Лабораторная работа- Исследование однофазных выпрямителей Выполнил студент группы бУ
Работа добавлена на сайт samzan.net:
ФГБОУ ВПО «Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.»
Кафедра «Автоматика и телемеханика»
Лабораторная работа:
«Исследование однофазных выпрямителей»
Выполнил студент группы бУПТС21
Мальцев А.
Проверил преподаватель:
Тимофеева Р. А.
Саратов 2013
Содержание
Цель работы………………………………………………………………….…3
1. Общие сведения……………………………………………………………..4
1.1. Классификация диодов…………………………………………………...4
1.2. Выпрямительные диоды………………………………………………….4
1.3. Стабилитроны и стабисторы……………………………………………..6
1.4. Универсальные и импульсные диоды…………………………………...7
1.5. Варикапы………………………………………………………………...10
1.6. Туннельные и обращенные диоды……………………………………..10
2. Экспериментальная часть…………………………………………………13
Вывод………………………………………………………………………….33
Список литературы………………………………………………...…………36
Цель работы:
изучение принципов действия однофазного однопериодного выпрямителя и однофазных двухполупериодных выпрямителей, расчет коэффициентов пульсаций для различных схем выпрямителей.
1. Общие сведения
Электрическая энергия подается к потребителям в виде трехфазного или однофазного переменного тока. Однако для питания различных электронных приборов, автоматических устройств, а также для электрифицированного транспорта используется постоянный ток, который получают выпрямлением переменного тока. С этой целью чаще всего используются полупроводниковые выпрямители. Выпрямитель - это устройство, которое преобразует переменное напряжение питающей сети в однонаправленное напряжение (одной полярности).
Их основу составляют полупроводниковые диоды (вентили).
1.1. Классификация диодов
Классификация полупроводниковых диодов производится по следующим признакам:
- методу изготовления перехода: сплавные, диффузионные, планарные, точечные, диоды Шотки и др.;
- материалу: германиевые, кремниевые, арсенидо-галлиевые и др.;
- физическим процессам, на использовании которых основана работа диода: туннельные, лавинно-пролетные, фотодиоды, светодиоды, диоды Ганна и др.;
- назначению: выпрямительные, универсальные, импульс ные, стабилитроны, детекторные, параметрические, смеситель ные, СВЧ-диоды и др.
Некоторые из указанных типов диодов по назначению будут рас смотрены в настоящей главе, а другие – в соответствующих разде лах учебного пособия.
1.2. Выпрямительные диоды
Выпрямительными обычно называют диоды, предназначенные для преобразования переменного напряжения промышленной час тоты (50 или 400 Гц) в постоянное. Основой диода является обыч ный р-n-переход. В практических случаях р-n-переход диода имеет достаточную площадь для того, чтобы обеспечить большой прямой ток. Для получения больших обратных (пробивных) напряжений ди од обычно выполняется из высокоомного материала.
Основными параметрами, характеризующими выпрямительные диоды, являются:
- максимальный прямой ток .
- обратный ток при заданном обратном напряжении (значе ние обратного тока германиевых диодов на два – три порядка боль ше, чем у кремниевых);
- падение напряжения на диоде при заданном значении прямого тока Inp(Unp0,3...0,7 В для германиевых диодов и Unp0,8…1,2 В – для кремниевых);
- максимально допустимое постоянное обратное напряже ние диода (для германиевых диодов до 400 В, кремние вых до 1000 В);
- барьерная емкость диода при подаче на него обратного напря жения некоторой величины;
- диапазон частот, в котором возможна работа диода без суще ственного снижения выпрямленного тока;
- рабочий диапазон температур (германиевые диоды работают в диапазоне –60...+70°С, кремниевые – в диапазоне –60...+150°С, что объясняется малыми обратными токами кремниевых диодов).
Выпрямительные диоды обычно подразделяются на диоды ма лой, средней и большой мощности, рассчитанные на выпрямленный ток до 0,3, от 0,3 до 10 и свыше 10 А соответственно.
Для работы на высоких напряжениях (до 1500 В) предназначе ны выпрямительные столбы, представляющие собой последова тельно соединенные р-n-переходы, конструктивно объединенные в одном корпусе. Выпускаются также выпрямительные матрицы и блоки, имеющие в одном корпусе по четыре или восемь диодов, соединенные по мостовой схеме выпрямителя и имеющие до 1 А и до 600В.
