темах різного значення

Работа добавлена на сайт samzan.net:

Запам'ятовуючі пристрої цифрових систем

Основні відомості, класифікація та основні параметри напівпровідникових запам’ятовуючих пристроїв (ЗП).

 ЗП використовують для зберігання інформації та обміну її з іншими ЗП. Мікросхеми пам’яті у загальному обсязі випуска ІС займають біля 40% та відіграють важливу роль у багатьох системах різного значення.

Мікросхеми і системи пам’яті постійно удосконалюються як в галузі схемотехніки так і в галузі розвитку нових архітектур. В теперішній час створені і використовуються десятки різних типів ЗП.

 Функція пам’яті.

Пам’ять сучасних комп’ютерів класифікують за функціональним призначенням, видом носія інформації, способом організації доступу до інформації.

За функціональним призначенням пам’ять комп’ютерів поділяється на дві основні групи: зовнішню і внутрішню.

Зовнішні ЗП призначені для тривалого зберігання великих масивів інформації з великою ємністю до гігабайт і більше та малою швидкодією (диски, оптичні диски та інше).

Внутрішні ЗП призначені для зберігання програм і даних, які виконуються в поточний момент часу. До внутрішньої пам’яті відносяться:

1.  ОЗП, які характеризуються високою швидкодією, та інформаційною ємністю до сотень мегабайт. ОЗП в теперішній час реалізується на напівпровідникових ВІС ЗП;
2.  ПЗП, які будуються на напівпровідникових ВІС. У постійну пам’ять інформація записується заздалегідь і її можна тільки прочитувати.

(ОЗП та ПЗП утворюють основну пам’ять комп’ютера);

1.  регістрові ЗП, які використовують регістри загального призначення процесора; вони мають невелику інформаційну ємність і швидкодію роботи процесора;
2.  кеш-пам’ять, яка служить для зберігання копій інформації, що використовуються в поточних операціях обміну. Висока швидкодія кеш-пам’яті підвищує продуктивність комп’ютера;
3.  спеціалізовані види характерні для деяких специфічних структур (багатопортові, асоціативні, відеопам’ять та інші).

За фізичним принципом побудови пам’ять комп’ютера буває:

1.  магнітна (на осерді та плівках, на циліндричних і плоских магнітних доменах);
2.  ультразвукова (магнітострикційна, електрострикційна);
3.  сегнетоелектрична і голографічна (лазерна) на основі надпровідності;
4.  напівпровідникова на ВІС і НВІС, ультра-ВІС (розглянемо).

Напівпровідникові ВІС ЗП характеризуються:

1.  технологією виготовлення, на біполярних транзисторах (ТТЛШ, ЕЗЛ, І2Л), на МОН-структурах (р-МОН, п-МОН, КМОН);
2.  за способом зберігання інформації – статичні та динамічні (у статичних ЗП елементом пам’яті є тригер, а у динамічних елемент пам’яті будують на конденсаторі і МОН-транзисторах);
3.  за енергозалежністю: розрізняють енергозалежні ВІС ЗП, в яких при відключенні джерела живлення інформація, яка зберігається, руйнується і енергозалежні (звичайно на сегнетоелектриках), в яких інформація зберігається;
4.  за структурною організацією ВІС ЗП, яка має такий вигляд N x m, де N – кількість адресних одиниць інформації, що зберігається, N = 2k, де k – кількість адресних входів; m – розрядність інформації (організацію у вигляді N x 1 називають однорозрядною, а N x m – словниковою, при цьому m > 1).

Елементний базис пам’яті сучасних комп’ютерів складають мікросхеми різного ступеня інтеграції. Основою будь-якого ЗП є елемент пам’яті (ЕП) статичного або динамічного  типу, призначений для записування, зберігання і зчитування одного біта інформації.

Сукупність ЕП, які утворюють n-розрядне слово, називають коміркою пам’яті (КП).

Найважливіші параметри ЗП

 

Пам’ять характеризується інформаційною ємністю, фізичним об’ємом, питомою ємністю і вартістю, шириною вибірки, споживаною потужністю і швидкодією.

 Інформаційна ємність (Е) являє собою максимальний об’єм даних, який може одночасно зберігатися в пам’яті. Ємність виражається в бітах, байтах, кілобайтах (210 байт = 1 Кбайт), мегабайтах (210 Кбайт = 1 Мбайт) і гігабайтах (210 Мбайт = 1 Гбайт) (210 = 1024).

 Організація ЗП – добуток числа зберігаємих слів на їх розрядність. Потрібно відмітити, що при одній і тій же інформаційній ємності, організація може бути різною.

 Наприклад. Інформаційна ємність Е = 1024 біт.

Організація: 1024 х 1 біт;

    512 х 2 біт;

    254 х 4 біт;

    128 х 8 біт;

таким чином організація є самостійним важливим параметром і записується парою чисел.

Питома ємність визначається відношенням інформаційної ємності ЗП до його фізичного об’єму.

Ширина вибірки подається числом розрядів, які записуються в ЗП або зчитуються з нього за одне звернення.

Споживану потужність – задають або для всього ЗП, або на зберігання одного біта інформації.

Швидкодія ЗП вимірюється часом записування і зчитування та тривалістю відповідних їм циклів.

Час записування tWR – це інтервал між моментами появи керуючого сигналу записування і установленням КП в стан, який задають вхідні сигнали.

Час зчитування – це інтервал між моментами появи керуючого сигналу читання tRD і даних на виході пам’яті. Мінімально допустимий інтервал між послідовними читаннями tCYR і записуваннями tCYW створює відповідний цикл.

Тривалість циклів може перевищувати час читання чи записування, оскільки після цих операцій необхідна додаткова затримка для встановлення початкового стану пам’яті.

У наш час використовують різні типи ЗП, які розрізняються принципами побудови та своїми характеристиками.

Вхідні та вихідні сигнали мікросхеми пам’яті

Мікросхеми ОП (оперативної пам’яті) мають типові виводи, на яких діють визначені адресні, інформаційні та керуючі сигнали.

а) статична пам’ять

б) динамічна пам’ять

Рис.1

Призначення виводів і сигналів:

1.  А (Address) – входи адреси, k – розрядність адреси, N = 2k максимально можливе число даних (біт, байт, слів), що зберігаються в пам’яті і адресуються як єдине ціле;
2.  DI (DATA INPUT) – шина вхідних даних;
3.  D0 (DATA OUT) – шина вихідних даних;
4.  DIO – спільний вивід для DI і DО;
5.   (Write/Read) – сигнал записування даних при = 0 або зчитування при = 1;
6.   (Chip Select) або (Chip Enable) сигнал дозволу при () = 0 або заборони () = 1;
7.   (Row Address Strobe) – строб. сигнал виборки Ах

        -   (Column Address Strobe) - строб. сигнал виборки Ау

Особливістю роботи динамічних ЗП є мультиплексування ША (рис.1 б). Адреса, наприклад, А = А15, А14, … А0 ділиться на старшу напівадресу  Ах = А15, … А8 і молодшу Ау = А7, А6, … А0. Напівадреси подаються на одні й ті ж входи адреси мікросхеми пам’яті.Такий спосіб адресації зменшує число виводів корпусу ІМС.

Класифікація сучасних ЗП

Для класифікації ЗП, рис.3, найважливішим признаком являється спосіб доступу до даних. У напівпровідникових ЗП виділяють адресні, послідовні й асоціативні способи доступу до даних (рис. 3).

При адресному доступі адресний код указує номер комірки пам′яті, з якою має проводитися обмін. Усі комірки в момент звернення рівно доступні. До адресних ЗП відносяться:

1.  RAM (Random Access Memory), українські синоніми: ОЗП      (оперативний ЗП) або ЗПДВ (ЗП з довільною вибіркою);
2.  ROM (Read Only Memory), український термін – ПЗП (постійні ЗП).

Синхронні

(конвеєрні)

FPM

EDORAM

BEDORAM

MDRAM

SDRAM

DRDRAM

CDRAM

Асоціативні

Повністю

асоціативні

Наборно-асоціативні

Файлові    

Циклічні

FIFO 

Послідовні

Стекові

Адресні

 RAM

Напівпровідникові ЗП

ROM

ЕРROM

ROM (М)

РROM

ЕЕРROM

FLASH

Динамічні

Статичні

Асинхронні

Тактовані

Синхронні

(конвеєрні)

Стандартні

Квазістатичні

З прямим розміщенням

 

RDRAM

 

Рис.3

Оперативні ЗП зберігають дані, необхідні при виконанні поточної програми; вони можуть бути змінені в будь-який момент часу. Оперативні ЗП в більшості є енергозалежні. У постійних ЗП вміст комірок або взагалі не змінюється, або змінюється рідко в спеціональних режимах.

