Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
«Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н.Ельцина»
Физико-технологический институт
Кафедра экспериментальной физики
Расчет и проектирование электронных систем
Методические указания к курсовой работе
Екатеринбург
2012
УДК 541/543
Составитель доц. Н.Ф. Школа
Научный редактор доц., к.ф.м.н. А.Ф. Кокорин
Расчет и проектирование электронных систем. Методические указания к курсовой работе / Н.Ф. Школа. – Екатеринбург: УрФУ, 2012.– 22с.
Методические указания по выполнению курсовой работы предназначены для формирования у обучающихся знаний и умений по технологии проектирования с применением современных САПР электронных схем сопряжения устройств обработки с сенсорами физических величин и исполнительными устройствами измерительных систем, схем электронных устройств измерительных медицинских приборов, микроэлектронных систем установок и систем для научных исследований.
Библиогр.: назв. Рис..
Методическое пособие содержит указания для студентов при выполнении ими курсовой работы по курсу «Расчет и проектирование электронных систем».
Целью выполнения курсовой работы является закрепление теоретических знаний в области усиления и обработки сигналов датчиков в измерительных системах, приобретения навыков по проектированию схем электронных приборов.
Студенты должны выработать умение выбирать схемотехнические решения построения узлов и блоков, умение применять методики анализа синтезированных усилительных и преобразовательных схем. Закрепить навыки работы с технической литературой, справочниками и ГОСТами, научиться рациональной последовательности действий при выполнении проекта.
Курсовая работа – это учебный документ, выполняемый студентами по учебному плану на промежуточных этапах обучения. Выполнение курсовой работы является одним из видов самостоятельной работы студентов.
Выполнение курсовой работы имеет целью:
•систематизацию и закреплению теоретических и практических знаний студентов по отдельным дисциплинам, помогает на практике применить полученные теоретические знания при проектировании цифровых контрольно-измерительных и управляющих систем, а также систем сбора и обработки информации;
•развитие навыков самостоятельной работы, проверка способности студента самостоятельно, творчески применять на практике теоретические знания, полученные при изучении базовых дисциплин;
•освоение технологий проектных и научных работ;
•обучение методам выбора и обоснования технических решений, приобретение необходимых навыков и умений в проектировании контрольно-измерительных и управляющих устройств на цифровых схемах;
•изучение современных стандартов, систем автоматизированного проектирования и подготовки конструкторской документации.
В процессе выполнения курсовой работы студенты приобретают навыки по составлению заданий процедур, назначения операций и доведения поставленной задачи до конкретного схемного технического решения. Для этого необходимо освоить теоретический материал и проявить творческую инициативу в подборе и изучении специальной литературы.
Курсовая работа является самостоятельной работой студента. К ее выполнению необходимо отнестись с особым вниманием и тщательностью.
Курсовая работа выполняется по индивидуальным заданиям, которые выдаются преподавателем. Исходные данные для курсовой работы могут быть заданы в виде таблицы вариантов. Распределение вариантов заданий на курсовую работу между студентами определяется распоряжением по кафедре.
Тематика курсовой работы, как правило, связана с проектированием усилительных схем дифференциального типа. Также задание на курсовую работу может быть связано с научными или производственными интересами студента, лежащими в русле изучаемой дисциплины. В этом случае функциональное назначение и схемное исполнение определяются индивидуально.
В качестве типовых тем курсовой работы предложены разработать по индивидуальному заданию
Образцы тем представлены в приложении 1-3.
Изучить техническую литературу на типовые аналоги проектируемого прибора, ознакомиться с функциональными возможностями и принципом реализации отдельных блоков электронного осциллографа.
Провести анализ требований ТЗ на курсовое проектирование (приложение Б), выделив следующие моменты:
1. оценить полноту исходных данных для проектирования усилителя, задать недостающие для расчета требования исходя из его особенностей и назначения;
2. определить важнейшие требования ТЗ для разработки структурной схемы прибора;
3. уяснить, какие параметры являются наиболее трудно реализуемыми или реализуемыми на компромиссной основе (противоречивые параметры) и какими особенностями должна обладать схема прибора;
4. уяснить, какие справочные материалы потребуются для проектирования.
Техническое задание на проектирование устройства с типовым названием отличается исходными данными в вариантах.
