Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
Московский Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции и Ордена Трудового Красного Знамени
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н.Э.БАУМАНА
Кафедра РЛ-1
Дисциплина
« Электроника »
Исследование полупроводниковых приборов
Получение модельных характеристик диодов по экспериментальным данным
Выполнила _________________ Бухенко Е.В.
подпись, дата
Проверил _________________ Загидуллин Р.Ш.
подпись, дата
МОСКВА 2013 г.
3.2. Расчет параметров модели экспериментального транзистора2.
3.2.1. Лабораторные данные.
В лабораторном зале исследовался транзистор КТ501М по схеме указанной на рис.12.
Рис.12.Схема для получения выходных характеристик.
В лабораторном зале мы получили следующие данные:
Рис. 13 Схема для снятия входных характеристик.
Рис.14 Семейство выходных характеристик транзистора КТ501М.
РАБОТА В ИНВЕРСНОМ РЕЖИМЕ
3.2.2. Расчет статических параметров транзистора KT501M в программе MODEL.
Рис.15 Ввод данных в MODEL: Vbe(Ic).
Рис.16 Ввод данных в MODEL: Beta(Ic).
Рис.17 Ввод данных в MODEL: hoe(Ic).
Рис.18 Ввод данных в MODEL:Vce(Ic).
3.2.3. Расчет динамических параметров модели.
По справочным данным определяем напряжение коллектор – база и емкость коллекторного перехода: Vcb=10B, Cob=50пФ. Напряжение и емкость эммитерного перехода берем на порядок меньше: Veb=0.5B, Cib=100пФ.
Рис.19Ввод данных в MODEL: Cob(Vcb) и Cib(Vce).
3.2.4. Внесение транзистора в библиотеку и проверка адекватности модели.
Рис.20 Параметры транзистора в библиотеке и файл NOM.lib
2 Данные получены в лаборатории Основы Электроники (кафедра РЛ1)