У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.net

Лабораторна робота 1 Дослідження напівпровідникових діодів за допомогою програмного комплексу Electronics Wor

Работа добавлена на сайт samzan.net: 2016-06-09

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 3.4.2025

               Міністерство освіти і науки,молоді та спорту України

                            Національний Авіаційній Університет
              Іститут Аерокосмічних Систем Управління
                                       Кафедра Радіоелектроніки

                                Лабораторна робота №1

«Дослідження напівпровідникових діодів за допомогою програмного комплексу Electronics Workbench»

                                                                                   

Виконав:Студент 111 групи,ІАСУ

                               

                                                                                            Заводюк Дмитро

                                             Київ 2013

Тема: "Дослідження напівпровідникових діодів за допомогою програмного комплексу Electronics Workbench".

Мета роботи: Вивчення поняття напівпровідниковий діод ,отримати за допомогою компютера EWB вольтамперну характеристики напівпровідникового діода.
                                    

                                   Теоретичні відомості:

Напівпровіднико́вий діо́д (рос. полупроводниковый диод, англ. semiconductor (crystal) diode; нім. н. Halbleiterdiode f) — це напівпровідниковий прилад з одним випрямним електричним переходом і двома зовнішніми виводами.

Випрямним електричним переходом, в напівпровідникових діодах, може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал-напівпровідник.

Випрямний перехід, окрім ефекту випрямлення, має й інші властивості, що використовуються для створення різних видів напівпровідникових діодів: випрямних діодів, стабілітронів, лавинно-пролітних діодів, тунельних діодів, варикапів та інших. Тому напівпровідникові діоди поділяють: на випрямні, високочастотні та надвисокочастотні, імпульсні, опірні (стабілітрони), чотиришарові перемикаючі, фотодіоди, світлодіоди, тунельні діоди та інші.
Вольт-ампе́рною характери́стикою, скорочено ВАХ матеріалу чи пристрою називається залежність струму в ньому від прикладеної напруги.

Вольт-амперну характеристику можна визначити також, як залежність падіння напруги на пристрої від струму, що в ньому протікає.

Вольт-амперна характеристика зображається зазвичай у вигляді графіка, в якому напруга відкладається вздовж осі абсцис, а струм вздовж осі ординат.

Для матеріалів вольт-амперна характеристика часто приводиться у вигляді залежності густини струму від напруженості прикладеного поля.

Для багатьох матеріалів, зокрема для провідників і напівпровідників, вольт-амперна характеристика має лінійну ділянку при малих напругах. В цьому діапазоні прикладеної напруги справедливий закон Ома, який стверджує, що струм пропорційний напрузі. При виконанні закону Ома струм у пристрої протікає одинаково в обидва боки, в залежності від полярності прикладеної напруги

Розділ “Diodes” (рис.1) містить напівпровідникові діоди, стабілітрони, світлодіоди , тиристори або динистори, , симетричний динистор або діак, симетричний тринистор або тріак , випрямляючий міст.

Рисунок 1 Розділ “Diodes”

  1.  – напівпровідникові діоди;
  2.  – стабілітрони;
  3.  – світлодіоди;
  4.  – випрямляючий міст;
  5.  – діод Шоклі;
  6.  – тиристори або динистори;
  7.  – симетричний динистор або діак;
  8.  – симетричний тринистор або тріак.

Розглянемо властивості діода, які задаються користувачем , для цього потрібно натиснути два рази лівою кнопкою мишки на діоді та в діалоговому вікні “Diode Properties” вибрати потрібний діод на закладці “Models”. Якщо потрібно змінити параметри то натисніть кнопку “Edit”. У діалоговому вікні, яке складається із двох однакових на зовнішній вигляд закладок ( перша із них показана на рис.2, друга показана на рис.3), за допомогою яких задати наступні параметри:

  1.  N – коефіцієнт інжекції;
  2.  EG – ширина забороненої зони, еВ;
  3.  FC – коефіцієнт нелінійності бар’єрної ємності прямо зміщеного перехода;

Рисунок 2 – Зовнішній вигляд меню для встановлення параметрів діода

  1.  BV – напруга пробою, В; для стабілітронів замість цього параметра використовується параметр VZT – напруга стабілізації;
  2.  ІBV –початковий струм пробою при напрузі BV, А; для стабілітронів замість цього параметра використовується параметр ІZT – початковий струм стабілізації;
  3.  XTI – температурний коефіцієнт струму насичення;
  4.  KF – коефіцієнт фліккер-шума;
  5.  AF – показник степеня в формулі для фліккер-шума;
  6.  TNOM – температура діода, 0 С.

 

Рисунок 3 – Зовнішній вигляд меню для встановлення додаткових параметрів діода


Підготуйте новий файл для роботи. Для цього необхідно виконати наступніоперації з меню: File/New і File/Save as. При виконанні операції Save as буде необхідно вказати ім'я файлу і каталог, у якому буде зберігатися схема.
Висновок: Я вивчив поняття напівпровідниковий діод ,отримав за допомогою компютера EWB вольтамперну характеристики напівпровідникового діода.




1. Психологический портрет молодого современника как объект научного познания
2. Контрольная 2- Понятие и типы научных революций С
3. объективная реальность или понятию Объектная область исследования
4. 84 Форма 7а
5.  Загальні версії- самозайманння підпал Окремі версії- 1 Пожежа відбулася внаслідок дії з
6. Введение в JvScript для Мага 1996 1997 Стефан Кох Stefn Koch Часть 7- Формы Проверка информации введе.
7. Доклад студенческий как пример К защите представляется Проект внедрения технологии DSL
8. Тема роботи- Розробка та тестування програми з різними обробниками подій
9. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2.1
10. А Канаков Векторное представление сообщений и сигналов Метрика базис норма скалярное произвед