Для темы "Усилитель вертикального отклонения с ЭЛТ", состав исходных данных следующий:
1. Uвых определяется нагрузкой, т.е. ЭЛО:
Uвых = h/SY,
где h - размер изображения в мм.
2. Ко = Uвых max / Uвх min.
3. Допустимыми для прямоугольного и экспоненциального импульса считать искажения, не превышающие:
tф 0.1 t и min , 1% , ( 1 3)% , н / tи max .
4. Время нарастания :
tф 0,35 / fв.
5. Верхняя граничная частота для непрямоугольного импульса определяется из энергетического критерия (если не сформулированы дополнительные требования к форме импульса):
fв ( fв t и )/ t и min ,
Оконечный каскад УВО нагружен на вертикально-отклоняющие пластины ЭЛТ и создает в нагрузке симметричное парафазное отклоняющее напряжение с целью уменьшить его влияние на условия фокусировки луча на экране ЭЛТ. ОК выполняют по дифференциальной схеме с противоречивыми требованиями обеспечить широкую полосу и большую амплитуду импульсов на емкостной нагрузке. Всегда рассматривают возможность выполнения выходного ОК на операционных усилителях. Коэффициент усиления ОК задают максимально возможным для исключения режима большого сигнала предоконечного каскада УВО и снижения тем самым уровня нелинейных искажений, вносимых УВО. Для уменьшения нелинейных искажений ОК стремятся расширить линейный диапазон выходных напряжений (1,5-кратный запас) и используют местную отрицательную обратную связь ООС. Режим большого сигнала накладывает требования по обеспечению теплового режима активных элементов ДК. При использовании непосредственных связей в схему вводят регулировку смещения луча ЭЛТ (регулировку постоянного выходного напряжения ОК). При емкостной межкаскадной связи для смещения луча применяют балансную схему, задающую напряжение смещения на пластины ЭЛТ и являющуюся резистивной нагрузкой ОК.
1. РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Расчет параметров биполярных транзисторов проводится на основе эквивалентной малосигнальной П-образной схемы [3] биполярного транзистора, приведенной на рис.1.
Рис.1. Эквивалентная схема транзистора в каскаде ОЭ
Малосигнальные (справочные) параметры биполярного транзистора:
коэффициент передачи тока базы
модуль коэффициента передачи тока базы на частоте измерения fm
постоянная цепи обратной связи транзистора
емкость коллекторного перехода
Транзистор в схеме включения ОЭ характеризуют следующие параметры:
1.1.Входное сопротивление.
, (1-1)
где:
rb - объемное сопротивление базы,
rbe - сопротивление внутренняя база - эмиттер,
re - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода.
Сопротивления базы и эмиттера рассчитываются по формулам:
, (1-2)
, (1-3)
где - температурный потенциал,
Iep- ток эмиттера в рабочей точке.
, (1-4)
где - температура перехода в .
1.2.Крутизна прямой передаточной характеристики транзистора.
1.2.1. Внутренняя (физическая) крутизна транзистора.
, (1-5)
где Ikp- ток коллектора в рабочей точке.
1.2.2. Крутизна транзистора в заданной рабочей точке.
. (1-6)
1.3. Внутреннее сопротивление и проводимость транзистора в схеме ОЭ.
1.3.1.Внутреннее сопротивление транзистора ОЭ при управлении от идеального источника напряжения (внутреннее сопротивление источника Rg = 0):
, (1-7)
, (1-8)
, (1-9)
где Ua - напряжение Эрли, зависящее от проводимости транзистора,
r*k- сопротивление коллекторного перехода в схеме ОЭ при питании базы от источника тока(),
rk- сопротивление коллекторного перехода в схеме ОБ.
1.3.2.Внутренняя проводимость транзистора в каскаде ОЭ при управлении от источника напряжения с ненулевым внутренним сопротивлением().
, (1-10)
где Rg - внутреннее сопротивление источника сигнала.
Если в схеме присутствует делитель напряжения в цепи базы, то в выражении (1-10) и в других, содержащих Rg, необходимо учесть его шунтирующее действие заменой Rg на Rbg
. (1-11)
1.3.3.Внутренняя проводимость каскада ОЭ с сопротивлением ООС в цепи эмиттера.
. (1-12)
1.4. Емкость коллекторного перехода транзистора в рабочей точке.
, (1-13)
где - справочные значения,
,- значения в рабочей точке.
