Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
Міністерство освіти та науки України
Національний технічний університет України
«Київський політехнічний інститут»
Кафедра мікроелектроніки
ЗВІТ
про виконання лабораторної роботи №3
з курсу «Твердотільна електроніка»
Тема: «Дослідження імпульсних властивостей p-n переходів».
Підготували: Гуменюк А. Л.
Фрик В. В.
Іванов В. С.
Перевірив Королевич Л. М.
Київ 2007
Мета роботи: Теоретичне вивчення процесів, які зумовлюють інерційність p-n переходів і експериментальне дослідження перехідних характеристик напівпровідникових діодів.
Завдання
Таблиця 1 – Результати вимірювань
|
Iзв |
tвідн |
t1 |
t2 |
|
мА |
μs |
μs |
μs |
|
0,2 |
35 |
35 |
0 |
|
0,4 |
35 |
10 |
25 |
|
0,6 |
35 |
6 |
29 |
|
0,8 |
35 |
4,5 |
30,5 |
|
1,0 |
35 |
3 |
32 |
|
1,25 |
35 |
2,75 |
32,25 |
|
1,5 |
35 |
1,75 |
33,25 |
|
1,75 |
35 |
1,25 |
33,75 |
|
2,0 |
35 |
1,0 |
34 |
|
2,5 |
35 |
0,65 |
34,35 |
|
3,0 |
35 |
0,5 |
34,5 |
|
3,5 |
35 |
0,4 |
34,6 |
|
4,0 |
35 |
0,2 |
34,8 |
|
5,0 |
35 |
0,1 |
34,9 |
Рисунок 1 – Залежність t1 від зворотного струму.
Висновки: було проведено дослідження інерційності р-n переходів, досліджені перехідні характеристики напівпровідникових діодів