П должность уч
Работа добавлена на сайт samzan.net:
ГУАП
КАФЕДРА №
ОТЧЕТ
ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ
ПРЕПОДАВАТЕЛЬ
|
Абрамов А. П. |
||||
|
должность, уч. степень, звание |
подпись, дата |
инициалы, фамилия |
|
ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ № 1 |
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ |
по курсу: Электроника |
РАБОТУ ВЫПОЛНИЛ
|
СТУДЕНТ ГР. |
5125 |
Иванов Д. Н. |
|||
|
подпись, дата |
инициалы, фамилия |
Санкт-Петербург 2013
1. Цель работы: изучение принципов действия, измерение характеристик и определение основных параметров полевого транзистора с управляющим р-д-переходом и полевого транзистора с изолированным затвором.
2. Описание лабораторной установки.
Схема исследования статических характеристик: полевого транзистора с управляющим р-n-переходом показана на рис.1, а МДП-транзистора с индуцированным каналом - на рис. 2.
Напряжения питания подаются с гнезд источников стабилизированных напряжений: Е-1 и Е-2, имеющих собственную цифровую индикацию и плавные регулировки R9 и R10 выходных напряжений соответственно. Измерения постоянных напряжений и токов в схемах осуществляются с помощью цифровых тестеров серии МУ6х. При этом тестер, используемый для измерения тока, всегда включается последовательно с исследуемым объектом; а тестер, используемый для измерения напряжения, всегда включается параллельно с исследуемым объектом.
Рисунок 1.
Рисунок 2.
3. Результаты измерений и расчетов.
Таблица 1. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-n переходом КП103
|
Uси, В |
Ic, мA |
|||||||||
|
Uзи = 0,В |
Uзи = 0,2,В |
Uзи = 0,3,В |
Uзи = 0,4,В |
Uзи = 0,5,В |
Uзи = 0,6,В |
Uзи = 0,7,В |
Uзи = 0,8,В |
Uзи = 0,9,В |
Uзи = 1,В |
|
|
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
|
-1 |
0,77 |
0,53 |
0,41 |
0,3 |
0,21 |
0,13 |
0,07 |
0,03 |
0,01 |
0 |
|
-2 |
0,86 |
0,59 |
0,45 |
0,33 |
0,23 |
0,14 |
0,08 |
0,03 |
0,01 |
0 |
|
-3 |
0,9 |
0,62 |
0,48 |
0,35 |
0,24 |
0,15 |
0,09 |
0,03 |
0,01 |
0 |
|
-4 |
0,93 |
0,64 |
0,49 |
0,36 |
0,25 |
0,16 |
0,09 |
0,04 |
0,01 |
0 |
|
-5 |
0,95 |
0,65 |
0,51 |
0,37 |
0,26 |
0,17 |
0,1 |
0,04 |
0,01 |
0 |
|
-6 |
0,97 |
0,67 |
0,52 |
0,39 |
0,27 |
0,18 |
0,1 |
0,04 |
0,01 |
0 |
|
-7 |
0,99 |
0,68 |
0,53 |
0,4 |
0,28 |
0,18 |
0,11 |
0,05 |
0,01 |
0 |
|
-8 |
1 |
0,7 |
0,54 |
0,41 |
0,29 |
0,19 |
0,11 |
0,05 |
0,01 |
0 |
Таблица 2. Статические характеристики полевого транзистора с изолированным затвором (МДП-транзистора) обогащённого типа с р-каналом КП301
|
Uси, В |
Ic,мA |
|||||||
|
Uзи = 2,4,В |
Uзи = 2,9,В |
Uзи = 3,4,В |
Uзи = 3,9,В |
Uзи = 4,4,В |
Uзи = 4,9,В |
Uзи = 5,4,В |
Uзи = 5,9,В |
|
|
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
|
-1 |
0,1 |
0,3 |
0,6 |
0,9 |
1,2 |
1,5 |
1,85 |
2,1 |
|
-2 |
0,1 |
0,4 |
0,7 |
1,1 |
1,5 |
1,55 |
2,7 |
3,2 |
|
-3 |
0,15 |
0,4 |
0,7 |
1,15 |
1,65 |
2,1 |
3,05 |
3,7 |
|
-4 |
0,17 |
0,4 |
0,75 |
1,2 |
1,7 |
2,2 |
3,2 |
4 |
|
-5 |
0,18 |
0,4 |
0,78 |
1,2 |
1,75 |
2,25 |
3,3 |
4,1 |
|
-6 |
0,19 |
0,4 |
0,8 |
1,25 |
1,8 |
2,3 |
3,35 |
4,15 |
|
-7 |
0,2 |
0,4 |
0,8 |
1,3 |
1,8 |
2,35 |
3,4 |
4,2 |
|
-8 |
0,2 |
0,4 |
0,81 |
1,3 |
1,85 |
2,4 |
3,45 |
4,25 |
4. Расчётная часть.