1.5. Характеристические частоты транзистора
1.5.1. Частота единичного усиления транзистора.
(1-14)
1.5.2. Граничная частота коэффициента передачи тока базы:
, (1-15)
, (1-16)
где Cbe - диффузионная емкость эмиттера.
1.5.3.Граничная частота коэффициента передачи тока эмиттера:
. (1-17)
1.5.4.Граничная частота крутизны транзистора:
, (1-18)
. (1-19)
1.6.Диффузионная емкость эмиттера:
. (1-20)
2. УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД ОЭ
Свойства усилительного каскада ОЭ определяются в значительной мере сопротивлением источника сигнала и эмиттерной цепью ООС. Эквивалентная схема каскада ОЭ приведена на рис.2.
Рис. 2. Эквивалентная схема каскада ОЭ с эмиттерной цепью для верхних частот
2.1.Каскад ОЭ без местной ООС (сопротивление эмиттерной цепи ).
2.1.1.Коэффициент усиления каскада в области с.ч..
; (2-1)
; (2-2)
, (2-3)
; (2-4)
, (2-5)
где Rkl - эквивалентное сопротивление коллекторной цепи транзистора,
Rk- сопротивление коллекторной нагрузки,
Rl - сопротивление нагрузки.
Если в схеме каскада присутствует делитель в цепи базы сопротивлением Rb, то следует коэффициент усиления рассчитывать по формуле:
, (2-6)
а вместо Rg во всех выражениях использовать Rbg согласно (1-11).
2.1.2.Постоянная времени в области в.ч. и верхняя граничная частота каскада ОЭ.
; (2-7)
, (2-8)
где - эквивалентная входная динамическая емкость каскада ОЭ,
- эквивалентное сопротивление, шунтирующее Co .
Величины и задаются выражениями:
, (2-9)
. (2-10)
Если каскад ОЭ нагружен на емкость , то в выражениях следует заменить Ck на Ckl в соответствии с выражением :
. (2-12)
2.2.Каскад ОЭ с местной ООС по току (), корректирующая емкость
в эмиттере отсутствует ().
2.2.1. Коэффициент усиления каскада в области с.ч..
(2-13)
, (2-14)
где F - фактор обратной связи.
2.2.2. Постоянная времени каскада с местной ООС в области в.ч..
(,).
=
= (2-15)
2.2.3 Входное сопротивление каскада с местной ООС без учета шунтирующего действия делителя в цепи базы.
. (2-16)
2.2.4. Входная емкость каскада с местной ООС .
(2-17)
2.3. Каскад с местной ООС по току и корректирующей емкостью в цепи эмиттера .
2.3.1. Коэффициент усиления каскада по п.2.2.1.
2.3.2. Постоянная времени каскада в области в.ч. при условии
компенсации полюса нулем .
(2-18)
Величина корректирующей емкости при условии P=Z равна
. (2-19)
3. РАСЧЕТ ВЫХОДНОГО (ОКОНЕЧНОГО) ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО КАСКАДА С ЭМИТТЕРНОЙ КОРРЕКЦИЕЙ
а) б)
Рис.3. Схема дифференциального каскада
с эмиттерной цепью типа "звезда" а) и "треугольник" б)
1. Определить выходные напряжения дифференциального каскада (рис.3.).
1.1. Максимальное отклоняющее напряжение - выходное напряжение, отклоняющее луч по оси Y в пределах рабочей части экрана электронно-лучевой трубки ЭЛТ:
, (3-1)
где:
- высота рабочей части экрана ЭЛТ,
- чувствительность вертикально-отклоняющих пластин ЭЛТ.
Напряжение является максимальной амплитудой выходного дифференциального сигнала оконечного ДК.
1.2. Выходное напряжение с плеча оконечного ДК - максимальная амплитуда сигнала с одного плеча ДК:
. (3-2)
1.3. Максимальное напряжение одного плеча ДК - напряжение линейного диапазона одного плеча ДК:
(3-3)
2.Выбрать предварительно транзистор из числа в.ч.- транзисторов средней и большой мощности с минимальным значением по следующим условиям:
, (3-4)
, (3-5)
где - заданное время нарастания оконечного ДК.
