Поможем написать учебную работу
Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«Национальный исследовательский ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Отчет о лабораторной работе №2
по курсу «Электроника»
Исследование диодных схем
Преподаватель: С.В.Силушкин
Цель работы:
1. Овладеть методикой снятия вольтамперных характеристик (ВАХ)
нелинейных элементов.
2. Освоить расчет основных параметров диодов, характеризующих
их как нелинейные элементы.
3. Получить практические навыки исследования схем лабораторной
работы.
1. Подготовиться к лабораторной работе, т. е. знать и понимать про-
цессы, происходящие в исследуемых схемах.
2. Проработать разделы порядка выполнения работы, отвечая по ка-
ждому пункту на вопросы: как его реально выполнить? Что должно
быть получено в результате его выполнения (прогнозируемый резуль-
тат)?
3. Ответить на контрольные вопросы методических указаний.
4. Качественно обработать полученные экспериментальные данные,
подготовить и защитить отчет.
Ход работы:
Схема эксперимента для снятия ВАХ двухполюсников
ВАХ VD1 - кремниевого точечного диода (прямая ветвь).
ВАХ VD1 - кремниевого точечного диода (обратная ветвь).
Нелинейный вид ВАХ объясняется свойством полупроводника менять свое сопротивление при изменении напряжения на нем.
ВАХ VD2 - диода Шоттки (прямая ветвь).
ВАХ VD2 - диода Шоттки (обратная ветвь).
Нелинейный вид ВАХ объясняется свойством полупроводника менять свое сопротивление при изменении напряжения на нем. Горизонтальный участок характеристики для диода Шоттки отличается от соответствующего участка для кремниевого точечного диода в меньшую сторону (0.1 В и 0.5 В соответственно). Обратная ветвь диода Шоттки характеризуется повышенными (относительно обычных кремниевых диодов) обратными токами, возрастающими с ростом температуры кристалла.
ВАХ VD3 кремниевого стабилитрона (прямая ветвь).
ВАХ VD3 кремниевого стабилитрона (обратная ветвь).
Нелинейный вид ВАХ объясняется свойством полупроводника менять свое сопротивление при изменении напряжения на нем. Данная ВАХ отличается от соответствующей для кремниевого точечного диода наличием длинного линейного участка обратного напряжения, который является рабочим для стабилитрона.
2)Соберём схему однополупериодного выпрямителя для диода VD1 с активной нагрузкой R1 и R2:
Инициируем генератор и осциллограф и пронаблюдаем времен-
ные диаграммы выходного напряжения (CHA+) и тока диода (CHB+)
выпрямителя.
Осциллограмма однополупериодного выпрямителя для диода VD1 с активной нагрузкой R1 и R2
Подсчитаем угол отсечки:
Заменим диод VD1 диодом VD2 (Шоттки):
Осциллограмма однополупериодного выпрямителя для диода VD1 с активной нагрузкой R1 и R2
Подсчитаем угол отсечки:
2)Соберём схему однополупериодного выпрямителя для диода VD1 с активной нагрузкой R1 и емкостной С10:
Инициируем генератор и осциллограф и пронаблюдаем времен-
ные диаграммы выходного напряжения (CHB+) и тока диода (CHA+)
выпрямителя.
Осциллограмма однополупериодного выпрямителя для диода VD1 с активной нагрузкой R1 и емкостной С10.
Заменим конденсатор С10 на С2.
Осциллограмма однополупериодного выпрямителя для диода VD1 с активной нагрузкой R1 и емкостной С2.
3) Соберём схему однополупериодного выпрямителя для диода VD1 с активной нагрузкой R1 и емкостной С10. Увеличим частоту генератора в 10, в 20 и в 30 раз.
Осциллограмма однополупериодного выпрямителя для диода VD1 с активной нагрузкой R1 и емкостной С10, при f=1000 Гц.
Увеличим начальную частоту генератора в 10 раз:
Осциллограмма однополупериодного выпрямителя для диода VD1 с активной нагрузкой R1 и емкостной С10, при f=10000 Гц
Увеличим начальную частоту генератора в 20 раз:
Осциллограмма однополупериодного выпрямителя для диода VD1 с активной нагрузкой R1 и емкостной С10, при f=20000 Гц
Увеличим начальную частоту генератора в 30 раз:
Осциллограмма однополупериодного выпрямителя для диода VD1 с активной нагрузкой R1 и емкостной С10, при f=30000 Гц
4)Исследование работы схемы последовательного ограничителя
Соберём схему последовательного ограничителя:
Инициализируем генератор, регулируемый источник питания и осциллограф. Установим амплитуду гармонического сигнала равной 2В. При частоте в 1кГц будем менять напряжение источник тока Е1 от 0 до 3В и обратно от 0 до -3В.
Осциллограмма последовательного ограничителя, E1=0 B.
Осциллограмма последовательного ограничителя, E1=1 B.
Осциллограмма последовательного ограничителя, E1=2 B.
Осциллограмма последовательного ограничителя, E1=3 B.
Осциллограмма последовательного ограничителя, E1=-1 B.
Осциллограмма последовательного ограничителя, E1=-2 B.
Осциллограмма последовательного ограничителя, E1=-3 B.
Выводы