Будь умным!


У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.net

1 Расчет и построение выходных характеристик транзистора Исходные данные- q 1610 ~19 Кл ~ заряд эле

Работа добавлена на сайт samzan.net:

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 2.11.2024

1 Расчет входной и выходной характеристики транзистора с использованием модели Молла – Эберса.

1.1 Расчет и построение выходных характеристик транзистора

Исходные данные:

  •  q = 1,6*10 –19 Кл – заряд электрона;
  •  ni = 1,5*1010 см –3 – концентрация, при температуре 300 К;
  •  А = 1*10 –6 см2 – площадь p-n перехода;
  •  Дnк = 34 см2/с – коэффициент диффузии электронов в коллекторной области;
  •  Дрб = 13 см2/с – коэффициент диффузии дырок в базовой области;
  •  Ln = 4.1*10 –4 м – диффузионная длина электрона;
  •  UТ = 25,8 мВ – температурный потенциал при температуре 300 К;
  •  Wб = 4,9 мм – ширина базовой области;
  •  Nдб = 1,1*1016 см –3 – донорная концентрация в базовой области;
  •  Nак = 3*1017 см –3 – акцепторная концентрация в коллекторной области;

          (1.1)

UЭ  – const

-UК = 0; 0.01; 0.05; 0.1; 1; 1.5; 2; 3; 4; 5;

Находим значение IК , затем меняя UЭ , при тех же значениях UК находим значения тока.

Таблица 1.1 – Значения IК при разных значениях UЭ

IК при UЭ = 0 В

IК при UЭ =0.005 В

IК при UЭ = 0.01 В

IК при UЭ =0.015 В

IК при UЭ = 0.02 В

0

0

0

0

0

8.429e-3

5.598e-3

0.021

0.029

0.039

0.023

0.014

0.035

0.043

0.053

6.749

0.028

0.038

0.046

0.056

0.026

0.032

0.039

0.047

0.057

0.026

0.032

0.039

0.047

0.057

0.026

0.032

0.039

0.047

0.057

0.026

0.032

0.039

0.047

0.057

0.026

0.032

0.039

0.047

0.057

0.026

0.032

0.039

0.047

0.057


По полученным данным построим график зависимости представленный на рисунке 1.1

Рисунок 1.1 – Выходная характеристика транзистора

1.2 Расчет и построение входных характеристик транзистора

       (1.2)

UЭ = 0; 0.01; 0.02; 0.03; 0.04; 0.05; 0.06; 0.07; 0.08; 0.09

UК – const

Таблица 1.2 – Значения тока эмиттера при различных значениях UЭ

IЭ при UК = 0 В

IЭ при UК = - В

IЭ при UК = 0.03 В

0

-0.026

0.057

-0.012

-0.039

0.045

-0.031

-0.057

0.027

Продолжение таблицы 1.2

-0.057

-0.084

-3.552e-10

-0.097

-0.123

-0.039

-0.154

-0.181

-0.097

-0.239

-0.265

-0.182

-0.363

-0.390

-0.306

-0.546

-0.573

-0.489

-0.815

-0.841

-0.758

Для построения входной характеристики нужны значения тока базы

                                 

 IБ = -(IЭ + IК )                                                           (1.3)

Таблица 1.3 – Значения тока базы

IБ [мА]

0

0.021

-0.070

3.954e-3

0.025

-0.066

8.033e-3

0.029

-0.062

0.031

0.052

-0.038

0.070

0.091

4.754e-4

0.128

0.149

0.058

0.213

0.233

0.143

0.337

0.358

0.267

0.520

0.541

0.450

0.788

0.809

0.719

По значениям токов и напряжений построим зависимость тока базы от напряжения UБЭ представленную на рисунке 1.2.

Рисунок 1.2 – Входные характеристики транзистора

2 Расчет концентрации не основных носителей

Исходные данные:

  •  Wе = 3,0 мм – ширина эмиттерной области;
  •  Wб = 4,9 мкм – ширина базовой области;
  •  Wк = 5,1 мм – ширина коллекторной области;
  •  Х = 10 мм

2.1 В эмиттерной области:

где UЭ = 0,005B

Рисунок 2.1 – График распределения концентрации от координат в эмиттерной области

2.2 В базовой области:

UЭ = 0.005 В;  UК = 1.4 В.

Рисунок 2.2 – График распределения концентрации в базовой области

В эмиттерной области:

UК = 1.4 В

Рисунок 2.3 – График концентрации в коллекторной области

3 Расчет эффективности эмиттера

UЭ = 0,2 В;  UК = 0,1 В

4 Коэффициент переноса тока через базу

5 Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ

где М – коэффициент умножения тока коллектора

6 Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ

7 Расчет барьерной емкости коллекторного перехода

где U0 – пороговое напряжение перехода

8 Расчет h – параметров

Для вычисления h – параметров используем характеристики транзистора полученные с использованием модели Молла – Эберса.

Рисунок 8.1 – Выходные характеристики транзистора

UКЭ =EK – IKRH,

EK = IKRH + UКЭ,

ЕК = 0,057*10+(-5)=4,43

Рисунок 8.2 – Входные характеристики транзистора

Воспользуемся формулами связи между параметрами транзистора при различных включениях.

9 Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода

10 Расчет дифферинцеальной емкости эмиттерного перехода

11 Расчет эффекта Эрли

При UЭ = const, концентрация носителей в базовой области становится функцией коллекторного напряжения:

UK

0

0.2

0.4

0.8

1.2

1.4

Рисунок 11.1 –  Зависимости концентраций в базовой области:

1 – в зависимости от ширины базы, 2 – как функция от приложенного UK

12 Расчет и построение ФЧХ и АЧХ

12.1 ФЧХ

изменяем 0 – 1000 Гц

0

0.1

10

100

200

500

1000

-0.42

-5.465

-21.465

-62.34

-80

-85.2

Рисунок 12.1 – ФЧХ

12.2 АЧХ

При использовании тех же частот

Рисунок 12.1 - АЧХ




1. Население Индии и государственное устройство
2. Опера Джузеппе Верди Фальстаф (Flstff)
3. Чудомастера Программное содержание Воспитывать у детей уважение и интерес к народным промыслам
4. О пользе точности темплейтов
5. тема человек ~ среда обитания
6. Христианство ликующее
7. ПРАКТИКУМ З ЗАГАЛЬНОЇ ПСИХОЛОГІЇ ПОНЯТТЯ МЕТОДУ НАУКОВОГО ДОСЛІДЖЕННЯ Наукове дослідженняце пр
8. Розничная торговля, осуществляемая вне магазина
9. КОНТРОЛЬНА РОБОТА з дисципліни Соціальнопсихологічна експертиза КОПІНГ ~ ПОВЕДІНКА ОС
10. РЕФЕРАТ дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата наук з державного управління.
11. Право в Древней Руси и самодержавной России
12. й и 2й медицинские и международный Курс-
13. Биосфера и ноосфера
14. НА ТЕМУ- ФЕДЕРАЛИЗМ В РОССИИ Студентки 4 курса МО Бабаджановой Е
15.  Структура управления заводом и цехом 4 2
16. Политология как наука.html
17. Антимонопольная политика Составитель Е
18. Тема 3. Личность. Социализация.
19. Общая характеристика преступлений против семьи и несовершеннолетних
20. ЦДТ