3. Определить изменение коллекторного тока и оценить коллекторную
нагрузку Rk по условиям:
, (3-6)
. (3-7)
4. Вычислить емкость нагрузки плеча ДК по формуле:
Сн = 2Спл + Cвз+ Cм ,
где Спл - емкость Y-пластин,
Cвз - емкость взаимосвязи Y-пластины с остальными,
Cм - монтажная емкость.
5.Задать рабочую точку транзистора.
5.1 Ток коллектора Ikp в рабочей точке (симметричной для плеч ДК) исходя из условия
. (3-8)
5.2. Напряжение коллектор-эмиттер Ukep в рабочей точке:
6. Определить напряжение E*k=1,5 Ukep между шиной питания и эмиттером транзистора:
(3-9)
7. Рассчитать параметры транзистора для заданной р.т.
8. Выбрать сопротивление источника сигнала Rg из условия:
, (3-10)
где Rkg - сопротивление коллекторной нагрузки предыдущего каскада.
9. Проверить правильность выбора транзистора и коллекторной нагрузки для оконечного каскада по условию обеспечения заданной верхней граничной частоты (заданного времени нарастания tнОКзад ПХ ):
. (3-11)
10. Выбрать эмиттерное сопротивление Re цепи коррекции из условия отсутствия выброса на ПХ оконечного каскада в апериодическом режиме:
, (3-12)
а также с учетом коэффициента усиления, который приближенно может быть вычислен по формуле:
. (3-13)
11. Определить емкость Ce цепи коррекции по условию (2-19).
12. Определить постоянную времени каскада в области в.ч. для режима компенсации полюса нулем по условию (2-18) и рассчитать время нарастания ПХ и верхнюю граничную частоту каскада.
Если рассчитанное время нарастания меньше требуемого, то можно увеличить сопротивление Rk и работать с меньшим значением коллекторного тока. После увеличения Rk расчет провести заново.
Если рассчитанное время нарастания окажется больше заданного, то выбирают транзистор с большим допустимым током коллектора (с целью снизить Rk) или с меньшей емкостью Ck и расчет проводят заново.
13. Вычислить точное значение коэффициента усиления в области с.ч. по формуле (2-13).
14. Рассчитать каскад по постоянному току.
14.1. Рассчитать режимное сопротивление эмиттерной цепи Rреж:
14.1.1. Задать допустимое изменение коллекторного тока в р.т. от температуры и выбрать значение коэффициента температурной нестабильности Ni из диапазона Ni = 2...7.
14.1.2.Расчитать приращения напряжения база-эмиттер Ube, коэффициента передачи тока базы и теплового тока коллекторного перехода IkT при изменении температуры окружающей среды в заданном по ТЗ температурном диапазоне:
, (3-14)
где температурный коэффициент , а рассчитывается по (1-4);
, (3-15)
где ;
, (3-16)
. (3-17)
14.1.3.Расчитать полное сопротивление эмиттерной цепи, необходимое для получения требуемой температурной стабильности:
, (3-18)
где Rbo - внешнее сопротивление цепи базы по постоянному току.
14.1.4.Расчитать чувствительность схемы :
. (3-19)
14.1.5.Проверить выполнение условия:
. (3-20)
Если условие (3-20) не выполняется, то необходимо задать меньшее значение Ni и повторить расчет.
14.1.6.Для симметричного ДК выбрать режимное сопротивление:
. (3-21)
14.1.7 При необходимости преобразовать звезду в треугольник по следующим формулам:
, (3-22)
, (3-23)
. (3-24)
14.2. Выбрать напряжение источника питания оконечного ДК:
(3-25)
14.3. Проверить условия обеспечения теплового режима транзистора:
, (3-26)
где P kmax- максимальная мощность, рассеиваемая транзистором при максимальной по ТЗ температуре окружающей среды:
. (3-27)
Pkдоп- максимально-допустимая мощность для температуры Tco.
Если условие (3-26) не выполняется, то необходимо для выбранного
транзистора использовать теплоотвод.
14.5. Для каскадов с резистивно-емкостными связями провести расчет делителя напряжения в цепи базы.
(3-28)
(3-29)
, (3-30)
где Ibp и Ubep - режимные параметры транзистора в р.т.
Проверить условия:
, (3-31)
. (3-32)
15. Определить входной импеданс ДК.
15.1. Рассчитать входное сопротивление ДК по выражению (2-16).
