Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
Цель работы: Изучение конструкции гибридной интегральной схемы.
Теоретическая часть
Термины и определения (ГОСТ 17021 – 88)
Микросхема – микроэлектронное устройство, рассматриваемое как единое изделие, имеющее высокую плотность расположения элементов и (или) компонентов.
Интегральная микросхема (ИМС) – микросхема, все или часть элементов которой нераздельно связаны и электрически связаны между собой так, что устройство рассматривается как единое целое.
Элемент интегральной микросхемы – часть интегральной микросхемы, выполняющая функцию какого-либо радиоэлемента, которая выполнена нераздельно от подложки или кристалла и не может быть выделена как самостоятельное изделие.
Примечание. Под электрорадиоэлементом понимают транзистор, диод, конденсатор и др.
Компонент интегральной микросхемы – часть ИМС, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие; так в полупроводниковой ИМС транзистор является элементом, а в гибридной ИМС – компонентом.
Пленочная интегральная микросхема – интегральная микросхема, элементы которой выполнены в виде пленок. Пленочные ИМС могут тонкопленочными и толстопленочными.
Тонкопленочная интегральная микросхема – пленочная ИМС с толщиной пленок до 10 –6 м. Элементы тонкопленочной ИМС наносятся преимущественно методами термовакуумного осаждения и катодного распыления.
Толстопленочная интегральная микросхема – пленочная ИМС с толщиной пленок свыше 10-6 м. Элементы толстопленочной интегральной микросхемы наносят на подложку методами трафаретной печати (толстопленочной технологии) путем продавливания паст (проводящих, диэлектрических, резистивных) через специальный сетчатый трафарет. Нанесенные на подложку пасты высушиваются, а затем вжимаются в подложку.
Гибридная интегральная микросхема – интегральная микросхема, содержащая кроме элементов, компоненты и (или) кристаллы. Кристалл – часть полупроводниковой пластины, в объеме и поверхности которой сформированы все элементы полупроводниковой интегральной микросхемы.
Корпус интегральной микросхемы – часть конструкции ИМС, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями с помощью выводов.
Подложка интегральной микросхемы – заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИМС, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.
Плата интегральной микросхемы – часть подложки (подложка) гибридной (пленочной) ИМС, на поверхности которой сформированы пленочные элементы, соединения и контактные площадки.
Контактная площадка – металлизированный участок на плате, служащий для соединения выводов элементов, компонентов, кристаллов, перемычек, а также для контроля электрических параметров и режимов функционирования.
Бескорпусная интегральная микросхема – кристалл полупроводниковой ИМС, предназначенный для монтажа в гибридную интегральную микросхему.
Микросборка – микросхема, состоящая из различных элементов и (или) интегральных микросхем, которые имеют отдельное конструктивное оформление и могут быть испытаны до сборки и монтажа в изделие.
Примечание. Элемент микросборки имеет внешние выводы, корпус, и рассматривается как отдельное изделие.
Параметры интегральных микросхем
Степень интеграции интегральной микросхемы K – показатель степени сложности ИМС в зависимости от числа в ней элементов и (или) компонентов
K = lg N,
где K – параметр, определяющий степень интеграции, значение которого округляют до ближайшего большего целого числа; N – количество элементов и компонентов ИМС.
В настоящее время существует ИМС 1, 2, 3, 4, 5 и 6 степеней интеграции. ИМС первой степени содержит до 10 элементов и компонентов, второй – до ста и т.д.
Интегральная плотность интегральной микросхемы w – характеризуется числом элементов и компонентов, приходящихся на единицу площади ИМС, где S – площадь микросхемы.
Интегральная плотность компонентов на подложке (кристалле): w’– величина, характеризуемая количеством элементов и компонентов, приходящихся на единицу площади подложки (кристалла) где S’ – площадь подложки микросхемы.
Классификация и система обозначений микросхем
Интегральные микросхемы (ИМС) являются элементной базой для разработки электронной аппаратуры (РЭА) различного назначения: цифровой, аналоговой, и др. Для изготовления РЭА необходимы не отдельные микросхемы, а функционально полные системы (серии) микросхем.
Серия интегральных микросхем – совокупность интегральных микросхем, выполняющих функции, имеющих единую конструктивно-технологическую основу и предназначенных для совместного применения в радиоэлектронной аппаратуре.
Условное обозначение ИМС состоит из пяти элементов.
Первый элемент – цифра, обозначающая группу микросхем по конструктивно-технологическому исполнению. По этому признаку ИМС подразделяется на три группы, которые обозначаются: полупроводниковые – 1, 5, 7; гибридные – 2, 4, 6, 8; прочие (пленочные, керамические, вакуумные и др.) – 3.Третий элемент – две цифры, обозначающие порядковый номер разработки (регистрации) данной серии.
Примечание. Первый и третий элемент (три или четыре цифры) обозначают серию ИМС. Для микропроцессорных ИМС могут быть 4 цифры.
Второй элемент – две буквы, обозначающие подгруппу и вид по функциональному назначению. По характеру выполнения электрических функций микросхемы подразделяются на подгруппы и виды.
Четвертый элемент – цифра, обозначающая порядковый номер разработки микросхемы по функциональному признаку в данной серии.
Пятый элемент – буква, обозначающая отличие по какому-либо параметру одинаковых микросхем (например, по номиналу источника питания).
Если микросхемы выпускают для широкого применения, в их условное обозначение добавляется индекс «К», который ставится в самом начале условного обозначения. Например, гибридная ИМС общего назначения 224 серии, выполняющая функции усилителя низкой частоты, обозначается К2УН24 1; полупроводниковая ИМС общего назначения 506 серии, выполняющая логические функции И-ИЛИ-НЕ, обозначается К5ЛР06 2А (при источнике питания 6 В) и К5ЛР06 2Б (при источнике питания 12 В).
Элементы конструкции ГИС
ГИС характеризуются различной надежностью, помехозащищенностью, технологичностью, что определяет их стоимость и область применения. Эти параметры определяются защитой от внешней среды. Бескорпусные ГИС проще по конструкции, более технологичны и дешевы, но имеют меньшую помехозащищенность и надежность по сравнению с корпусными ГИС. В качестве защитных покрытий бескорпусных ГИС используют лаки, смолы, легкоплавкие стекла, эмали, компаунды и прочие защитные материалы.
Платы корпусных ГИС крепят к основанию корпуса клеем или специальной клеевой пленкой с перфорацией для растекания клея в процессе термообработки при сушке. Платы СВЧ микросхем имеют металлизированную обратную сторону подложки. Их крепят к основанию корпуса пайкой или сваркой.
Возможно механическое крепление платы к основанию корпуса., а также заливка стеклоэмалью.
Корпуса ГИС
В качестве корпусов ГИС используются пластассовые, металлополиерные и металлостеклянные корпуса. Полимерные корпуса состоят из полимерного основания с запрессованными выводами и пластмассовой крышки . На основание корпуса приклеивается плата и развариваются выводы, одевается крышка и вся конструкция снизу заливается компаундом или стеклоэмалью. В металлополимерных корпусах используются планарные выводы, которые запрессованы в обечайку. К металлическому основанию приклеивается обечайка, затем приклеивается плата и развариваются выводы, сверху приклеивается крышка. В металлостеклянных корпусах выводы в металлическом основании корпуса изолируются с помощью стеклянных бусинок, а основание и крышка свариваются между собой конденсаторной или лазерной сваркой. Пластмассовые корпуса имеют наихудшую теплопроводность и радиационную стойкость. Ниже приведены уонструкции металлостеклянных корпусов.
