Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
МГТУ им Н.Э. Баумана.
Кафедра защиты информации
Электроника
Лабораторная работа №2
Исследование возможных схем включения биполярного транзистора.
Руководитель: Бонч-Бруевич А.М.
Выполнили: Свешников К.А.
Гуменный К.А.
Москва 2012.
Лабораторная работа №2
Исследование возможных схем включения биполярного транзистора с помощью программы Multisim 10.
Цель работы:
Провести моделирование и анализ работы схем транзисторного усилителя с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором с помощью программы Multisim 10. Построение статических характеристик транзистора.
|
7 |
ОК |
Постоянный |
10 |
1000 |
VAR |
- |
pnp |
Задание на лабораторную работу:
Выполнение работы:
|
Rк |
1 |
10 |
50 |
100 |
500 |
1000 |
5000 |
10000 |
50000 |
100000 |
500000 |
1000000 |
|
Ku |
0,403 |
0,403 |
0,403 |
0,403 |
0,403 |
0,402 |
0,401 |
0,400 |
0,387 |
0,364 |
0,356 |
0,355 |
Таблица 1. Зависимость коэффициента усиления напряжения от сопротивления коллектора.
|
Rк |
1 |
10 |
50 |
100 |
500 |
1000 |
5000 |
10000 |
50000 |
100000 |
500000 |
1000000 |
|
Ki |
88,58 |
88,58 |
88,58 |
88,57 |
88,56 |
88,52 |
84,2 |
82 |
51,2 |
5,26 |
1,198 |
1,09 |
Таблица 2. Зависимость коэффициента усиления тока от сопротивления коллектора.
|
Rк |
1 |
10 |
50 |
100 |
500 |
1000 |
5000 |
10000 |
50000 |
100000 |
500000 |
1000000 |
|
Kp |
35,70 |
35,70 |
35,70 |
35,69 |
35,69 |
35,59 |
33,76 |
32,80 |
19,81 |
1,91 |
0,43 |
0,39 |
Таблица 3. Зависимость коэффициента усиления мощности от сопротивления коллектора.
Рис. 5 -зависимость коэффициента усиления по напряжению от сопротивления коллектора.
Рис. 6 -зависимость коэффициента усиления по току от сопротивления коллектора.
Рис. 7 -зависимость коэффициента усиления по мощности от сопротивления коллектора.
Ответы на контрольные вопросы:
Каскад ОЭ – усиливает и ток и напряжение, ОК – ток, ОБ – напряжение.
|
ОБ |
||||
|
ОЭ |
||||
|
ОК |
Эмиттерная термостабилизация осуществляется при помощи отрицательной обратной связи по постоянному току через эмиттерный резистор. С увеличением тока коллектора, а следовательно, и эмиттера возрастает падение напряжения на резисторе эмиттера. Потенциал эмиттера становится более отрицательным. В стабилизированной схеме ток покоя коллектора изменяется в значительно меньшей степени.
Это точка на семействе выходных характеристик, в которой находится транзистор без сигнала на входе. При работе с отсечкой и автосмещением, рабочая точка соответствует мгновенному нулевому значению сигнала на входе.
В основу биполярного транзистора положены два p-n перехода.
Базо-эмиттерный переход сместим в прямом направлении.
Uбэ < 0 ⇔ Uэб > 0 ⇒ базо-эмиттерный барьер уменьшается
Базо-коллекторный переход смещаем в обратном направлении.
Uбк > 0
Eвн заставит «дырки» из эмиттера перейти в базу. Часть из них рекомбинирует в базе, а
часть пролетит в коллектор. Свободные электроны из коллектора соединятся с этими
«дырками» и возникнет коллекторный ток. «Дырки», которые рекомбинировали в базе
представляют собой базовый ток.
Рабочая точка – см. пункт 5.
Напряжение смещения - постоянное напряжение, подаваемое между базой и эмиттером транзистора и смещающее рабочую точку на входной характеристике транзистора, тем самым регулируя режимы усиления сигнала.
Динамическим режимом работы транзистора называется такой режим, при котором в выходной цепи стоит нагрузочный резистор, за счёт которого изменение входного тока или напряжения будет вызывать изменение выходного напряжения.