Энергия связи Ковалентная связь

Работа добавлена на сайт samzan.net:

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

ОСНОВЫ ТЕОРИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.  Типы химических связей. Энергия связи. Ковалентная связь. Ионная связь. Металлическая связь.
2.  Свободные электроны в металле. Влияние внешнего электрического поля на движение электронов в металле. Длина свободного пробега. Подвижность электронов в металле.
3.  Механизм образования электронов проводимости в полупроводниках. Тепловое движение. Энергия ионизации атома. Флуктуации энергии.
4.  Время жизни и длина свободного пробега электрона в полупроводнике. Диффузионная длина. Соотношение Эйнштейна.
5.  Электропроводность полупроводников. Принцип запрета Паули. Спин электрона.
6.  Понятие энергетических зон, механизм их возникновения.
7.  Энергетические диаграммы спектра валентных электронов металла, полупроводника и изолятора. Ширина запрещенной зоны. Факторы, влияющие на данный параметр. Генерация и рекомбинация носителей заряда в полупроводниках.
8.  Собственная электропроводность полупроводников.
9.  Примесная электропроводность полупроводников. Донорные и акцепторные примеси. Примесное истощение. Зависимость концентрации электронов от температуры
10.   Понятие дырки. Подвижность электронов и дырок в полупроводниках.
11.  Дрейф носителей заряда под действием электрического поля.
12.  Диффузия носителей заряда.
13.  Генерация и рекомбинация носителей заряда в полупроводниках.

ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИБОРОВ

Барьеры.

1.  Барьер на границе кристалла. Механизм его формирования. Работа выхода (металл, диэлектрик, полупроводник).
2.  Двойной заряженный слой. Работа выхода в полупроводнике. Электронное сродство полупроводника.
3.  Поверхностные состояния (Уровни Тамма). Изгибы зон. Поверхностный потенциал.
4.  Влияние поверхностных состояний на работу выхода полупроводника.

Основные параметры энергетических барьеров в полупроводниках.

1.  Механизмы проникновения внешнего электрического поля в металл, диэлектрик и полупроводник. Уравнения Пуассона.
2.  Распределение поля в барьере. Ширина барьера.

p-n-переход.

1.  Методы получения p-n-переходов. Сплавление. Диффузионный метод. Метод ионной имплантации.
2.  Образование потенциального барьера на границе p-n-перехода. Двойной заряженный слой.
3.  Основные параметры потенциального барьера. Высота барьера. Возникновение обедненного слоя. Распределение электрического поля в потенциальном барьере. Ширина барьера.
4.  Равновесие в p-n-переходе. Ток насыщения.
5.   Обратносмещенный p-n-переход. Распределение напряжения в p-n-переходе при обратном смещении. Высота и форма барьера. Обратный ток. Комментарий вольт-амперных характеристик обратносмещенного германиевого p-n-перехода, их сравнение с ВАХ для кремниевых и арсенид-галлиевых переходов. Генерационный ток. Барьерная емкость.
6.  Ударная ионизация. Коэффициент умножения носителей. Коэффициент ударной ионизации. ВАХ лавинного диода. Схема защиты аппаратуры от перенапряжения с помощью лавинного диода.
7.  Прямосмещенный переход. Высота барьера. Сравнение теоретически рассчитанной вольт-амперной характеристики p-n-перехода с ВАХ германиевого диода. Инжекция.

ТРАНЗИСТОРЫ

Биполярный транзистор

1.  Принцип работы биполярного транзистора.
2.  Усилие по току. Коэффициент переноса транзистора. Коэффициент усиления транзистора по току. Быстродействие транзистора.

Полевой транзистор

1.  Основная идея полевого транзистора (идея Лилиенфельда). Роль поверхностных состояний в практической реализации идеи Лилиенфильда.
2.  Полевой транзистор с p-n-переходом (Идея Шокли).
3.  МДП (МОП) транзисторы.
4.  Транзисторы со встроенным и индуцированным каналами. Проводимость канала полевого транзистора и напряжения отсечки. Пороговое напряжение.
5.  Биполярные и полевые транзисторы: общие свойства и различия.
6.  Основные параметры полевых транзисторов (крутизна, быстродействие).

1. тибетец щупленький парнишка который легко помещался в багажнике вместе с рюкзаками
2. Технологии социальнопедагогической деятельности Социальнопедагогические технологии Социаль
3.  Схема проведения достоинства и недостатки рентгеноабсорбционного анализа
4. вариантов классификаций инноваций
5. Лабораторная работа 7
6. среда обитанияrdquo;
7. СОПКА2 5
8. Літаратура падарожжаў як гістарычная крыніца. Запіскі замежных дыпламатаў і падарожнікаў аб Беларусі
9. Глобальные последствия загрязнения атмосферы
10. М 1997. 94 с. Книга двох авторів- Белов А
11. Софисты кризис государства и воспитание
12. Эксперимент был бы готов к концу месяца если бы они снабдили нас всем необходимым материалом по проблеме
13. В настоящее время застройщиком осуществляется выемка грунта под фундамент
14. Электромагнитные поля
15. тема плюс гСанктПетербург Должность-помощник менеджера Поиск и привлечение клиентов Проведение пере
16. Психодиагностика личности
17. Древние российские стихотворения собранные Киршею Даниловым
18.  Цели и задачи курса [0
19. 039-678 АКУЛЬШИН ОЛЕКСАНДР ОЛЕКСІЙОВИЧ ФІЗИЧНІ ТА ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПІДВИЩЕННЯ ВИДОБУТ
20. Роль процентной ставки как фактора обеспечивающего прибыльность банковского бизнеса

Материалы собраны группой SamZan и находятся в свободном доступе