Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ РФ
Дальневосточный Федеральный Университет
Кафедра «Радио, телевидения и связи»
КУРСОВАЯ РАБОТА
на тему: «Расчёт статических характеристик и параметров биполярных транзисторов»
по дисциплине « Физические основы электроники»
Выполнил: студент
группы Б-3217
Шостак В.С.
Проверил: преподаватель:
Галочкин Ю.И.
Владивосток
2013 г.
Цель работы: получение начальных навыков расчета статистических характеристик биполярных транзисторов (БПТ) с использованием наиболее распространенных в инженерной практике их математических моделей, определение по этим характеристикам основных параметров БПТ, изучение влияния на наиболее важные параметры транзисторов температуры и режимов работы, ознакомление с параметрами реальных транзисторов.
Биполярным транзистором называют полупроводниковый прибор с
двумя взаимодействующими p-n переходами и тремя или более выводами.
Полупроводниковый кристалл такого транзистора состоит из трех
различных областей с чередующимися типами электропроводности, между
которыми находятся два p-n перехода, расположенных в непосредственной
близости один от другого. В зависимости от порядка расположения трех
областей в полупроводниковом кристалле различают транзисторы n-p-n и
p-n-p типов. Их упрощенные структуры и условные обозначения показаны
на рис.1,а,б. Центральную область кристалла называют базой (Б), а
наружные области - соответственно эмиттером (Э) и коллектором (К). P-n
переход между эмиттером и базой называют эмиттерным, а p-n переход
между коллектором и базой - коллекторным. Часть поверхностей эмиттера,
базы и коллектора покрывают металлическими пленками. К этим пленкам
приваривают или припаивают выводы, с помощью которых на переходы
транзистора подается внешнее напряжение.
Рис. 1. Структуры и схемное обозначение p-n-p и n-p-n транзисторов.
Вариант 16
Исходные данные:
N1=1, N2=6
|
Предельное значение тока коллектора Ik max, мА |
Ток насыщения, Is , Is ·10-8 , А |
Коэффициент неидеальности эмиттерного перехода m1 |
Коэффициент плавности коллекторного перехода m2 |
|
200 |
82 |
3 |
3,1 |
|
Номинальная температура t °C |
Минимальная температура t °C |
Максимальная температура t °C |
Сопротивление области коллектора rkk , кОм |
|
+25 |
-60 |
+85 |
2,5 |
|
Прямой коэффициент передачи тока базы βN=40·N2 |
Инверсный коэффициент передачи тока базы βI=N2+N1 |
|
240 |
7 |
Входные характеристики определяются выражением:
Построение выполняем с помощью программы MathCAD Professional:
Для номинальной температуры:
Для минимальной температуры:
Рассчитаем h-параметры: