Поможем написать учебную работу
Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
1 Расчет входной и выходной характеристики транзистора с использованием модели Молла Эберса.
1.1 Расчет и построение выходных характеристик транзистора
Исходные данные:
(1.1)
UЭ const
-UК = 0; 0.01; 0.05; 0.1; 1; 1.5; 2; 3; 4; 5;
Находим значение IК , затем меняя UЭ , при тех же значениях UК находим значения тока.
Таблица 1.1 Значения IК при разных значениях UЭ
IК при UЭ = 0 В |
IК при UЭ =0.005 В |
IК при UЭ = 0.01 В |
IК при UЭ =0.015 В |
IК при UЭ = 0.02 В |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
8.429e-3 |
5.598e-3 |
0.021 |
0.029 |
0.039 |
0.023 |
0.014 |
0.035 |
0.043 |
0.053 |
6.749 |
0.028 |
0.038 |
0.046 |
0.056 |
0.026 |
0.032 |
0.039 |
0.047 |
0.057 |
0.026 |
0.032 |
0.039 |
0.047 |
0.057 |
0.026 |
0.032 |
0.039 |
0.047 |
0.057 |
0.026 |
0.032 |
0.039 |
0.047 |
0.057 |
0.026 |
0.032 |
0.039 |
0.047 |
0.057 |
0.026 |
0.032 |
0.039 |
0.047 |
0.057 |
По полученным данным построим график зависимости представленный на рисунке 1.1
Рисунок 1.1 Выходная характеристика транзистора
1.2 Расчет и построение входных характеристик транзистора
(1.2)
UЭ = 0; 0.01; 0.02; 0.03; 0.04; 0.05; 0.06; 0.07; 0.08; 0.09
UК const
Таблица 1.2 Значения тока эмиттера при различных значениях UЭ
IЭ при UК = 0 В |
IЭ при UК = - В |
IЭ при UК = 0.03 В |
0 |
-0.026 |
0.057 |
-0.012 |
-0.039 |
0.045 |
-0.031 |
-0.057 |
0.027 |
Продолжение таблицы 1.2
-0.057 |
-0.084 |
-3.552e-10 |
-0.097 |
-0.123 |
-0.039 |
-0.154 |
-0.181 |
-0.097 |
-0.239 |
-0.265 |
-0.182 |
-0.363 |
-0.390 |
-0.306 |
-0.546 |
-0.573 |
-0.489 |
-0.815 |
-0.841 |
-0.758 |
Для построения входной характеристики нужны значения тока базы
IБ = -(IЭ + IК ) (1.3)
IБ [мА] |
||
0 |
0.021 |
-0.070 |
3.954e-3 |
0.025 |
-0.066 |
8.033e-3 |
0.029 |
-0.062 |
0.031 |
0.052 |
-0.038 |
0.070 |
0.091 |
4.754e-4 |
0.128 |
0.149 |
0.058 |
0.213 |
0.233 |
0.143 |
0.337 |
0.358 |
0.267 |
0.520 |
0.541 |
0.450 |
0.788 |
0.809 |
0.719 |
По значениям токов и напряжений построим зависимость тока базы от напряжения UБЭ представленную на рисунке 1.2.
Рисунок 1.2 Входные характеристики транзистора
Исходные данные:
2.1 В эмиттерной области:
где UЭ = 0,005B
Рисунок 2.1 График распределения концентрации от координат в эмиттерной области
2.2 В базовой области:
UЭ = 0.005 В; UК = 1.4 В.
Рисунок 2.2 График распределения концентрации в базовой области
В эмиттерной области:
UК = 1.4 В
Рисунок 2.3 График концентрации в коллекторной области
3 Расчет эффективности эмиттера
UЭ = 0,2 В; UК = 0,1 В
где М коэффициент умножения тока коллектора
где U0 пороговое напряжение перехода
8 Расчет h параметров
Для вычисления h параметров используем характеристики транзистора полученные с использованием модели Молла Эберса.
Рисунок 8.1 Выходные характеристики транзистора
UКЭ =EK IKRH,
EK = IKRH + UКЭ,
ЕК = 0,057*10+(-5)=4,43
Рисунок 8.2 Входные характеристики транзистора
Воспользуемся формулами связи между параметрами транзистора при различных включениях.
При UЭ = const, концентрация носителей в базовой области становится функцией коллекторного напряжения:
UK |
0 0.2 0.4 0.8 1.2 1.4 |
Рисунок 11.1 Зависимости концентраций в базовой области:
1 в зависимости от ширины базы, 2 как функция от приложенного UK
12 Расчет и построение ФЧХ и АЧХ
12.1 ФЧХ
изменяем 0 1000 Гц
|
0 |
0.1 10 100 200 500 1000 |
-0.42 -5.465 -21.465 -62.34 -80 -85.2 |
Рисунок 12.1 ФЧХ
12.2 АЧХ
Рисунок 12.1 - АЧХ