Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
ПРИМЕР ПРОЕКТИРОВАНИЯ
МАРШРУТНОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА
рассмотрим проектирование маршрутного технологического процесса обработки корпуса редуктора (рис. 1).
Изучение технических требований и технологическая разметка чертежа. При изучении чертежа (рис. 1) наносим технологическую цифровую нумерацию обрабатываемых поверхностей (номера заключены в кружки). Необрабатываемые поверхности обозначены буквами, заключенными в квадраты. Комплексам одинаковых поверхностей (например, крепежным отверстиям) присваиваем один номер с добавкой буквы «к».
При изучении конструкторской документации на корпус червячного редуктора обратим особое внимание на необходимость выдержать следующие технические требования к расположению поверхностей:
— отклонения от скрещивания осей I – I и II – II под прямым углом не более 0,05 / 100;
— отклонение от соосности отверстий диаметрами 62Н7 и 180Н7 относительно оси I – I не более 0,02 мм;
— отклонение от соосности двух отверстий 62Н7 относительно оси II – II не более 0,03 мм;
— отклонение от перпендикулярности торцов к осям I – I и II – II не более 0,05 / 100;
— точность относительного положения основных обрабатываемых поверхностей: 58 ± 0,1; 100 ± 0,3; ; а межосевое расстояние 105,25+ 0,1 мм;
— связи обрабатываемых поверхностей с необрабатываемыми заданы размером 17 мм (между плоскостями П1 и 1) и номинальной соосностью бобышек Б2 и Б3 (относительно осей I – I и II – II – осей обрабатываемых отверстий 5 и 6к).
Формирование схемы маршрута.
1. За основу разработки укрупненного плана обработки корпуса примем типовую схему последовательности этапов обработки (черновой, получистовой, чистовой).
2. Анализируя простановку размеров (см. рис. 1) и технические требования к расположению поверхностей, устанавливаем, что основными базами детали являются: поверхность 1 — установочная явная база; ось I – I — двойная упорная скрытая база; ось II – II — упорная скрытая база, используемая для наложения связи, лишающей детали поворота вокруг оси I – I.
Замечаем, что конструктивно предусмотрены возможности использования при установках заготовки на первых операциях поверхности П1 для об работки поверхностей платиков 1к в размер 17 мм и поверхностей Б2 и Б3 для материализации осей I – I и II – II соответственно.
Отмечаем также возможности использования отверстий 9к в платиках (отверстий под резьбу) в качестве специальных технологических баз для установки заготовки по плоскости и двум отверстиям.
3. Выделяем технологические комплексы поверхностей, которые следует обрабатывать с одной установки исходя из заданной точности их взаимного расположения: комплекс I — поверхности 1к, которые должны лежать в одной плоскости, и торец 2; комплекс II — отверстия 4 и 5 и торец 3; комплекс III — отверстия 6к и торцы 7 и 8.
С учетом удобства обработки с одной установки, постоянства настройки станка и общности кондукторов и установочных приспособлений объединяем в технологические комплексы следующие поверхности: комплекс IV — отверстия 9к и 10к.
4. Исходя из заданных требований к расположению поверхностей, устанавливаем следующую последовательность обработки разных технологических комплексов. Сначала обрабатываем поверхности комплекса I, включающие основную установочную явную базу; потом поверхности комплекса II, так как ось I – I должна быть перпендикулярной к поверхности 1к; затем поверхности комплекса III, поскольку положение оси II – II задано относительно плоскости 1к и оси I – I. После этого можно вести обработку поверхностей комплекса IV.
Таким образом, принятая нумерация технологических комплексов соответствует рациональной последовательности включения их в обработку
5. Устанавливаем ориентировочно для каждого комплекса поверхностей перечень этапов обработки и для каждой поверхности — число ступеней обработки; подбираем (предварительно) оборудование и решаем схемы установок.
Схемы установок обозначаем буквой У и двумя цифрами: первая цифра указывает номер комплекса обрабатываемых поверхностей, вторая — номер варианта схемы базирования. Для каждой установки указываем название операции, для которой эта установка предназначена.
При обработке первых трех комплексов поверхностей возможны две схемы базирования: по принципу совмещения технологических и конструкторских баз (рис. 2) и по принципу постоянства технологических баз (рис. 3).
На схемах установок У11 и У12, представленных на рис. 2, показаны два решения обработки комплекса I поверхностей: фрезерование и обработка на токарно-карусельном станке. При отсутствии вертикально-фрезерного станка второе решение предпочтительно: поверхности 1к располагаются в одной плоскости, обеспечивается совмещение переходов за счет использования бокового и верхнего суппортов.
На схемах установок У21, У22 и У31 (рис. 3) показаны токарно-карусельная черновая и чистовая операции обработки комплекса II поверхностей и расточные операции обработки комплекса III поверхностей при базировании по принципу совмещения технологических и конструкторских баз. Схема У22 предусматривает использование выдвижного пальца для центрирования по отверстию диаметром 62 мм (после закрепления детали палец выводят из отверстия).
Для системы базирования по принципу постоянства технологических баз на схемах установок У23 и У32 (рис. 3) показаны установки заготовки при обработке комплексов II и III поверхностей на разных станках, а на схеме установки У33 — при обработке комплексов II и III поверхностей в одну операцию на двух позициях. Очевидно, установки по схемам У23 и У32 не следует применять, так как смещения и повороты заготовки при двукратной установке на два пальца внесут нежелательные погрешности во взаимное расположение поверхностей комплексов II и III.
При использовании принципа постоянства баз сразу после обработки комплекса I поверхностей необходимо сверлить и развертывать специальные базовые отверстия. Как показано на схеме установки У41 (рис. 4), для выполнения этой операции требуется довольно сложное установочно-зажимное приспособление, применение которого окупается только при достаточно большой программе.
В табл. 3.6 занесены решения, соответствующие системе базирования по принципу совмещения технологических и конструкторских баз.
Схемы базирования при обработке комплексов IV поверхностей (крепежных отверстий) на радиально-сверлильном станке не представляют особого интереса и поэтому не показаны.
6. Для корпуса червячного редуктора не требуется включения в технологический процесс специальных операций, обеспечивающих особые характеристики серединных и поверхностных слоев материала детали, весовые параметры и товарный вид.
Высокотемпературный отжиг для снятия внутренних напряжений первого рода можно выполнить до начала механической обработки.
Уменьшение влияния сил закрепления и накопленных тепловых деформаций на характеристики точности предусмотрено разделением процесса обработки на три этапа: черновой, получистовой и чистовой.
7. В условиях поставки заготовки включаем выполнение высокотемпературного отжига для снятия внутренних напряжений первого рода.
Выбор планов обработки поверхностей. Предварительные решения о числе ступеней обработки поверхностей, входящих в технологические комплексы, были приняты по данным табл 3.2.