При протекании больших прямых токов и определенном паде нии напряжения на диоде в нем выделяется большая мощность. Для отвода данной мощности диод должен иметь большие размеры р-n-перехода, корпуса и выводов. Для улучшения теплоотвода ис пользуются радиаторы или различные способы принудительного охлаждения (воздушное или даже водяное).
Среди выпрямительных диодов следует выделить особо диод с барьером Шотки. Этот диод характеризуется высоким быстродейст вием и малым падением напряжения (<0,6 В). К недостаткам ди ода следует отнести малое пробивное напряжение и большие об ратные токи.
1.3. Стабилитроны и стабисторы
Стабилитроном называется полупроводниковый диод, на об ратной ветви ВАХ которого имеется участок с сильной зависимо стью тока от напряжения (рис. 1), т.е. с большим значением крутиз ны . Если такой участок соответствует прямой ветви ВАХ, то прибор называется стабистором.
Стабилитроны используются для соз дания стабилизаторов напряжения.
Напряжение стабилизации равно напряжению пробоя р-n-перехода при некотором заданном токе стабилиза ции . Стабилизирующие свойства ха рактеризуются дифференциальным со противлением стабилитрона , которое должно быть возможно меньше. Температурная зависимость напряже ния стабилизации характеризуется тем пературным коэффициентом напряже ния , где dТ и d – изменения температуры и напряжения. Промышленностью выпускаются стабилитроны с параметрами: от 1,5 до 180 В, токи стабилизации от 0,5 мА до 1,4 А; от 0,05 до 0,15 %/К; от долей и единиц ома (у мощных стабилитронов) до сотен и даже тысяч ом (у высоковольтных маломощных стабилитро нов). Особую группу составляют прецизионные стабилитроны, име ющие до 0,0005 %/К, т.е. в сотни раз ниже, чем обычные. Их ис пользуют в качестве источников опорного напряжения.
Выпускаются также двуханодные стабилитроны, служащие для стабилизации разнополярных напряжений и представляющие собой встречно включенные р-n-переходы.
1.4. Универсальные и импульсные диоды
Они применяются для преобразования высокочастотных и им пульсных сигналов. В данных диодах необходимо обеспечить мини мальные значения реактивных параметров, что достигается благо даря специальным конструктивно-технологическим мерам.
Одна из основных причин инерционности полупроводниковых диодов связана с диффузионной емкостью (см. § 3.7, 3.8). Для уменьшения времени жизни используется легирование материала (например, золотом), что создает много ловушечных уровней в за прещенной зоне, увеличивающих скорость рекомбинации.
Разновидностью универсальных диодов является диод с корот кой базой. В таком диоде протяженность базы меньше диффузион ной длины неосновных носителей. Следовательно, диффузионная емкость будет определяться не временем жизни неосновных носи телей в базе, а фактическим меньшим временем нахождения (вре менем пролета). Однако осуществить уменьшение толщины базы при большой площади р-n-перехода технологически очень сложно. Поэтому изготовляемые диоды с короткой базой при малой площа ди являются маломощными.
В настоящее время широко применяются диоды с p-i-n-структурой, в которой две сильнолегированные области р- и n-типа разде лены достаточно широкой областью с проводимостью, близкой к собственной (i-область). Заряды донорных и акцепторных ионов расположены вблизи границ i-области. Распределение электричес кого поля в ней в идеальном случае можно считать однородным (в отличие от обычного p-n-перехода). Таким образом, i-область с низ кой концентрацией носителей заряда, но обладающей диэлектриче ской проницаемостью можно принять за конденсатор, «обкладками» которого являются узкие (из-за большой концентрации носителей в р- и n-областях) слои зарядов доноров и акцепторов. Барьерная ем кость p-i-n-диода определяется размерами i-слоя и при достаточно широкой i-области от приложенного постоянного напряжения прак тически не зависит.