|
Система обозначений: |
|
|
|
Обозначение корпуса |
1210.29 |
|
|
ОСТ |
11073.924-81 157.29-2 |
|
|
ГОСТ |
17467-88 1210 |
|
|
Покрытие: |
Н6 |
|
|
Материал: |
основание 47НД |
|
|
вывод 38НКД |
||
|
стекло С 76-4 |
||
|
Система обозначений: |
|
|
|
Обозначение корпуса |
1210.29 |
|
|
ОСТ |
11073.924-81 157.29-2 |
|
|
ГОСТ |
17467-88 1210 |
|
|
Покрытие: |
Н6 |
|
|
Материал: |
основание 47НД |
|
|
вывод 38НКД |
||
|
стекло С 76-4 |
||
|
Система обозначений: |
|
|
|
Обозначение корпуса |
1203.6-1 |
|
|
ОСТ |
11073.924-81 151.15-8 |
|
|
ГОСТ |
17467-88 1203 |
|
|
Покрытие: |
Н3, в зоне В струйно-локальное 3л.3 |
|
|
Материал: |
основание 47НД |
|
|
вывод 38НКД |
||
|
стекло С 76-4 |
Корпус 1203 Корпус 1210
|
Система обозначений: |
||
|
Обозначение корпуса |
153.15-2 |
|
|
ОСТ |
11073.924-81 153.15-2 |
|
|
ГОСТ |
17467-88 1206 |
|
|
Покрытие: |
Н6 |
|
|
Материал: |
основание 47НД |
|
|
вывод 38НКД |
||
|
стекло С 76-4 |
||
|
Система обозначений: |
|
|
|
Обозначение корпуса |
153.15-2 |
|
|
ОСТ |
11073.924-81 153.15-2 |
|
|
ГОСТ |
17467-88 1206 |
|
|
Покрытие: |
Н6 |
|
|
Материал: |
47НД |
|
|
Система обозначений: |
|
|
|
Обозначение корпуса |
151.15-8 |
|
|
ОСТ |
11073.924-81 151.15-8 |
|
|
ГОСТ |
17467-88 1203 |
|
|
Покрытие: |
Н6 |
|
|
Материал: |
фланец 47НД |
|
|
вывод 38НКД |
||
|
стекло С 76-4 |
||
|
Система обозначений: |
|
|
|
Обозначение корпуса |
151.15-8 |
|
|
ОСТ |
11073.924-81 151.15-8 |
|
|
ГОСТ |
17467-88 1203 |
|
|
Покрытие: |
Н6 |
|
|
Материал: |
47НД |
|
Корпуса 153 и 151
Плата ГИС
Самым главным элементом конструкции ГИС является плата с размещенными на ней элементами и компонентами с разваренными выводами компонентов (рис. 1).
Рис.1. Тонкопленочная ГИС
1 - подложка; 2 - транзистор; 3 - проволочные проводники; 4 - резистор; 5 - конденсатор ( навесной ); 6 - паяный шов; 7 - контактные площадки; 8 - пленочные проводники
В качестве подложек ГИС используются стеклоподобные и керамические материалы. Для изготовления толстопленочных Гис используют материалы с температурой размягчения свыше 1500 ˚С, а для тонкопленочных ГИС требуется 13-14 класс чистоты. В табл.1 приведены параметры основных материалов подложек.
Таблица 1.
|
Параметр |
Ситалл СТ38-1 |
Ситалл СТ50-1 |
Ситалл СТ90-1 |
Плавл. кварц |
Керамика 22ХС |
Брокерит |
Полкор |
Синт. сапфир |
|
Класс чистоты |
13-14 |
13-14 |
13-14 |
14 |
12 |
8-10 |
12-14 |
14 |
|
ТКЛР (в интервале температур 20-300˚С |
38±2 |
48±2 |
90±2 |
55 |
20±2 65±5 75±5 |
75±4 |
75-85 |
80 |
|
Диэлектрическая проницаемость для ƒ=106Гц и Т=+20˚С |
3,4-7,4 |
5-8,5 |
6,4 |
3,8 |
10,3 |
6,5 |
9-10 |
9-11 |
|
Тангенс угла диэлетрических потерь (х10-4) при ƒ =106Гц и Т=-20˚С |
20 |
20 |
66 |
- |
6 |
- |
10,5 |
- |
|
Теплопроводность Вт/(м2С) |
1,5 |
1,5 |
1,4 |
8,4-10 |
8,4 |
- |
30-40 |
- |
|
Электрическая прочность кВ/мм |
40 |
- |
105 |
- |
50 |
- |
- |
- |
|
Температура размягчения ˚С |
- |
620 |
- |
1500 |
1000 |
1900 |
- |
1900 |
Рассмотрим материалы подложек ГИС.
Подложки из ситалла широко применяются при изготовлении тонкопленочных и тонкопленочных гибридных ИМС. Ситалл – продукт кристаллизации стекла с мелкими (0,01 – 1 мкм) кристаллитами. Ситаллы занимают промежуточное положение между стеклами и керамикой. Ситаллы различных марок содержат оксиды кремния (30 – 90 %), а также оксиды титана, магния, бора и др. Благодаря наличию мелкокристаллической фазы. Ситаллы обладают более высокой механической прочностью по сравнению со стеклами (примерно в два раза), что весьма важно, так как при малых толщинах подложек (0,5 – 1,0 мм) последние подвергаются значительным механическим (при обработке, монтаже) и термическим (при напылении) напряжениям. Ситалл хорошо обрабатывается, полируется, он обладает малой газопроницаемостью и выдерживает большие перепады температур.