 Запам′ятовуючі пристрої RAM поділяються на статичні SRAM (Static RAM) і динамічні DRAM (Dynamic RAM). У статичних RAM елементами пам′яті є тригери. Вони зберігають свій стан, поки схема має напругу живлення і нові дані не записуються. У динамічних RAM дані зберігаються у вигляді зарядів конденсаторів, створюваних компонентами МОН-транзисторів. Самозаряд конденсаторів веде до руйнування даних, тому вони періодично (кожні 2-30 мс) мають регенеруватися. Але щільність упакування динамічних ЕП перевищує в 4 - 5 разів такий же показник для статичних RAM. Регенерація даних здійснюється за допомогою спеціальних контролерів. Розроблені також DRAM із внутрішніми схемами регенерації; такі ЗП називаються квазістатичними.

 Статичні ОЗП розподіляють на такі типи:

1.  асинхронні – керуючі сигнали можна задавати як імпульсами, так і рівнями;
2.  тактовані – в них деякі сигнали мають бути обов′язково імпульсами, наприклад, сигнал дозволу роботи ;
3.  синхронні, в яких організований конвеєрний канал передачі даних, що синхронізується від тактової системи процесора.

Динамічні ЗП характеризуються найбільшою інформаційною ємністю і невисокою вартістю, тому вони використовуються як основна пам′ять комп′ютерів.

Статичні ЗП в 4 – 5 разів дорожчі динамічних і приблизно у стільки ж і приблизно у стільки разів менша їхня інформаційна ємність. Їхнім достоїнством є висока швидкодія, а типовою областю застосування – схеми кеш-пам′яті.

Основні структури запам’ятовуючих пристроїв

Для статичних ОЗП та пам’яті типу ROM характерні структури 2D, 3D, 2DM та блочні структури на їх основі, рис.4.

Структуру пам’яті визначає спосіб розподілу КП між адресними та розрядними лініями. За цією ознакою виділяють такі структури пам’яті: 2D, 3D, 2,5D і модифіковану 2DМ (D від Dimention - розмірність).

              а    б        в                         г

Рис. 4 Узагальнене поняття структури пам’яті: а - 2D; б - 3D;

в – 2,5D; г -.

Кожна матриця (М) в пристрої пам’яті має систему адресних і розрядних ліній (провідників). Адресні (словникові) лінії служать для виділення за адресою будь-якої  комірки пам’яті (КП). Сукупність різних адресних кодів утворює адресний простір пам’яті. Розрядні лінії записування (ЛЗП) служать для введення в кожний розряд вибраної КП цифри 0 або 1 відповідно до вхідної інформації. Розрядні лінії зчитування (ЛЗЧ) служать для знімання інформації, яка зберігається, з розряду вибраної КП. Часто використовують спільну лінію записування-зчитування (ЛЗЗ). Адресні та розрядні лінії разом називаються лініями вибірки. Якщо довжина адресного коду дорівнює k, то кількість слів N, які зберігаються в пам’яті як окремі одиниці даних, визначаються із співвідношення N = 2k.

Структура типа 2D використовується лише в ПЗ малої інформаційної ємності, так як при рості ємності проявляється декілька її недоліків, найбільш явним із котрих являється надмірне ускладнення дешифратора адреси (кількість виходів дешифратора рівно числу зберігаючих слів).

У системі 2D кожний ЕП має одну адресну лінію Аj (одне D), лінії записування ЛЗПj і зчитування ЛЗЧj, які спільно утворюють друге D (рис. 4, а).

Структура 3D дозволяє різко спростити дешифрування адреси за допомогою двухкоординатної вибірки запам’ятовуючих елементів.

