Будь умным!


У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.net

Вариант 19 Исходные данные- нА В Расчет вольт амперной характеристики проведем в соответствии с

Работа добавлена на сайт samzan.net:


Задача 1

Вариант 19

Исходные данные:

нА

В

Расчет вольт- амперной характеристики проведем в соответствии с уравнением

в пределах изменения от -7 В до  + 0.7 В

Результаты расчета прямой ветви (U > 0) вольт- амперной характеристики , а также обратной

ветви (U < 0) представлены в таблице 1.1 и 1.2 соответственно.

Uпр , В

Iпр , мкА

Uобр , В

Iобр , нА

Построенная по этим значениям вольт- амперная характеристика изображена на рис.1.1.

Для определения дифференциального сопротивления Rдиф линейного участка выберем участок

прямой ветви вольт- амперной характеристики вблизи заданной рабочей точки А , определенной

В      и задав небольшое приращение напряжения (рис.1.

В

получим приращение тока

мкА.          Тогда:

=

Ом

Взяв производную dU/dI из выражения для вольт- амперной характеристики диода

получим

=

Ом

где

А

- значение тока в рабочей точке А при

В

Сопротивление диода постоянному току в рабочей точке А определяется как

=

Ом

Как видно Ro > R диф , что должно быть обязательно.

Рис.1.1.

Задача 2

Вариант 19

Исходные данные:

мА

мА

кОм

В

Определить величину сопротивления ограничительного резистора Rогр , если напряжение источника Ео изменяется от

В   до

В

Будет ли обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменения напряжения Е.

Решение:

Стабилитрон подключен к схеме рис 2.1.

Рис 2.1.

Выберем средний ток стабилизации из условия

=

А

При этом необходимая величина напряжения питания будет определяться как

( 1 )

где ток нагрузки

=

А

а средняя величина питающего напряжения

=

В

Тогда из выражения ( 1 ) получаем :

=

Ом

Диапазон изменения напряжения будет равным:

=

В

=

В

Вывод:   Отсюда видно , что стабилизация  обеспечивается во всем диапазоне

изменения напряжения питания  Е = (20-30) В

Задача 3

Вариант 19

Усилительный каскад выполнен на полевом транзисторе 2П 302А по схеме с общим истоком и резистором

нагрузки в цепи стока.

кОм

Напряжение смещения на затворе создается за счет включения в цепь истока резистора Rи.

Напряжение на затворе в режиме покоя

В

Э Д С источника

В

Решение:

1. Представим принципиальную схему усилителя рис 1.

Рис. 1.

2. Представим  статические характеристики транзистора на рис.5.2.  Найдем положение рабочей

точки О на характеристике , построив на них нагрузочную прямую воспользовавшись выражением.

Нагрузочную прямую строим по двум точкам:

1)

В

2)

=

мА

Найдем значение Uсио в рабочей точке О

В

мА

Найдем сопротивление резистора в цепи истока

=

Ом

Определим малосигнальные параметры S ,  Ri ,  m 

Определим крутизну

=

мА/В

Определим сопротивление транзистора

=

Ом

Определим коэффициент усиления

=

Определим параметры режима усиления Sр , К , Р при амплитуде входного сигнала

В

Из характеристик рис. 5.2 получим , что при амплитуде входного сигнала

В

В

мА

Рабочую крутизну определим при Rн = const

=

мА/В

Коэффициент усиления по напряжению

=

Выходная мощность переменного сигнала равна:

=

мВт

Задача 4

Вариант  99

Исходные данные:

кОм

Фото диод включен последовательно с источником питания и нагрузочным резистором Rн по следующей

схеме (рис.1.)

Обратный ток насыщения затемненного фотодиода

мкА

Фототок диода в фотогальваническом режиме при коротком замыкании перехода при потоке световой энергии Ф1составляет:

мкА

при потоке световой энергии Ф2

мкА

при потоке световой энергии Ф3

мкА

Определить:

1. Напряжение холостого хода Uхх  перехода диода для Ф1, Ф2, Ф3 и значение Ф1,2 при токовой чувствительности

мкА/лм

2. Построить  семейство ВАХ идеализированного фотодиода для  потоков Ф1,Ф2,Ф3 при напряжении  U от 0 до -10 В

3. Описать принцип работы, характеристики и параметры фотодиода.