Подложки из поликора применяются преимущественно при изготовлении тонкопленочных и тонкопленочных гибридных СВЧ ИМС.
Поликор изготавливают из корундовой керамики, содержащей около 99,8 % оксида алюминия. В поликоре удачно сочетаются относительно высокая диэлектрическая проницаемость с малыми диэлектрическими потерями на СВЧ.
Положки из керамики на основе оксида алюминия широко применяются при изготовлении различных микросхем, преимущественно толстопленочных ГИС.
Керамические подложки сравнительно дешевы, имеют низкие потери, относительно высокую диэлектрическую проницаемость, малые температурные изменения электрофизических параметров, высокую теплопроводность, что позволяет изготавливать мощные схемы. К недостатку керамических подложек следует отнести трудности, связанные с их полировкой – поверхность керамики после спекания всегда шероховатая, и вследствие этого шумы выше, чем у ситалла или поликора, а также относительно низкую механическую прочность.
Наиболее распространение получили две группы керамики, отличающиеся содержанием оксида алюминия. В первую группу, для которой содержание оксида алюминия составляет 98 – 99 %, входят такие керамики, как А-995, ГМ, сапфирит и др. Керамики первой группы применяются преимущественно для подложек СВЧ микросхем.
Во вторую группу, для которой содержание оксида алюминия составляет 93 – 96 %, входят такие керамики, как 22XC, ВВX и др. Керамики второй группы применяются преимущественно для подложек толстопленочных ИМС. Шероховатая поверхность керамики способствует повышению адгезии при вжигании проводящих, резистивных и диэлектрических паст толстопленочных микросхем.
Керамические подложки на основе окиси бериллия (брокерит) используют для мощных ГИС, так как они имеют теплопроводность на порядок выше, чем обычные керамики на основе оксида алюминия. Однако при обработке и получении бериллевой керамики выделяется токсичная пыль, поэтому необходимо принимать специальные меры предосторожности, усложняющие производство и ограничивающие применение брокерита.
Подложки из кварца применяются для создания в микросхемах стабильных фильтров, генераторов и других активных элементов на основе пьезоэлектрических свойств.
Металлические подложки – титалановые, алюминиевые, покрытые слоем диэлектрика толщиной в несколько десятки мкм (40 – 60 мкм) или эмалированные стальные. Применяются для изготовления тонкопленочных гибридных ИМС в случаях, когда требуется обеспечить хороший теплоотвод, высокую механическую прочность и жесткость конструкции. Металлические подложки, так же, как и керамические, могут являться элементом корпуса ИМС.
Гибкие подложки из полимерных материалов используются для создания тонкопленочных гибридных ИМС, БИС и микросборок. Наибольшее распространение получили полиимидные пленки толщиной 40 – 50 мкм (до 100 мкм). Полиимид – класс термостойких полимеров, природа молекул которых определяет высокую прочность, химическую стойкость, тугоплавкость. Полиимидная пленка работоспособна при температуре 200 С в течение нескольких лет. Она легко подвергается травлению в концентрированных щелочах, что позволяет создавать в ней сквозные отверстия и получать электрические переходы при формировании многослойной металлической разводки, допускает 2-х стороннюю обработку, вакуумное нанесение пленочных материалов. Имеет малую толщину и массу, высокую ударопрочность и изгибистость. Недостатком является сравнительно высокое влагопоглощение (1 – 3 % за 30 суток), поэтому полиамидная пленка нуждается в технологической сушке и защите.
Подложки из сапфира являются перспективными для применения в различных типах микросхем, как тонкопленочных гибридных, так и полупроводниковых, преимущественно ВЧ и СВЧ – диапазонов. Сапфир представляет собой монокристаллический оксид алюминия. Он обладает весьма малыми диэлектрическими потерями на СВЧ, высокой теплопроводностью, механической прочностью, устойчивостью к воздействию высокой температуры, влаги, излучений. Сапфир хорошо полируется до 14 класса чистоты.
На сапфире возможно осаждение кремния, арсенида галлия и др. с целью создания активных элементов и формирования на подложке микросхем типа «кремний на сапфире». Широкое применение сапфировых подложек ограничивается трудностями его изготовления и высокой стоимостью.
Топология ГИС
Под топологией понимается взаимное размещение и соединение элементов микросхемы. Пример топологии ГИС приведен на рис. 1.