У структурі 3D адресу розподіляють на дві частини: старша Ах визначає адреси рядків, а молодша Ау – адреси стовпців; разом вони утворюють 2D. Лінії записування і зчитування утворюють третє D (рис. 4, б). Структури типу 3D мають також досить обмежене застосування, оскільки в структурах типу 2DМ поєднуються переваги обох розглянутих структур - спрощується дешифрація адреси і не потрібні запам'ятовуючі елементи з двокоординатною вибіркою. У структурі 2,5D одна з ЛЗП або ЛЗЧ суміщена з напівадресою Ахі або Ауj (рис. 4, в).  В структурах типа 2DМ поєднуються переваги структур 2D, 3D – спрощується дешифрація  адреси і не потребується ЕП з двухкоординатною вибіркою. У модифікованій системі 2DM використовується спільна лінія ЛЗЗJ, яка поєднується з адресною лінією Ауі. Структури динамічних ОЗП мають свою специфіку.

Мікросхеми пам’яті  

Основні типи ЗП та їх умовне позначення наведені в табл.1.

 Табл.1.

Назва ЗП	Позначення ЗП
За ЕСКД	Види ІС
Оперативні ЗП (ОЗП)	RAM – Random Access Memory	РУ
Постійні ЗП (ПЗП)  масочні  програмовані ПЗП	ROM –Read Only Memory PROM - Programmable ROM	РЕ РТ
Репрограмовані ПЗП (РПЗП)  з ультрафіолетом стиранням і електрозаписом інформації  з елктроперезаписом інформації	EPROM – Erasable Programmable ROM EEPROM – Electrically Erasable Programmable ROM	РФ РР
Асоціативні ЗП (АЗП)	CAM	РА
Інші ЗП		РП

Приклад.  Мікросхеми оперативних запам’ятовуючих пристроїв

КР541РУ2А Статичний оперативний ЗП на основі інжекційних структур

Інформаційна ємність  4096 біт

Організація    1024 слів х 4 розряда

Напруга живлення   5В ± 5%

Сумісність по входу й виходу із ТТЛ-схемами

Таблиця істинності мікросхеми     К541РУ2А К541РУ2,

                        Таблиця 2             К541РУ2, К541РУ2А

CS		A0…A9	DIO0…DIO3	Режим роботи
1 0 0 0	Х 0 0 1	Х А А А	Roff 0 1 Вихідні дані в прямому коді	Зберігання Запис 0 Запис 1 Зчитування

  

               
Рис. 5

       

Призначення виводів мікросхем КР 541РУ2А

        Таблиця 3

Виводи	Призначення	Позначення
1…7, 15 16, 17 11…14 8 10 18 9	Адресні входи Вхід-вихід даних Вибір мікросхеми Сигнал запис – зчитування Напруга живлення Загальний	А6…А3, А0…A2, А9…А7 DIO3…DIO0 UCC 0B

Загальна характеристика постійної пам’яті

Постійна пам’ять призначена для збереження програм, констант, табличних функцій та іншої інформації, яка записується заздалегідь і не змінюється в процесі поточної роботи комп’ютера. Вона застосовується також у перетворювачах кодів, знакогенераторах, у мікропрограмних пристроях керування. Загальним для всіх мікросхем постійної пам’яті є енергонезалежність, словникова організація і використання режиму зчитування як основного.

Мікросхеми постійної пам’яті розділяються на такі групи:

1.  ПЗП або ROM (Read Only Memory) – програмуються одноразово заводом-виготовлювачем, часто називаються масочними;
2.  ППЗП або PROM (Programmable ROM) – програмуються одноразово електричним способом користувачем;
3.  РПЗП-УФ або EPROM (Erasable PROM) – програмуються багаторазово (репрограмуються) з ультрафіолетовим стиранням і електричним записуванням;
4.  РПЗР-ЕС або EEPROM (Electrical EPROM) – програмуються і стираються багаторазово електричним способом.

Мікросхеми постійних запам’ятовуючих пристроїв

КР568РЕ2 Постійні масочні ЗП на п-МОП-структурах

Інформаційна ємність 65536 біт

Організація 8192 слів х Х8 розрядів

Напруга живлення UCC 1 = 5 B ± 5 %; UCC 2 = 12 B ± 5 %

Сумісність по входу й виходу із ТТЛ-схемами

Таблиця істинності мікросхеми КР568РЕ2

                                                                                        Таблиця 6

CS	А0…А12	DO0…DO7	Режим роботи
1 0	Х А	Roff Дані в прямому коді	Зберігання Зчитування

