Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
Міністерство освіти та науки України
Національний технічний університет України
«Київський політехнічний інститут»
Кафедра мікроелектроніки
ЗВІТ
про виконання лабораторної роботи №2
з курсу «Твердотільна електроніка»
Тема: «Дослідження напівпровідникових стабілітронів».
Підготували: Гуменюк А. Л.
Фрик В. В.
Іванов В. С.
Перевірив Королевич Л. М.
Київ 2007
Мета роботи: Теоретичне вивчення та експериментальне дослідження електричного пробою електронно-діркового переходу; дослідження вольт-амперних характеристик і параметрів напівпровідникових стабілітронів.
Порядок виконання роботи:
Рисунок 1 – Схема експериментальної установки для дослідження вольт-амперної
характеристики стабілітронів.
Таблиця 1 – Результати вимірювань.
|
Пряма гілка |
Зворотна гілка |
||
|
Uпр |
Iпр |
Uзв |
Iзв |
|
В |
мА |
В |
мА |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
|
0,701 |
1 |
8,491 |
1 |
|
0,720 |
2 |
8,497 |
2 |
|
0,732 |
3 |
8,504 |
3 |
|
0,740 |
4 |
8,510 |
4 |
|
0,746 |
5 |
8,516 |
5 |
|
0,751 |
6 |
8,523 |
6 |
|
0,755 |
7 |
8,530 |
7 |
|
0,759 |
8 |
8,535 |
8 |
|
0,762 |
9 |
8,539 |
9 |
|
0,765 |
10 |
8,545 |
10 |
Рис. 2. Вольт-амперна характеристика стабілітрона
Основні параметри стабілітрона
Uстаб.=8.5
Ом
кОм
Висновки: було проведено дослідження ВАХ напівпровідникового діода Д814Б при кімнатній температурі, розраховані основні параметри: напруга стабілізації, диференційний опір, статичний опір і коефіцієнт якості. Розраховані параметри співпадають із довідниковими даними.