Исходными данными для разработки топологии являются
При разработке топологии учитываются технологические, схематические и конструктивные требования и ограничения.
Правила определения соответствия топологии и схемы электрической принципиальной
Компоненты ГИС
Бескорпусные электрорадиоэлементы и их установка в ГИС
Широкие возможности для микроминиатюризации аппаратуры открывает применение бескорпусных элек трорадиоэлементов и ИС с последующей герметизацией либо всего устройства, либо отдельных его блоков в спе циально сконструированном корпусе. Составными частя ми таких устройств могут быть ГИС частного примене ния, микросборки и микроблоки. Основой микросборок служат поликоровые, ситалловые или керамические коммутационные платы с тонкопленочными или толстопленочными коммутаци онными дорожками, контактными площадками эле ментами и компонентами для установки в ГИС. При использовании в составе микросборок и микроблоков ИС высокой сте пени интеграции и БИС проблема коммутации решается путем использования двух- и трехслойной разводки.
В качестве бескорпусных компонентов ГИС и микро сборок применяют диоды и диодные матрицы, транзисто ры и транзисторные матрицы, полупроводниковые мик росхемы, конденсаторы, наборы прецизионных резисто ров и конденсаторов, выполненные на отдельных платах, трансформаторы. Бескорпусные компоненты могут иметь жесткие и гибкие выводы (рис. 2).
|
г) |
Рис.2. Навесные компоненты: а),б )- с балочными выводами; в )- с жесткими (шариковыми) выводами г)- с гибкими выводами
. Приборы с балочными выводами дороги, но позволяют автоматизировать сборку, контролировать ее качество, увеличивать плотность монтажа. При монтаже кристал лов с балочными выводами резко снижаются механиче ские и тепловые воздействия на компонент. Применение приборов с шарико выми выводами позволяют автоматизировать сборку, увеличивать плотность монтажа, но затрудняет контроль процесса сборки. Недостатком приборов с гибкими выводами является трудность авто матизации процессов их монтажа и сборки в составе ГИС и микросборок. Для устранения этого недостатка используют кристаллы с контактными площадками под разварку выводов термокомпрессионным методом или корпусированные ЭРЭ в корпусах под печатный монтаж. На рис. 3 приведены основные методы установки навесных компонентов.
Рис. 3. Варианты крепления бескорпусных электрорадиоэлементов и присоединения их выводов
Выбор элементной базы микросборок определяется технологическими возможностями производства, обеспе чивающими установку, крепление и пайку прибора на коммутационной плате, а также рядом параметров и критериев, характеризующих его работу в конкретной схеме. Поскольку надежность прибора определяется режимами его работы, надо учесть зависимость электри ческих параметров от условий работы, значений тока напряжения, мощности и т. п.
Способ монтажа компонента на плате должен обеспечить фиксацию положения компонента и его выводов, сохранение его целостности параметров и свойств, а также отвод тепла, сохранение целостности микросборки при термоциклировании, стойкость к вибрациям и ударам, возможность последующей сборки и герметизации микроблока.
ЭРЭ с гибкими и балочными выводами используются стекла с температурой обработки 450 ... 500°С, термо стойкие клеи на неорганической основе, клеи на основе компаундов. Они не должны разрушать за щитное покрытие бескорпусных ЭРЭ. Жидкое стекло наносится в виде небольшой капли, на нее устанавли вается кристалл ЭРЭ, затем производится нагрев в печи или на установке для пайки. Температура отверждения клеевого соединения с использованием эпоксидной смо лы 60 ... 110°С. Толщина клеевого соединения 0,05 ... ... 0,1 мм. Рекомендуется применять эпоксидный клей ВК-9. Крепление приборов может осуществляться с по мощью припоя или эвтектическим сплавом. В этом слу чае место крепления элемента на коммутационной плате нужно металлизировать. Крепление элементов с шариковыми выводами к контактным площадкам мик росборки производится в защитной атмосфере аргона, азота или гелия с применением припоя. Применение ультразвука позволяет улучшить качество сборки.
Соединение выводов ЭРЭ с контактными площадка: ми микросборки, а также операция крепления выводов ГИС к ножкам корпуса проводится одним из многочис ленных разработанных способов сварки: термокомпрес сией, сдвоенным электродом, с применением ультразву ковых колебаний (25 ... 50 кГц) и т. д. Для соединения активных компонентов с пленочным монтажом применя ется также пайка низкотемпературными припоями; остат ки флюса на месте пайки должны обладать изоляцион ными свойствами, не вызывать коррозии и не должны быть гигроскопичными. Резисторы и конденсаторы с лу жеными контактными поверхностями присоединяются либо пайкой, либо с помощью контактола К13-А.
