У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.net

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3 по электротехнике Исследование транзисторов и транзисторных однокаскадных усили

Работа добавлена на сайт samzan.net: 2016-03-30

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 9.6.2025

Липецкий государственный технический университет

Кафедра электрооборудования

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3

по электротехнике

Исследование транзисторов и транзисторных однокаскадных усилителей

Студент                                      _____________                    _____________

Группа__________

Руководитель

____________________            _____________                   ______________

Липецк 2013

Таблица 1. Результаты измерений

Параметры

1 значение

2 значение

0

0,6

0,65

0,75

0,8

0,7

0

0,6

0,65

0,75

0,8

0,7

0

0,1

0,5

4,6

8,5

1,9

0

0

0

1,9

4

0,6

0

5

Таблица 2. Результаты измерений

Параметры

1 значение

2 значение

0

0,072

1

4

6

8

0

0,062

1

4

6

8

0

60

160

160

170

180

0

60

30

310

320

330

4

8

1. Построим входные и выходные характеристики  транзистора КТ62ББ, включенного по схеме ОЭ:

Рисунок 1. Входные характеристики  транзистора КТ22ББ, включенного по схеме ОЭ

Рисунок 2. Выходные характеристики  транзистора КТ62ББ, включенного по схеме ОЭ

2. Используя входные и выходные характеристики транзистора КТ62ББ, включенного по схеме ОЭ, определим коэффициент передачи по току, входное сопротивление транзистора, выходное сопротивление транзистора по следующим формулам:

                                                ,                                                     (1)

где   - коэффициент передачи по току;  - значение тока базы, мА;  - значение тока коллектора, мА.

                                                       ,                                               (2)

где  - входное напряжение транзистора,  Ом;  - напряжение базы, В.

                                                       ,                                                   (3)

где  - выходное напряжение транзистора, Ом;   - напряжение коллектора, В.

Расчеты проведем с помощью программы Microsoft Excel и сведем в таблицу результатов.

Таблица 3. Результаты расчетов

Параметры

1 значение

2 значение

-

0,0017

0,0031

0,0288

0,0500

0,0106

-

0

0

0,006

0,013

0,002

(Ом)

-

6000,0000

1300,0000

163,0435

94,1176

368,42

-

-

-

394,737

200,000

1166,667

(Ом)

-

1,2000

6,2500

25,0000

35,2941

44,44

-

1,033

33,333

12,903

18,750

24,242

3.

Таблица 4. Результаты измерений (при f=50 кГц)

0

20

40

60

80

100

(В)

0

1,9

2,8

3,2

3,3

3,4

  1.  По данным таблицы 4 построим амплитудные характеристики каскада   при

Рисунок 3. Амплитудная характеристика каскада   при средней частоте

3.2. По данным таблицы 4 вычислим средний коэффициент усиления для прямого участка характеристики по следующей формуле:

                                                ,                                                    (4)

где   -  средний коэффициент усиления каскада;   - значение напряжения на входе, мВ;   - значение напряжения на выходе, В.

Расчеты проведем с помощью программы Microsoft  Excel и сведем в таблицу результатов:

Таблица 5. Результаты расчета

0

20

40

60

80

100

(В)

0

1,9

2,8

3,2

3,3

3,4

-

-

-

53,33

41,25

34

3.3

Таблица 6. Результаты расчета

, 

(кГц)

2

10

50

100

200

300

500

(В)

0,176

0,53

0,59

0,47

0,29

0,2

0,16

,

(кГц)

2

10

50

100

200

300

500

(В)

0,3

0,88

0,83

0,56

0,31

0,21

0,16

3.4. По данным таблицы 4 определим коэффициент усиления каскада по формуле 4 и отношение коэффициента усиления каскада к среднему коэффициенту усиления каскада .

Расчеты проведем с помощью таблица Microsoft Excel  и сведем в таблицу результатов.

Таблица 7. Результаты расчета

, 

1,7600

5,3000

5,9000

4,7000

2,9000

2,0000

1,6000

0,0518

0,1559

0,1735

0,1382

0,0853

0,0588

0,0471

,

3

8,8

8,3

5,6

3,1

2,1

1,6

0,0882

0,2588

0,2441

0,1647

0,0912

0,0618

0,0471

3.5. По данным таблицы 7 построим амплитудно – частотные характеристики  и,  и также определены нижние и верхние границы частоты полосы пропускания:

Рисунок 5. Амплитудно – частотная характеристика каскада

Рисунок 6. Амплитудно – частотная характеристика каскада

Нижние границы пропускания , верхние границы пропускания .

Вывод

В ходе лабораторной работы были исследованы статические характеристики биполярного транзистора и однокаскадного транзисторного усилителя.

Список источников

  1.  Основы промышленной электроники /В.Г. Герасимов, А.В. Краснопольский, А.Б. Сухоруков; Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Высш. шк., 1986. – 336.
  2.  Измерение параметров импульсных сигналов с помощью осциллографа: Метод. указ. к лабораторной работе №1 по курсу электротехника Липецкий государственный технический университет /. Институт; Сост.: С. П. Слаута, А. В. Черепанов, Липецк, 1992. 11 с.




1. АВТОТЕПЛО ОПТ 2012г.
2. практикум Вариант 5 Кафедра Автоматики и процессов управления Лабораторный практ
3. Тема- Программирование на языке QBsic
4. З О погребении и похоронном деле Принят Палатой представителей 17 октября 2001 года Одобрен Советом Ре
5. П-318
6. а В состав созданного ею объединения наряду с областями старых цивилизаций был включён и ряд областей насе
7. Subjects were Romns Rhomioi Its predominnt lnguge ws Greek lthough some of its subjects spoke Ltin Coptic Syric rmenin nd other locl lnguges during its long 3301453 history
8. ДЕТАЛИ МАШИН Лабораторные работы
9. Предварительная сумма экономического ущерба нанесенного стране составляла 39 млрд
10. 2014 учебном году