Особенность работы р-i-n-диода состоит в том, что при прямом напряжении одновременно происходит инжекция дырок из p-области и электронов из n-области в i-область. При этом его прямое со противление резко падает. При обратном напряжении происходит экстракция носителей из i-области в соседние области. Уменьшение концентрации приводит к дополнительному возрастанию сопротив ления i-области по сравнению с равновесным состоянием. Поэтому для p-i-n-диода характерно очень большое отношение прямого и об ратного сопротивлений, что важно при использовании их в переклю чательных режимах.
В качестве высокочастотных универсальных диодов использу ются структуры с барьерами Шотки и Мотта. В этих приборах про цессы прямой проводимости определяются только основными носи телями заряда. Таким образом, у рассматриваемых диодов отсутст вует диффузионная емкость, связанная с накоплением и рассасы ванием носителей заряда в базе, что и определяет их хорошие вы сокочастотные свойства.
Отличие барьера Мотта от барьера Шотки состоит в том, что тон кий i-слой создан между металлом М и сильно легированным полу проводником , так что получается структура M-i-n. В высокоомном i-слое падает все приложенное к диоду напряжение, поэтому толщи на обедненного слоя в -области очень мала и не зависит от напря жения. И поэтому барьерная емкость практически не зависит от на пряжения и сопротивления базы.
Наибольшую рабочую частоту имеют диоды с барьером Мотта и Шотки, которые в отличие от р-n-перехода почти не накаплива ют неосновных носителей заряда в базе диода при прохождении прямого тока и поэтому имеют малое время восстановления (около 100 пс).
Разновидностью импульсных диодов являются диоды с накоп лением заряда (ДНЗ) или диоды с резким восстановлением обрат ного тока (сопротивления). Импульс обратного тока в этих диодах имеет почти прямоугольную форму (рис. 2). При этом значение может быть значительным, но должно быть чрезвычайно малым для использования ДНЗ в быстродействующих импульсных устройствах.
Получение малой длительности связано с созданием внутреннего поля в базе около обедненного слоя р-n-перехода путем неравномерного распре деления примеси. Это поле является тормозящим для носителей, пришед ших через обедненный слой при пря мом напряжении, и поэтому препятст вует уходу инжектированных носителей от границы обедненного слоя, заставляя их компактнее концентрироваться вблизи грани цы. При подаче на диод обратного напряжения (как и в обычном диоде) происходит рассасывание накопленного в базе заряда, но при этом внутреннее электрическое поле уже будет способство вать дрейфу неосновных носителей к обедненному слою перехо да. В момент , когда концентрация избыточных носителей на границах перехода спадает до нуля, оставшийся избыточный за ряд неосновных носителей в базе становится очень малым, а, следовательно, оказывается малым и время спадания обратно го тока до значения .
1.5. Варикапы
Варикапом называется полупроводниковый диод, используе мый в качестве электрически управляемой емкости с достаточно высокой добротностью в диапазоне рабочих частот. В нем исполь зуется свойство р-n-перехода изменять барьерную емкость под действием внешнего напряжения.
Для увеличения добротности варикапа используют барьер Шотки; эти варикапы имеют малое сопротивление потерь, так как в качестве одного из слоев диода используется металл.
Основное применение варикапов – электрическая перестройка частоты колебательных контуров. В настоящее время существует несколько разновидностей варикапов, применяемых в различных устройствах непрерывного действия. Это параметрические диоды, предназначенные для усиления и генерации СВЧ-сигналов, и ум-ножительные диоды, предназначенные для умножения частоты в широком диапазоне частот. Иногда в умножительных диодах ис пользуется и диффузионная емкость.
1.6. Туннельные и обращенные диоды
Туннельными являются полупроводниковые диоды, в которых используется тун нельный эффект, приводящий к появлению на прямой ветви ВАХ участка с отрица тельным дифференциальным сопротивлением (рис. 3). Они используются и в каче стве сверхскоростных переключателей. Эти диоды изготовляют из сильнолегирован ных (вырожденных) арсенида галлия или германия. Ширина обедненного слоя р-n-перехода туннельных диодов из-за боль шой концентрации примеси очень мала (около 10 нм, т.е. в сотни раз меньше, чем у других диодов). Кроме того, уровни Ферми вырожденных
областей находятся в зоне проводимости и валентной зоне. Теория и экс перимент показывают, что при обратных и небольших (около 100...200 мВ) прямых напряже ниях появляется дополнитель ный ток, объясняемый кванто вой природой туннельного эф фекта. При этом эффекте час тица (электрон) способна пройти сквозь потенциальный барьер без изменения своей энергии на свободный энергетический уровень.