15.2. Рассчитать входную емкость ДК по выражению (2-17).
16. Рассчитать низкочастотные параметры каскада по выражениям:
, (3-33)
, (3-34)
, (3-35)
, (3-36)
Проверить выполнение условия:
. (3-37)
17.Рассчитать режимные параметры элементов каскада:
- мощность резисторов;
- рабочие напряжения конденсаторов;
- ток потребления от источника питания.
После расчетов необходимо:
Все этапы проектирования должны быть отражены в пояснительной записке.
Пример задания на моделирование
Выполнить моделирование параметрической настройки схемы двухкаскадного дифференциального усилителя с целью получения максимальной верхней граничной частоты. Построить на всех этапах моделирования графики АЧХ: исходную, промежуточную и итоговую. Привести по итогам настройки временной график выходного напряжения двухкаскадного дифференциального усилителя для входного сигнала прямоугольной формы. Методика настройки изложена в методических указаниях к лабораторной работе №4 "Исследование характеристик транзисторных усилительных схем на дифференциальных каскадах средствами системы Micro-CAP", пункт 2. В схему рис.4 внести изменения согласно заданному варианту.
Определить максимальную линейную амплитуду для заданного значения коэффициента гармонических искажений усилителя Кг. Методика настройки изложена в методических указаниях к лабораторной работе №4 "Исследование характеристик транзисторных усилительных схем на дифференциальных каскадах средствами системы Micro-CAP", пункт 1.
Рис.4 Схема двухкаскадного дифференциального усилителя
В процессе проектирования необходимо:
Все этапы проектирования должны быть отражены в пояснительной записке.
Пример задания
«Схемотехническое моделирование электронной схемы предварительного усилителя электроэнцефалографического сигнала в среде Micro-Cap 9»
В электроэнцефалографах в первых каскадах усиления используют дифференциальные усилители (предусилитель). Данный усилитель характеризуется большим коэффициентом усиления, позволяющим усиливать биоэлектрическую активность, измеряемую долями микровольт, до десятков вольт; большим коэффициентом ослабления синфазного сигнала (КОСС), позволяющим противодействовать электрическим помехам в виде электромагнитных наводок. Также необходимо обеспечить относительно стабильные во времени значения сопротивления между электродом и кожей головы (порядка 10 кОм).
Такие усилители применяются в процессе измерений, они обеспечивают точную передачу электрического сигнала в заданном масштабе. Схема проектируемого предварительного усилителя ориентирована на широкое применение в различной медицинской аппаратуре.
Схема усилителя биопотенциалов (рис.5) создана в графическом редакторе MICRO-CAP 9.
Рис. 5 Принципиальная схема усилителя биопотенциалов
В процессе проектирования необходимо выполнить следующие виды процедур:
Все этапы проектирования должны быть отражены в пояснительной записке.
В состав курсовой работы входят текстовые и графиче ские документы, а также может входить справочная документация. Правила оформления курсовых работ (проектов) есть в стандарте предприятия СТП УПИ 1-96. Стандарт предприятия опирается на государственные стандарты Российской Федерации. На текущий момент времени это основные стандарты: ГОСТ 2.105-95, ГОСТ 6.30-97 и ГОСТ 7.32-2001. Конкретизация специфики оформ ления учебной документации по профилю обучения содержится в ме тодических рекомендациях по оформлению курсовых и дипломных работ [4,5]. Методические рекомендации не подменяют действующих государственных стандартов Российской Федерации, которые обяза тельны для изучения и играют главенствующую роль.
Законченная курсовая работа состоит из расчетно-пояснительной записки и графического материала, которые должны в совокупности давать достаточно полное представление о разрабатываемом устрой стве, основных принципах его работы, о схемотехнических решениях, положенных в основу разработки схем узлов и т.д.
Студент несет ответственность за правильность вычислений, рабо тоспособность схемных решений, качество оформления расчетно-пояснительной записки и графических материалов, за своевременное выполнение работы и представление ее к защите.
Ниже приводится более подробное описание основных разделов курсовой работы.
Расчетно-пояснительная записка является основным документом, представляемым к защите. Качество ее оценивается полнотой, точно стью и логикой изложения, а также аккуратностью и правильностью заполнения составляющих частей: текста, рисунков, таблиц и библио графического списка.
