Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
Лабораторная работа №14
Определение входных и выходных характеристик транзистора.
Цель работы: научиться исследовать входные и выходные характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эммитером.
Приборы и оборудование.
Внеклассная работа.
Повторите тему «Биполярный транзистор» по учебнику И. А. Данилов, П. М. Иванов. «Общая электротехника с основами электроники (электроника)» § 24.7.
Краткие сведения о характеристиках и параметрах биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эммитером.
Входная характеристика- это зависимость тока базы от напряжения база-эммитер, т. е.
Входная характеристика- это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмитор, т. е.
Входная статистическая Выходная статистическая
характеристика характеристика
По этим характеристикам можно определить параметры транзистора.
Обычно при расчетах используют h- параметры, которые связывают электрические величины
В пределах линейной части характеристик для абсолютных величин приращений справедливы выражения
Где h- параметры можно определить по семействам входных и выходных характеристик:
h- параметры определяются в рабочей точке по семейству соответствующих характеристик:
Параметры:
h11- имеет размерность сопротивления, представляет собой входное сопротивление при постоянном напряжении на коллекторе.
h12- определяет внутреннюю обратную связь. Его величина очень мала и в большинстве случаев не принимается во внимание при расчетах схем.
h21- безразмерная величина, характеризующая усилительные свойства транзистора по току при постоянном напряжении на коллекторе.
h22- имеет размерность проводимости и характеризует выходную проводимость транзистора при постоянном токе базы.
Выполнение работы.
3. Снимите свойство статистических входных характеристик транзистора, при напряжении на коллекторе, указанном в таблице. Напряжение на базе изменять в пределах 0-500 мВ через каждые 100 мВ.
Результаты занести в таблицу 1.
4. Снимите свойство статистических выходных характеристик транзистора. Характеристики снимать для токов базы 0-500 мкА через каждые 100 мкА ( ток базы поддерживать постоянным путем изменения напряжения на базе).
Напряжение на коллекторе изменить в пределах 0-10 В
Результаты измерения занести в таблицу 2.
Таблица 2.
|
0 |
|||||
|
1 |
|||||
|
2 |
|||||
|
3 |
|||||
|
4 |
|||||
|
5 |
|||||
|
6 |
|||||
|
7 |
|||||
|
8 |
|||||
|
9 |
|||||
|
10 |
5. Постройте по полученным данным входные и выходные статистические характеристики и определите по ним h параметры транзистора для рабочей точки в пределах линейного участка характеристики.
Лр №14
БГТУ. 101600.000 ПЗ
Лр №14
БГТУ. 101600.000 ПЗ
Лр №14
Дата
Подпись
№ докум.
Лист
Изм.