КР568РЕ2                  Рис. 7

Таблиця 7. Призначення виводів мікросхеми КР568РЕ2 Виводи Призначення Позначення 2, 1, 3, 28, 27, 26, 25, 18, 24, 23, 19, 22, 21 9, 11…17 8 6 7 20 4, 5, 10 Адресні входи Вихід даних Вибір мікросхеми Напруга живлення Напруга живлення Загальний Вільні А0…А12 DO0…DO7 CS UCC2 UCC3 0В ----------

Закріплення матеріалу

Дати відповіді на запитання:

1.  Охарактеризуйте принципи побудови постійної пам’яті.
2.  Які переваги має динамічна пам’ять порівняно зі статичною?
3.  Що таке кеш-пам’ять?
4.  Дайте аналіз структур швидкодіючих динамічних мікросхем пам’яті.
5.  Назвіть основні параметри пам’яті.
6.  Охарактеризуйте поняття «пам’ять комп’ютера».
7.  Яка суперечність знаходиться між важливими параметрами ЗП? Навести приклади.
8.  Чому інформація в ЗП зберігається у двійковому коді?
9.  Для чого призначена внутрішня пам’ять?
10.   Для чого призначена зовнішня пам’ять?
11.  Що таке адресний доступ до даних?
12.  У мікрокомп'ютері адреси комірок пам'яті - двійкові числа, що позначають кожну схему пам'яті, що зберігає один байт. Кількість біт, що становлять адреса, залежить від того, скільки комірок пам'яті втримується в мікрокомп'ютері. Ця кількість може бути дуже великою, тому адреси часто виражаються не у двійковому виді, а в шістнадцятковому. Mікрокомп'ютер використовує 20-бітові адреси.

 Cкільки різних комірок пам'яті він може містити? Підкреслити відповідь та пояснити письмово.  

а) 1238576      ___________________________________________________

в) 1048576      ___________________________________________________

с) 1048506      ___________________________________________________

д) 1048376      ___________________________________________________

е) 1238376      ___________________________________________________

1.  У мікрокомп'ютері адреси комірок пам'яті - двійкові числа, що позначають кожну схему пам'яті, що зберігає один байт. Кількість біт, що становлять адреса, залежить від того, скільки комірок пам'яті втримується в мікрокомп'ютері. Ця кількість може бути дуже великою, тому адреси часто виражаються не у двійковому виді, а в шістнадцятковому. Mікрокомп'ютер використовує 20-бітові адреси.
2.  Скільки шістнадцяткових розрядів буде потрібно, щоб представити адреса комірки пам'яті?  Підкреслити відповідь та пояснити письмово.

а) п’ять          ___________________________________________________

в) шість          ___________________________________________________

с) чотири       ____________________________________________________

д) вісім          ____________________________________________________

е) сім             ____________________________________________________

1.  У мікрокомп'ютері адреси комірок пам'яті - двійкові числа, що позначають кожну схему пам'яті, що зберігає один байт. Кількість біт, що становлять адреса, залежить від того, скільки комірок пам'яті втримується в мікрокомп'ютері. Ця кількість може бути дуже великою, тому адреси часто виражаються не у двійковому виді, а в шістнадцятковому. Mікрокомп'ютер використовує 20-бітові адреси.
2.  Який шістнадцятковия адрес має 256-а ячейка пам’яті? (Зверніть увагу: перший адрес завжди 0. ) Підкреслити відповідь та пояснити письмово.

а) F00F0     _____________________________________________________

в) 000FF    _____________________________________________________

с) 00FFF     _____________________________________________________

д) F00FF    ______________________________________________________

е) 0FFFF    ______________________________________________________

Модуль статичної пам’яті

Умовне графічне зображення мікросхем SRAM серій К132РУ9 та К541РУ2 показане на рис.12.

Побудова модуля пам’яті з організацією 1 К х 16 біт на основі чотирьох мікросхем К132РУ9 показана на рис. 12.

Для побудови даного модуля пам’яті необхідно:

1.  підключити десятирозрядну ША (10) до адресних входів всіх мікросхем;
2.  на входи всіх мікросхем подавати сумісні керуючі сигнали , ;
3.  до двонаправлених входів-виходів підключити відповідні розряди з ШД (16).

                                           К132РУ9,   К541РУ2

 

  

 

     

                а                                                б                                                                     

  Рис. 12. Умовні графічні зображення мікросхем

SRAM типу К132РУ9 та К541РУ2.