На рис. 3 кроме ВАХ показаны зонные диаграммы, соответствующие характер ным точкам ВАХ, и указаны направления движения носителей. При увеличении пря мого напряжения туннельный ток вначале возрастает и достигает максимального значения. При дальнейшем увеличении туннельный ток убывает до нуля, но при этом начинает увеличиваться прямой ток, соответствующий инжекции носителей и опре деляемый прохождением над потенциальным барьером. Таким образом, прямой ток туннельного диода представляет собой сумму сначала нарастающего, а затем пада ющего до нуля при увеличении U туннельного тока и обычного, связанного с инжекцией, т.е. диффузионного тока. В результате этого на ВАХ появляется участок спада прямого тока (М-образная ВАХ). При подаче обратного напряжения туннельный об ратный ток резко возрастает, приводя к туннельному пробою.
Туннельный эффект развивается за 10-14...10-13c, поэтому туннельные диоды могут использоваться на СВЧ. Частотный предел работы таких диодов ограничивает ся только собственными реактивностями (ем костями р-n-перехода и корпуса), а также инду ктивностью вывода.
Туннельный диод представляет собой полу проводниковый прибор, работающий при малых напряжениях (десятые доли вольта) и относи тельно небольших токах (единицы миллиампер).
При снижении степени легирования одной из областей сильнолегированного р-n-перехода тун нельный эффект проявляется слабо и туннель ный ток прямой ветви ВАХ становится незначи тельным. Диоды, обладающие большим туннель ным обратным и малым туннельным прямым то ками, называются обращенными (рис. 4) и используются в схемах переключения в наносекундном и пикосекундном диапазонах, а так же для детектирования СВЧ-сигналов.
Основными параметрами ВАХ туннельных диодов являются:
- пиковый ток и ток впадины – прямые токи в точках максимума и минимума ВАХ, а также соответствующие этим токам напряжения пика и впадины ;
- напряжение раствора (раскрыва) , при котором ток при увеличении прямо го напряжения становится равным пиковому току ;
- отрицательное дифференциальное сопротивление (десятки – сотни ом). Для туннельных диодов из германия / =4...6, =40...100MB, =300...450 мВ, а из арсенида галлия / до 10 и выше, = 100...200 мВ, =400...600 мВ.
2. Экспериментальная часть
Рис 5. Схема лабораторной установки
Напряжение на входе схемы
В
В
Рис. 6. Напряжение на входе
Однофазный однополупериодный выпрямитель
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 7. Входное напряжение на однофазном однополупериодном выпрямителе
Однофазный однополупериодный выпрямитель + L фильтр
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 8. Напряжение на однофазном однополупериодном выпрямителе
+ L фильтр
Однофазный однополупериодный выпрямитель + L + C1 фильтр
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 9. Напряжение на однофазном однополупериодном выпрямителе
+ L + С1 фильтр
Однофазный однополупериодный выпрямитель + L + C1 + C2 фильтр
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 10. Напряжение на однофазном однополупериодном выпрямителе
+ L + С1 + С2 фильтр
Однофазный однополупериодный выпрямитель + C1 фильтр
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 11. Напряжение на однофазном однополупериодном выпрямителе
+ С1 фильтр
Однофазный однополупериодный выпрямитель + C1 + C2 фильтр
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 12. Напряжение на однофазном однополупериодном выпрямителе
+ С1 + С2 фильтр
Однофазный двуполупериодный выпрямитель
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 13. Напряжение на однофазном двуполупериодном выпрямителе
Однофазный двуполупериодный выпрямитель + L фильтр
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 14. Напряжение на однофазном двуполупериодном выпрямителе
+ L фильтр
