Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
НИУ МЭИ
Кафедра РПУ
Лабораторная работа № 2
" ИССЛЕДОВАНИЕ ЧАСТОТНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ МАЛОСИГНАЛЬНЫХ
Y-ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ."
группа: ЭР-12-11
Бригада №2
Выполнил: Куц О.О
Пименов А. П
Проверил: Торопчин Д. С.
Москва 2013
1.В соответствии с номером бригады по табл. 3.1 выберите тип транзисто- ра, параметры режима по постоянному току (ток коллектора I0К, напря- жение коллектор-эмиттер U0К) и частоту сигнала: Бр.2, Транз.: КТ3102В, I0К = 2мА, U0К = 6 В, f0 = 1.2 МГц.
3. Проведите измерение Y-параметров транзистора, включѐнного по схеме с
ОЭ.
б) В интервале частот 100 кГц-300 МГц измерьте зависимость от частоты
модулей следующих Y-параметров:
- входной проводимости Y 11 ;
- крутизны Y 21;
- выходной проводимости Y 22 .
По результатам измерений определите граничную частоту транзистора
f S , при которой модуль крутизны уменьшается в √2 раз по сравнению
с его низкочастотным значением.
По результатам измерений определим граничную частоту транзистора:
Верхний график- модуль входной проводимости Y11 от частоты.
Средний график- модуль крутизны Y21 от частоты.
Нижний график- модуль выходной проводимости Y22 от частоты
Вывод : Частота среза, при которой модуль крутизны уменьшается в √2 раз по сравнению с его низкочастотным значением равен fs=14,929МГц.
в) Измерьте зависимость от частоты эквивалентных ѐмкостей C 11 и C 22
при вариации тока коллектора. Для этого в режиме Stepping задайте
изменение напряжения смещения на базе транзистора таким образом,
чтобы ток коллектора изменялся приблизительно в пределах 1-10 мА.
Сделайте вывод о характере зависимости эквивалентных ѐмкостей
транзистора от частоты и тока коллектора.
Вывод: с увеличением тока коллектора на низких частотах эквивалентная емкость С11 увеличивается, а на высоких наоборот- уменьшается, ёмкость С22 при увеличении тока увеличивается. Обе емкости при увеличении частоты уменьшаются.
г) Постройте семейство годографов параметра Y21 при вариации тока
коллектора в пределах 1-10 мА. Сделайте вывод о влиянии тока коллектора на крутизну транзистора.
Вывод: при увеличении тока коллектора крутизна транзистора увеличивается.
д) При токе коллектора I0К измерьте низкочастотные значения (значения
на частоте f<< f s) следующих параметров (эти результаты будут использованы в лабораторной работе № 4 «Исследование модели резистивного усилителя»):
- крутизны S= g 21НЧ
- активной составляющей входной проводимости g 11НЧ ;
- активной составляющей выходной проводимости g 22НЧ ;
- выходной ѐмкости C 22НЧ .
е) На заданной частоте f 0 при токе коллектора I 0К измерьте значения следующих параметров (эти результаты будут использованы в лабораторной работе № 5 «Исследование модели резонансного усилителя»):
4. Проведите измерение Y-параметров транзистора, включѐнного по схеме с ОБ.
а) Измерение зависимости от частоты модулей параметров Y11, Y21, Y22 в интервале частот 100кГц - 300МГц. Сопоставьте значения входной проводимости транзистора при включении его по схеме с ОЭ и с ОБ. Обратите внимание на характер реактивной составляющей входной проводимости для этих двух случаев.
Верхний график - модуль входной проводимости Y11 от частоты;
Средний график - модуль крутизны Y21 от частоты;
Нижний график - модуля выходной проводимости Y22 от частоты.
Вывод: при включении транзистора в схему с ОБ, значение входной проводимости возрастает более резко, по сравнению со схемой с ОЭ. Характер крутизны с ОБ и ОЭ имеет примерно одинаковый вид . Характер выходной проводимости имеет одинаковый вид.
б) Измерьте зависимость от частоты эквивалентных ёмкостей C 11 и C 22 .Проведите сопоставление с аналогичными зависимостями для схемы с ОЭ. Обратите внимание на характер ёмкости C 11 . Сделайте выводы.
Вывод: входная ёмкость С11 при включении транзистора по схеме с общей базой с увеличением частоты – уменьшается , так же в схеме с ОЭ . Выходная ёмкость C22 с увеличением частоты уменьшается.