Объем записки составляет 20-30 страниц стандартного формата A4 (210×297 мм2), включая схемы, иллюстрации, справочный материал. В отдельных слу чаях допускается использование большего объема записки и графики большего формата. По краям листа оставляются поля: слева - 25 мм, справа - 10 мм, сверху и снизу - по 20 мм.
Все страницы записки, в том числе - с графиками, рисунками и т.п., нумеруются и переплетаются в единую папку.
Схемы, диаграммы, рисунки и другие иллюстративные материалы выполняются на отдельных листах миллиметровки единообразно по всей работе, с указанием номера рисунка и подрисуночной подписью; все формулы следует пронумеровать.
Расчетно-пояснительная записка в общем случае может состоять из следующих частей.
В ходе выполнения курсовой работы руководитель делает отметки на бланке о выполнении этапов и его завершении, а по окончании защиты комиссия проста вляет оценку. Без правильно заполненного бланка задания и отметки о ее завершении работа к защите не допускается.
Состав разделов расчетно-пояснительной записки для конкретно го задания уточняется во время консультации с преподавателем.
Графическая часть курсовой работы выполняется обычно на ли стах формата A3. Допускается оформление графических материалов карандашом, но с обязательным исполь зованием необходимых чертежных инструментов. Условные обозна чения, шрифты и масштабы чертежа должны соответствовать требо ваниям Единой системы конструкторской документации ЕСКД. До пускается использование специализированных компьютерных паке тов разработки и оформления конструкторской документации, таких как, например Autocad и P-CAD.
Рекомендуются следующие минимальные нормы представления гра фических материалов:
принципиальная электрическая схема - 1 лист,
перечень элементов к принципиальной электрической схеме УВО – 1-2 листа.
Перечень графического материала задан в объеме, предусматри вающем обучение студента оформлению технической документации.
Вся работа студента при выполнении курсовой работы выполня ется под контролем руководителя, который обеспечивает:
За содержание и форму работы, за ее качество ответственность несет исполнитель - студент.
Устанавливаются шесть контролируемых рубежей выполнения курсовой работы в соответствии с планом-графиком, приведенном в задании на курсовое проектирование.
Объем выполнения первых пяти этапов включает все расчетные работы, работы по моделированию схем в среде и контролируется преподавателем.
К шестому рубежному контролю синтетическая часть проекта должна быть законче на. Спроектированную схему УВО следует испытать в лаборатории ИЭ и САПР в среде моделирования MicroCAP и продемонстрировать работу руководите лю. После одобрения руководителя вся документация должна быть оформлена и предъявлена преподавателю на проверку.
Готовность курсовой работы определяется руководителем и подтверждается его подписью на расчетно-пояснительной записке и графическом матери але. После этого все документы проходят кафедральный нормоконтроль.
Курсовая работа считается готовой, если выполнены все пункты, предусмотренные заданием, документы прошли нормоконтроль, что подтверждается подписями студента, нормоконтролера и преподавателя.
Все материалы курсовой работы после установления её готовно сти представляются комиссии, назначаемой кафедрой, и защищаются студентом в установленные распоряжением сроки работы комиссии.
Защита работы производится ин дивидуально каждым студентом на заседании комиссии, назначаемой заведующим кафедрой. На изложение основного содержания работы студенту дается около 5 мин, доклад иллюстрируется графическим материалом. Оценка работы - дифференцированный зачет (зачет с оценкой).
По резуль татам выполнения работы и защиты выставляется оценка с учетом:
1) объема и качества выполнения работы, оригинальности и самостоятельности решений;
В процессе защиты студенту могут быть заданы разнообразные вопросы по содержанию работы, по теоретической ее части, по схемотехнике отдельных узлов.
Комиссия оценивает работу по ее качеству и уровню защиты и проставляет оценку на титульном листе работы и в зачетной книж ке студента. При получении неудовлетворительной оценки студент защищает курсовую работу повторно. Повторная защита с целью по лучения повышенной оценки как правило не допускается. В исключи тельных случаях по разрешению заведующего кафедрой студент мо жет получить новое задание и выполнить курсовую работу заново с последующей ее защитой.
По завершению защиты расчетно-пояснительная записка и графи ческие материалы остаются для хранения на кафедре.