Однофазный двуполупериодный выпрямитель + L +C1 фильтр
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 15. Напряжение на однофазном двуполупериодном выпрямителе
+ L + C1 фильтр
Однофазный двуполупериодный выпрямитель + L + C1 + C2 фильтр
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 16. Напряжение на однофазном двуполупериодном выпрямителе
+ L + C1 + C2 фильтр
Однофазный двуполупериодный выпрямитель + C1 фильтр
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 17. Напряжение на однофазном двуполупериодном выпрямителе
+ C1 фильтр
Однофазный двуполупериодный выпрямитель + С1 + C2 фильтр
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 18. Напряжение на однофазном двуполупериодном выпрямителе
+ C1 + C2 фильтр
Мостовой однофазный выпрямитель
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 19. Входное напряжение на однофазном мостовом выпрямителе
Мостовой однофазный выпрямитель + L фильтр
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 20. Напряжение на однофазном мостовом выпрямителе
+ L фильтр
Мостовой однофазный выпрямитель + L + С1 фильтр
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 21. Напряжение на однофазном мостовом выпрямителе
+ L + C1 фильтр
Мостовой однофазный выпрямитель + L + С1 + С2 фильтр
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 22. Напряжение на однофазном мостовом выпрямителе
+ L + C1 + C2 фильтр
Мостовой однофазный выпрямитель +С1 фильтр
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 23. Напряжение на однофазном мостовом выпрямителе
+ C1 фильтр
Мостовой однофазный выпрямитель +С1 + С2 фильтр
В
В
Коэффициент пульсаций
Рис. 24. Напряжение на однофазном мостовом выпрямителе
+ C1 + C2 фильтр
Таблица 1. Результаты экспериментов.
|
№ |
Наименование схемы |
Фильтр |
Umax |
Uср |
Кпульс |
|
1 |
На входе |
- |
5,0 |
3,53 |
|
|
2 |
Однополупериодный выпрямитель |
- |
2,2 |
0,70 |
3,143 |
|
+ L |
4,0 |
1,27 |
3,150 |
||
|
3 |
+ L + C1 |
2,2 |
0,70 |
3,143 |
|
|
4 |
+ L + C1 + C2 |
0,5 |
0,16 |
3,125 |
|
|
5 |
+ C1 |
3,6 |
1,14 |
3,160 |
|
|
6 |
+ C2 + С2 |
1,2 |
0,38 |
3,160 |
|
|
7 |
Двуполупериодный выпрямитель |
- |
2 |
1,27 |
1,575 |
|
+ L |
1,3 |
0,83 |
1,566 |
||
|
8 |
+ L + C1 |
0,5 |
0,32 |
1,562 |
|
|
9 |
+ L + C1 + C2 |
0,06 |
0,04 |
1,5 |
|
|
10 |
+ C1 |
1,1 |
0,70 |
1,571 |
|
|
11 |
+ C2 + С2 |
0,5 |
0,32 |
1,562 |
|
|
12 |
Мостовой однофазный двуполупериодный выпрямитель |
- |
4,2 |
2,67 |
1,573 |
|
+ L |
3,6 |
2,29 |
1,572 |
||
|
13 |
+ L + C1 |
1,1 |
0,70 |
1,571 |
|
|
14 |
+ L + C1 + C2 |
0,15 |
0,09 |
1,667 |
|
|
15 |
+ C1 |
2,2 |
1,4 |
1,571 |
|
|
16 |
+ C2 + С2 |
0,6 |
0,38 |
1,579 |
Вывод
В данной лабораторной работе было выполнено исследование однофазных выпрямителей, рассчитан коэффициент пульсаций для различных схем выпрямителей.
Простейшим выпрямителем является диод. Он снабжен двумя электродами, называемыми анодом и катодом, и использует свойство односторонней проводимости (или вентильности) электрического перехода. В качестве такого перехода наибольшее распространение получил p-n переход.
Вентильное свойство диода отражает его вольт-амперная характеристика. При положительном напряжении (анод находится под более высоким потенциалом, чем катод) диод открыт: под действием приложенного напряжения носители заряда преодолевают потенциальный барьер и через p-n переход протекает ток, который обусловлен переносом, главным образом, основных носителей заряда р-слоя, дырок. Падение напряжения на открытом диоде мало и обычно не превышает одного вольта.
При отрицательном напряжении (потенциал анода ниже потенциала катода) ток диода связан с переносом неосновных носителей заряда, концентрация которых мала. Величина тока на несколько порядков меньше тока открытого диода, а напряжение в сотни раз больше.