а – повне; б – спрощене

Розглянутий спосіб побудови блоку пам’яті з більшою розрядністю називають розширенням по горизонталі.

Американська електронна промисловість випускає мікросхеми типу SRAM з організацією 8 К х 8, 16 К х 8, 32 К х 8, 64 К х 8, 128 К х 8 біт та часом    доступу 8-20 нс.

 

Рис. 13 Побудова модуля пам’яті 1 К х 16 біт

Модуль динамічної пам’яті

Динамічні ЗП вітчизняного виробництва (1990р.) в основному представлені мікросхемами К565РУ1 – К565РУ9, які характеризуються такими параметрами:

1.  ємністю – від 4 Кбіт до 4 Мбіт;
2.  організацією – 4 К х 1, 16 К х 1, …, 256 к х 1;
3.  часом доступу – 150 – 500 нс;
4.  споживаною потужністю: при зберіганні інформації 20 – 40 мВт, при обміні 150-400 мВт.

Покоління мікросхем динамічної пам’яті змінюються через п’ять років. Недавно група фірм ІВМ, Siemens та інші представили свої ультра-ВІС пам’яті з параметрами:

1.  технологічні норми – 0,25 мкм;
2.  кількість транзисторів на кристалі площею 286 мм2 – 280 млн.;
3.  час доступу в пакетному режимі – 26 нс.

Модуль динамічної пам’яті ємністю 64 Мбіт, побудований на чотирьох мікросхемах типу 2100 фірми Motorola з організацією 4 М х 4 біт,            показаний на рис. 14.

Рис. 14 Схема модуля динамічної пам’яті

Довжина адресного коду k = 22. Код поділений на дві рівні частини, які подаються мультиплексним способом одночасно на адресні входи мікросхем. По стробу подається старша частина адреси, по стробу - молодша.

Сигнал дозволяє записувати інформацію, а дозволяє записування вихідного буфера при читанні. Інформаційні входи DI і виходи DO об’єднані у спільну шину DIO. Мікросхему випускають у корпусі з 26 виводами.

Задачі для самоконтролю

1. Припустимо, що ЦПП робить операцію читання за адресою 06АЗН. З якого модуля будуть прочитані дані? (рис.15)

Рис. 15

а) адрес не відповідає ні одному модулю  

в) модуль 3

с) модуль 0

 д) модуль 1

е) модуль 2

2. У який модуль пам'яті (рис.15) будуть записані дані, якщо центральний процесор виконує операцію запису за адресою 1С65Н?

а) модуль 1

в) модуль 3

с) модуль 2

д) дані не будуть прийняті не одним модулем ОЗП

е) модуль 0

 

1. Правовые гарантии доступа к информации1
2. Клиника острого горя
3.  Статическая характеристика медного термометра сопротивления имеет вид- RtR01t
4. і Залишалось дві проблеми
5. Особенности административно-территориального устройства.html
6. Шадринский государственный педагогический институт Кафедра всемирной и отечественной истории
7. Развитие слуха и зрения у новорожденных
8. Особливості навчання обдарованих учнів у старших класа
9. ГИГИЕНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ К ВИДЕОДИСПЛЕЙНЫМ ТЕРМИНАЛАМ, ПЕРСОНАЛЬНЫМ ЭЛЕКТРОННО-ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫМ МАШИНАМ И ОРГАНИЗАЦИИ РАБОТЫ
10. S2s If bsds [00005 Then Ht H2s If ds [0
11. Сети документальной связи
12. Контрольная работа- Фондова біржа
13. органи загальної компетенції які здійснюючи свою діяльність у багатьох напрямах водночас реалізують і фі
14. Сочинение- Творческий путь Жоржа Сименона
15. Тема моей курсовой работы ~ Правонарушение понятие признаки состав
16. Реферат- Собеседование- лицом к лицу с работодателем Собеседование- лицом к лицу с работодателем Достойны
17. Фламенко (канте Фламенко
18. Михманнамеи Бухара сообщает- И в улусе казахов султаны претендовали на ханскую власть
19. элементарный чувственный образ отображающий отдельные единичные свойства предмета
20. Об утверждении Инструкции по делопроизводству в региональных центрах по делам гражданской обороны чрезвыч

Материалы собраны группой SamZan и находятся в свободном доступе