Бескорпусные компоненты следует размещать на коммутационной плате с учетом рационального исполь зования площади платы и объема микроблока, обеспе чения минимизации длины проводников и их пересече ний при соблюдении определяющихся возможностями технологии зазоров между бескорпусными ЭРЭ, контакт ными площадками и коммутационными проводниками.
Минимальный размер контактных площадок зависит от технологии изготовления коммутационной платы (тон копленочная или толстопленочная технология), диамет ра вывода бескорпусного ЭРЭ.
Вопросы для самоконтроля
ЛИТЕРАТУРА
ЛАБОРАТОРНОЕ ЗАДАНИЕ
Домашнее задание
Работа в лаборатории
Аппаратура
Для выполнения работы, используется следующая аппаратура:
Лабораторный макет, состоящий из кассеты с образцами, микроскопа с фотоаппаратом или передающей камеры и компьютера.
Номер кассеты состоит из двух групп цифр: 1-ая цифра в 1-ой группе цифр обозначает номер лабораторной работы, 2-ая цифра обозначает номер кассеты в данной лабораторной работе; вторая группа обозначает номер варианта.
Внимание!
Пластины с образцами очень хрупки. После рассмотрения пластин сразу же ставьте их в кассету.
При выполнении лабораторной работы недопустимо касаться поверхности микросхем и касет. О замеченных неисправностях необходимо сообщить преподавателю.
Порядок выполнения работы
В кассете представлены образцы подложек с номерами от01 до 05;
01 – ситалл (СТ 38-1);
02 – поликор;
03 – керамика;
04 – металлическая (титалан);
05 – полиимид.
Запомните характерные признаки внешнего вида подложек (матовая или зеркальная поверхность, цвет).
Укажите область применения подложек, параметров и характеристики подложек, определяющие их применение (, tg, ТКЛР, ).
Необходимые данные по параметрам см. в табл. 1.
Результаты анализа занесите в форму таблицы 1 приложения.
Внимательно рассмотрите каждую микросхему.
Определите тип микросхемы – пленочная или гибридная, тонко- или толстопленочная.
По обозначению ИМС определите номер серии. Функциональное назначение ИМС приведено в табл. 2.
Из справочника по микросхемам найдите схему электрическую принцииальную.
С помощью микроскопа со встроенной камерой снимите изображение на компьютер (инструкция по пользованию камерой находится в компьютере).
Перенести изображение в CREL DRAW и указать номера элементов, способы их крепления и определить соответствие схемы электрической принципиальной и изображения топологии.
Таблица 2
Функциональное назначение ИМС
|
Обозначение микросхемы |
Выполняемая функция |
Общее количество элементов |
Размеры подложки, мм |
Размеры корпуса, мм |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
|
ЧИМ-1-012-С ЧИМ-6-12.100М-В ЧИМ-1-009-У,010У ЧИМ-7-22,910М-36 ЧИМ-1-013-У ЧИМ-1-14УВ ЧИМ-1-15-В |
Частотно-импульсный Модулятор |
49 64 56 66 56 56 63 |
3220 |
3929 |
|
230ИК1 |
Цифровое устройство комбинированное |
30 |
3423 |
3624 |
|
221ЛР1 |
Логический эл-т И-ИЛИ-НЕ |
19 |
169 |
16,29,2 |
|
218АГ1 |
Формирователь прямоугольных импульсов |
19 |
168 |
19,514,5 |
|
218ТК1 |
Триггер с комбинированным запуском |
26 |
168 |
19,514,5 |
|
МЦ-Э-081-001 ВУ |
Видеоусилитель |
20 |
2116 |
3020 |
|
МЦ-Э-027 ГУ |
Генератор универсальный |
20 |
2216 |
3020 |
|
МЦ-Э-081-002 ОП |
Ограничитель поднесущей |
41 |
2216 |
3020 |
|
МЦ-Э-081-007 МЗ |
Модулятор звуковой |
32 |
2216 |
3020 |
|
МЦ-Э-081-008 УЧ |
Усилитель |
41 |
2216 |
3020 |
|
МЦ-Э-081-660 ЧД |
Частотный детектор |
69 |
2216 |
3020 |
Содержание отчета
PAGE 8