работу
Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
от 25%
Подписываем
договор
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
ОСНОВЫ ТЕОРИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
- Типы химических связей. Энергия связи. Ковалентная связь. Ионная связь. Металлическая связь.
- Свободные электроны в металле. Влияние внешнего электрического поля на движение электронов в металле. Длина свободного пробега. Подвижность электронов в металле.
- Механизм образования электронов проводимости в полупроводниках. Тепловое движение. Энергия ионизации атома. Флуктуации энергии.
- Время жизни и длина свободного пробега электрона в полупроводнике. Диффузионная длина. Соотношение Эйнштейна.
- Электропроводность полупроводников. Принцип запрета Паули. Спин электрона.
- Понятие энергетических зон, механизм их возникновения.
- Энергетические диаграммы спектра валентных электронов металла, полупроводника и изолятора. Ширина запрещенной зоны. Факторы, влияющие на данный параметр. Генерация и рекомбинация носителей заряда в полупроводниках.
- Собственная электропроводность полупроводников.
- Примесная электропроводность полупроводников. Донорные и акцепторные примеси. Примесное истощение. Зависимость концентрации электронов от температуры
- Понятие дырки. Подвижность электронов и дырок в полупроводниках.
- Дрейф носителей заряда под действием электрического поля.
- Диффузия носителей заряда.
- Генерация и рекомбинация носителей заряда в полупроводниках.
ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИБОРОВ
Барьеры.
- Барьер на границе кристалла. Механизм его формирования. Работа выхода (металл, диэлектрик, полупроводник).
- Двойной заряженный слой. Работа выхода в полупроводнике. Электронное сродство полупроводника.
- Поверхностные состояния (Уровни Тамма). Изгибы зон. Поверхностный потенциал.
- Влияние поверхностных состояний на работу выхода полупроводника.
Основные параметры энергетических барьеров в полупроводниках.
- Механизмы проникновения внешнего электрического поля в металл, диэлектрик и полупроводник. Уравнения Пуассона.
- Распределение поля в барьере. Ширина барьера.
p-n-переход.
- Методы получения p-n-переходов. Сплавление. Диффузионный метод. Метод ионной имплантации.
- Образование потенциального барьера на границе p-n-перехода. Двойной заряженный слой.
- Основные параметры потенциального барьера. Высота барьера. Возникновение обедненного слоя. Распределение электрического поля в потенциальном барьере. Ширина барьера.
- Равновесие в p-n-переходе. Ток насыщения.
- Обратносмещенный p-n-переход. Распределение напряжения в p-n-переходе при обратном смещении. Высота и форма барьера. Обратный ток. Комментарий вольт-амперных характеристик обратносмещенного германиевого p-n-перехода, их сравнение с ВАХ для кремниевых и арсенид-галлиевых переходов. Генерационный ток. Барьерная емкость.
- Ударная ионизация. Коэффициент умножения носителей. Коэффициент ударной ионизации. ВАХ лавинного диода. Схема защиты аппаратуры от перенапряжения с помощью лавинного диода.
- Прямосмещенный переход. Высота барьера. Сравнение теоретически рассчитанной вольт-амперной характеристики p-n-перехода с ВАХ германиевого диода. Инжекция.
ТРАНЗИСТОРЫ
Биполярный транзистор
- Принцип работы биполярного транзистора.
- Усилие по току. Коэффициент переноса транзистора. Коэффициент усиления транзистора по току. Быстродействие транзистора.
Полевой транзистор
- Основная идея полевого транзистора (идея Лилиенфельда). Роль поверхностных состояний в практической реализации идеи Лилиенфильда.
- Полевой транзистор с p-n-переходом (Идея Шокли).
- МДП (МОП) транзисторы.
- Транзисторы со встроенным и индуцированным каналами. Проводимость канала полевого транзистора и напряжения отсечки. Пороговое напряжение.
- Биполярные и полевые транзисторы: общие свойства и различия.
- Основные параметры полевых транзисторов (крутизна, быстродействие).