Для повышения качества напряжения на выходе выпрямителя ус танавливаются сглаживающие фильтры, которые должны, с одной сто роны, пропускать без ослабления постоянную составляющую выпрям ленного напряжения в нагрузку, а с другой стороны, ослаблять гармонические составляющие. Фильтры выпол няются на реактивных элементах (индуктивностях и конденсаторах), сопротивления которых являются функциями частоты.
В емкостном фильтре конденсатор включается параллельно соп ротивлению нагрузки, в индуктивном – последовательно.
Сглаживающее действие емкостного фильтра определяется про цессами заряда и разряда конденсатора Сф.
При открытии одного из диодов происходит заряд конденсато ра. Вследствие малых величин сопротивлений обмоток трансформато ра и открытого диода, а также достаточно большой величины сопро тивления нагрузки RH можно считать, что изменение напряжения на конденсаторе при его заряде практически будет повторять измене ние напряжения, подаваемого на анод открытого диода.
При значении фазы , превышающей величину, при которой достигается максимум напряжения на аноде диода, наступает момент выравнива ния напряжений на аноде и катоде диода.
В момент времени, когда диоды закрыты, происходит разряд конденсатора Сф через сопротивление нагрузки RH с соответствую щим уменьшением на нем напряжения. Разряд будет продолжаться до момента времени t, когда напряжение на конденсаторе станет рав ным напряжению на аноде диода.
Диод откры вается, а конденсатор Сф вновь начинает заряжаться.
Качество фильтрации повышается с увеличением емкости конденсатора и сопротивления нагрузки. При бесконечно больших значениях Сф и RH напряжение на нагрузке имеет максимальное значение, равное амплитуде напряже ния, подводимого к анодам диодов.
Индуктивный фильтр состоит из дросселя, включенного последовательно с нагрузкой. Под дросселем подразумевается обычная катушка, характеризующаяся определённой индуктивностью.
Сглаживающее действие такого фильтра основано на возникновении в дросселе ЭДС самоиндукции, препятствующей изменению выпрямленного тока. Дроссель выбирается так, чтобы индуктивное сопротивление его обмотки было больше сопротивления нагрузки RH. При выполнении этого условия большая часть переменной составляющей падает на обмотке дросселя. На сопротивлении нагрузки выделяется в основном постоянная составляющая выпрямленного напряжения и переменная составляющая, величина которой намного меньше переменной составляющей напряжения, падающего на обмотке дросселя.
При использовании LC – фильтра сопротивление дросселя для переменных составляющих тока соединяется с нагрузкой последовательно, а конденсатор параллельно, и если выполняется условие Хс << Rн << ХL, то напряжение пульсаций на нагрузке будет малым.
Список литературы
- Электротехника и основы электроники/ О.А. Антонова, О.П. Глудкин, П.Д. Давидов. Под ред. О.П. Глудкина, В.П. Соколова. – М.: Высшая школа, 1998
- Жеребцов И. П. Основы электроники. – Л. Энергоатомиздат, 1999
2. Тема количество часов всего часов Примерные темы уроков Тема
3. Техника перевоплощения
4. Графовые модели Остов минимального веса
5. Курсовая работа- Учет налоговых платежей
6. Основные понятия в бухгалтерском учете
7. Основы организации учета затрат и калькулирование себестоимости продукции, работ, услуг
8. Информационные технологии обеспечения управленческой деятельности
9. Понятие категории троп
10. РУССКАЯ ПАТРИАРХАЛЬНАЯ СЕМЬЯ
11. Пусть минуют вас несчастьяПусть минует вас беда
12. ВАРИАНТ 9 проверено 20
13. Природа детства и предмет детской психологии1
14. . Традиции и новаторство в немецкой классической философии
15. Тема- Аллергия- стадии аллергических реакций и их патогенез Дисциплина- Патологическая физи
16. Аналіз ефективності діяльності комерційного банку з використанням стандартизованої рейтингової системи CAMEL
17. Химия Земли
18. Механическая работа
19. тема- 11 Предмет специфика и задачи этики
20. педагогическая сущность процесса обучения