Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
Московский государственный технический
университет им. Н.Э. Баумана
Калужский филиал
«Моделирование МДП - структуры».
Методические указания к выполнению лабораторной работы по курсу «Твёрдотельная электроника»
2005 г
УДК 621.382
Данные методические указания издаются в соответствии с учебным планом специальности 210104
Указания рассмотрены и одобрены:
кафедрой «Материаловедение»
Протокол №_________ от _______________
Зав. кафедрой профессор __________________ В. Г. Косушкин
Методической комиссией КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана
Протокол №__________от ______________
Председатель методической
комиссии _________________ А. В. Максимов
Рецензент ___________________ к.т.н., доц. И.В. Чухраев
Автор: ст. преподаватель ________________ Ю.П. Головатый
Аннотация.
В настоящей лабораторной работе методом компьютерного моделирования измеряется зависимость поверхностного потенциала МДП структуры от толщины диэлектрика и уровня легирования полупроводника.
© - Калужский филиал МГТУ им Н. Н. Э. Баумана,2004 г.
© - Головатый Ю.П.
Содержание
1. Цель работы.
.
Цель работы - рассчитать и построить график зависимости поверхностного потенциала МДП – структуры для ряда значений толщины диэлектрика и уровня легирования полупроводника .
2. Необходимое оборудование.
Персональный компьютер с программой MathCAD.
3. Порядок выполнения работы.
3.1. Изучить теоретический материал по методическому пособию.
3.2. Рассчитать поверхностный потенциал МДП - структуры из уравнения
где , , ,
d - толщина диэлектрика,
- концентрация акцепторов в кремнии p-типа,
,
- собственная концентрация носителей.
Задавая от до , построить зависимость для ряда значений d из интервала .
3.3. Распределение потенциала в ОПЗ описывается уравнением
, , - расстояние о границы раздела диэлектрик – полупроводник вглубь полупроводника.
3.3.1. Построить сначала обратную зависимость
численным интегрированием.
3.3.2. Их уравнения найти с помощью функции root зависимость потенциала от координаты и построить её график при тех же значениях и d, что и в п. 3.2.
3.4. Сделать выводы по результатам работы.
6. Требования к отчету
Отчет о лабораторной работе должен содержать:
- расчётный график зависимости ;
- расчётный график зависимости ;
- расчётный график зависимости ;
- выводы по работе.
1. Ю.П. Головатый, Твёрдотельная электроника. Методическое пособие, Калуга, 2005.
2. С. Зи, Физика полупроводниковых приборов, М., “Наука, 1984.