4.1 Расчёт дифференциальных параметров полевого транзистора с управляющим р-п переходом
а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора
где – относительное приращение тока стока;
- относительное приращение напряжения между затвором и стоком транзистора;
.
б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току
,
где – относительное приращение напряжения между стоком и истоком транзистора;
Ом.
в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора
,
.
4.2 Расчёт дифференциальных параметров МДП-транзистора обогащённого типа с р-каналом
а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора
,
где – относительное приращение тока стока;
- относительное приращение напряжения между затвором и стоком транзистора
.
б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току
,
где – относительное приращение напряжения между стоком и истоком транзистора
Ом.
в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора
,
.
Вывод: В данной лабораторной работе был изучен принцип действия двух типов полевых транзисторов – транзисторов с управляющим р-п переходом и МДП-транзисторов обогащённого типа с р-каналом, измерены их статические характеристики и определены основные параметры.
В транзисторах, с управляемым p-n переходом на затвор подается напряжения, которое смещает переход в обратном направлении. При изменении напряжения затвора меняется толщина p-n перехода и следовательно меняется сечение канала, значит меняется эффективное сопротивление канала и соответственно тока в цепи. Если сток и исток заземлены, то сечение каналов на всем протяжении одинаково, т.к. обратное смещение переходов постоянно и равно напряжению на затворе. При достаточно большом напряжении на затворе объемный заряд в переходах займет весь канал. Такое напряжение называют напряжением отсечки. В рабочем состоянии между стоком и истоком прикладывается разность потенциалов и течет ток. Этот ток образует на сопротивлении материала канала падение напряжения, которое меняется от нуля возле истока до напряжения стока. В результате сечение канала по длине будет переменным. Толщина перехода от истока к стоку будет увеличиваться, а сечение канала уменьшаться.
В МДП-транзисторах обогащённого типа с р-каналом под влиянием образующегося электрического поля у поверхности полупроводника появляется канал p-типа за счет отталкивания электронов от поверхности вглубь полупроводника.
2. Совершенствование организации производства продукции и учета затрат в молочном скотоводстве
3. Г студент гр
4. 623 б При этом обеспечивается правильное расположение обработанных баз относительно штампованных рабочих
5. Оружие массового поражения не оставляет шансов ни одному из государств выиграть войну
6. Разработка технологической оснастки для обработки детали резанием.html
7. Охарактеризувати чотири основні функції менеджменту та їхній взаємозв~язок
8. Формирование имиджа учителя современной школы
9. а е поставленным перед отрицательным аффиксом настоящегобудущего времени
10. тема в которой роль основного регулятора экономических отношений играет рынок
11. Валентность глагола и структура английского предложения
12. The min im of lw is to consolidte nd sfegurd the socil nd stte system nd its economic foundtion
13. Дети Индиго. Группа эта существует и сейчас правда базируется не в Оренбурге а в Москве и там совсем другие
14. Палеозоологія безхребетних
15. УТВЕРЖДАIО Зав
16. ТЕМА ТЕКСТОВИЙ ПРОЦЕСОР WORD
17. Эндрю Карнеги
18. Понятие содержание и виды юридических лиц коммерческих организаций
19. Отримання молібдену
20. Страхование банковских рисков1