[1] УМК_«Конструирование проектирование и технология автоматических электронных и микроэлектронных систем физических установок и автоматизированных систем для научных исследований» [Электронный ресурс]: - Электрон.дан. и программ. - Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2011.–1 электрон. оптич. диск (CD-ROM)
[2] УМК _Аналоговая схемотехника [Электронный ресурс]: - Электрон.дан. и программ. - Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2011.–1 электрон. оптич. диск (CD-ROM)
[3] УМК _САПР [Электронный ресурс]: - Электрон.дан. и программ. - Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2011.–1 электрон. оптич. диск (CD-ROM)
[4] Кичигин В.Н. Оформление курсовых и дипломных проектов: ме тодические указания для студентов технических специальностей /В.Н. Кичигин, И.Е. Мясников, С.И. Тимошенко. - Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2005. - 80 с.
[5] Общие требования к содержанию и оформлению дипломных и курсовых проектов: методические указания для студентов дневной формы обучения физико-технического факультета /Е.Г. Новиков. – Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2002. 40с.
ПРИЛОЖЕНИЕ 1
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ ПО ТЕМЕ 1
|
№ п/п |
Форма входного импульса |
Полярность вход. импульса |
Диапазон амплитуд вход. имп.,В |
Длительность вход. имп.,мкс |
Скважность,не менее |
Тип ЭЛТ |
Сопротивление источн. Сигнала, Ом |
Диапазон температур, С |
|
|
прямоугольный |
положительн. |
0.01-50 |
0.25-200 |
5 |
11ЛО5И |
50 |
10-50 |
|
|
прямоугольный |
положительн. отрицательн. |
0.02-50 |
0.55-2000 |
5 |
13ЛО3И |
50 |
10-35 |
|
|
прямоугольный |
отрицательн. |
0.05-20 |
0.35-500 |
5 |
13ЛО9И |
50 |
0-60 |
|
|
прямоугольный |
отрицательн. |
0.02-20 |
0.55-500 |
5 |
11ЛО5И |
50 |
0-50 |
|
|
треугольный |
положительн. |
0.05-20 |
0.55-100 |
5 |
8ЛО4И |
100 |
10-50 |
|
|
треугольный |
положительн. |
0.05-20 |
0.55-100 |
5 |
11ЛО3И |
100 |
10-50 |
|
|
треугольный |
отрицательн. |
0.02-50 |
0.25-100 |
5 |
13ЛО3И |
100 |
10-50 |
|
|
треугольный |
отрицательн. |
0.02-50 |
0.25-100 |
5 |
11ЛО5И |
100 |
0-50 |
|
|
экспоненциальный |
положительн. отрицательн. |
0.01-50 |
0.55-100 |
5 |
8ЛО6И |
50 |
0-60 |
|
|
экспоненциальный |
положительн. |
0.05-20 |
0.35-50.0 |
5 |
8ЛО4И |
50 |
0-50 |
|
|
экспоненциальный |
отрицательн. |
0.03-50 |
0.45-100.0 |
5 |
11ЛО3И |
50 |
0-60 |
|
|
экспоненциальный |
положительн. |
0.01-50 |
0.25-50.0 |
5 |
11ЛО101И |
50 |
0-50 |
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ ПО ТЕМЕ 2
|
№ задания |
R9, кОм |
R10, кОм |
R13, кОм |
С3, пФ |
Кг, % |
ФИО студента |
|
|
1,1 |
1,1 |
1,1 |
50 |
2 |
|
|
|
1,1 |
1,1 |
1,1 |
60 |
2 |
|
|
|
1,2 |
1,2 |
1,2 |
50 |
2 |
|
|
|
1,2 |
1,2 |
1,2 |
60 |
2 |
|
|
|
1,3 |
1,3 |
1,3 |
50 |
5 |
|
|
|
1,3 |
1,3 |
1,3 |
60 |
5 |
|
|
|
1,5 |
1,5 |
1,5 |
30 |
1 |
|
|
|
1,5 |
1,5 |
1,5 |
40 |
1 |
|
|
|
1,0 |
1,0 |
1,0 |
75 |
0,5 |
|
|
|
1,0 |
1,0 |
1,0 |
65 |
0,5 |
|
|
|
0,9 |
0,9 |
0,9 |
50 |
2 |
|
|
|
0,9 |
0,9 |
0,9 |
60 |
2 |
ПРИЛОЖЕНИЕ 3
ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ ПО ТЕМЕ 3
PAGE 24