Решение:

Определим напряжение холостого хода:

для Ф3

=

В

для Ф1

=

В

для Ф2

В

=

Определим Ф1 и Ф2

=

Лм

=

Лм

Построим ВАХ идеализированного фотодиода  для значений Ф1, Ф2, Ф3, которым соответствуют токи Iф1, Iф2, Iф3 :

Фотодиод - полупроводниковый прибор с р-n переходом, ток которого зависит от облучающего его светового потока.

Если фотодиод не освещен, он ведет себя как обычный диод , через него проходит обратный ток , образованный

неосновными носителями заряда областей р и n (в данном случае его называют темновым). Если на фотодиод падает свет,

то вследствии внутреннего фотоэффекта в обоих областях фотодиода генерируются пары носителей заряда. Неосновные носители заряда, для которых поле р-n перехода является ускоряющим, могут легко преодолеть р-n переход и попасть в смежную область (дырки n-области - в область р, а электроны р области - в область n) и тем самым внести свой вклад в

общий ток неосновных носителей заряда фотодиода. Ток неосновных носителей, вызванный освещением, не зависит от напряжения, приложенного к р-n переходу , он пропорционален световому потоку и называется световым потоком или фототоком.

Фотодиод описывается вольтамперной, энергетической (световой) , спектральной  и  частотной характеристиками. Вольт амперная характеристика приведена выше. Энергетическая (световая) характеристика фотодиода связывает фототок со световым потоком, падающим на фотодиод (рис. 7.3 а). Спектральная характеристика фотодиода аналогична

соответствующим характеристикам фоторезистора и зависит от материала фотодиода и количества примесей (рис.7.3 б).Частотная характеристика показывает изменение интегральной чувствительности при изменении яркости светового

потока с разной частотной модуляцией (рис.7.3 в).

Параметры фотодиода следующие:

1. Темновой ток Iт - начальный обратный ток, протекающий через диод при отсутствии внешнего смещения и светового излучения (10...20 мкА для германиевых и 1...2 мкА для кремниевых диодов).

2. Рабочее напряжение Uр - номинальное напряжение, прикладываемое к фотодиоду в фотодиодном режиме (Uр = 10...30 В).

3. Интегральная чувствительность Sинт показывает, как изменяется фототок при единичном изменении светового потока:

                                                                                Sинт = dIф/dФ

4. Граничная частота fгр - частота, на которой интегральная чувствительность уменьшается в  раз ( ... Гц).  




1. Тема- Роль стресса в развитии атопического дерматита Выполнила студентка Группы 35 Специ
2. либо конфликтов на этнической и религиозной почве; ставить интересы мира и безопасности своих граждан соц
3. аспирино вая астма.html
4. на тему- Дивидендная политика корпорации и ее влияние на цену бизнеса
5. Каждый библиотекарь является другом и художника и учёного
6. Перший базовий підхід існує в тих країнах де користувачами аудиторських висновків є перш за все представн
7. .0] Дата- 15-май-06 Версия [1
8. Каковы основные движущие силы в жизни человека какие страсти определяют его поведение 2 Какие внутренние
9. Лабораторная работа 21по курсу общей физики
10. Согласно марксистской концепции государство возникает в результате об
11. Духовно-нравственное воспитание на уроках английского языка
12. бутылки шампанского стаканчики или бокалы к
13. СМОЛЕНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АКАДЕМИЯ ФИЗИЧЕСКОЙ КУЛЬТУРЫ СПОРТА И ТУРИЗМА Факультет физической ку
14. статья. Автор Хлопков Александр Команда Урукхай Последний код
15. то против моего мнения и моих доводов это ваше право
16. реферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук Київ 1999 р
17. На тему- Поиск информации в Интернете Выполнил- ученик 9Б класса Твердохлеб Владислав Серге
18. Психология верующих
19. Ухтанефть при составлении бизнесплана работы компании и при решении прикладных вопросов связанных с сове
20. Реферат- Історія відкриття та дослідження пітекантропів