Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
Лист
Изм.
Лист
№ Докум.
Подп.
Дата
ВВЕДЕНИЕ
На сегодняшний день акустоэлектроника является одним из активно развивающихся направлений функциональной электроники. Среди акустоэлектронных устройств широкое распространение получили устройства на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Такие преимущества, как высокая надежность, малые масса и размеры, отсутствие энергопотребления, возможность выполнения различных операций обработки сигналов, реализация заданных технических характеристик, с высокой точностью обеспечивают широкое применение и массовую потребность в этих устройствах, и, прежде всего, рынком современных коммерческих средств связи.
Носителем информации в устройствах на ПАВ являются волны, у которых энергия упругих колебаний сосредоточена в тонком приповерхностном слое твердого тела. В качестве среды распространения используются пьезоэлектрические монокристаллы. Для преобразования электрических сигналов в акустические и обратно, а также для отражения и изменения траектории распространения акустических волн используются металлические структуры, нанесенные на поверхность пьезоэлектрической подложки. Возбуждение и прием акустических волн осуществляется с помощью входного и выходного преобразователей ПАВ, число электродов которых может быть различным (от единиц до нескольких тысяч).
2
``Внешний вид устройства на ПАВ с одним встречно-штыревым преобразователем (ВШП) изображен на рис. 1. Отражательные структуры (ОС) ПАВ чаще представляют собой решетки металлических короткозамкнутых или разомкнутых электродов или систему вытравленных в подложке канавок. Доступность акустических волн на всем пути от входного до выходного преобразователя, способность отражаться от неоднородностей поверхности и взаимодействовать с электрическими и акустическими полями обеспечивают возможность построения различных устройств обработки сигналов.
Рис. 1. Устройство на ПАВ
Характеристики устройств на ПАВ определяются свойствами материала подложки и его топологией, т.е. типом, количеством, взаимным расположением и геометрическими размерами преобразователей и отражателей ПАВ.
Топология устройства зависит не только от выполняемой операции обработки сигнала, но и от требуемых технических характеристик. Число различных вариантов топологий современных устройств на ПАВ исчисляется сотнями.
Устройства на ПАВ нашли применение в разнообразных радиоэлектронных системах, в частности в РЛС, в системах связи и радиовещания. Чаще всего такие устройства осуществляют процедуру линейной обработки сигналов, т.е. создают выходную реакцию, которая связана с входным сигналом с помощью заданного линейного соотношения. В теории систем такие устройства называют линейными фильтрами. Примерами служат линии задержки, полосовые фильтры, фильтры для корреляционной обработки сложных сигналов.
2
Фильтр на поверхностных акустических волнах (ПАВ) (рис. 2) является твердотельным функциональным устройством и представляет собой подложку из пьезоэлектрика 1, на поверхность которой методом фотолитографии наносятся системы токопроводящих элементов.
Одна из таких систем – излучающий преобразователь ПАВ 2 – подключается к источнику входного сигнала, другая – приемный преобразователь ПАВ 3 – к нагрузке.
Под действием высокочастотного электрического напряжения источника сигнала в зазорах между смежными электродами излучающего преобразователя возникает переменное электрическое поле, которое вследствие пьезоэффекта материала подложки вызывает механические колебания в ее поверхностном слое. Эти колебания распространяются в тонком приповерхностном слое подложки в направлениях, перпендикулярных электродам в виде поверхностных акустических волн.
Рис. 2. Схема фильтра на поверхностных акустических волнах
Между смежными электродами приемного преобразователя вследствие обратного пьезоэффекта механические колебания ПАВ обуславливают появление электрического напряжения, которое и является выходным сигналом.
С целью устранения нежелательных отражений ПАВ от торцов подложки, а также с целью ослабления других типовакустических волн, которые могут быть возбуждены излучающим преобразователем ПАВ, все нерабочие грани и ее торцы покрываются специальным звукопоглощающим покрытием 4. Для уменьшения вносимого затухания фильтра часто применяют специальные согласующие цепи, которые включаются между источником сигнала и излучающим преобразователем, а также между приемным преобразователем и нагрузкой (на рис. 2 согласующие цепи не показаны).
3
Подложка с преобразователями и согласующие цепи при необходимости помещаются в общий корпус, в качестве которого обычно используется один из унифицированных корпусов микросхем. Характеристики фильтра на ПАВ в основном определяются частотно-избирательными процессами преобразования электрического сигнала в акустические волны и обратно, т.е. зависят от топологии преобразователей ПАВ, а именно: от количества, геометрических размеров и взаимного расположения электродов в преобразователе, от протяженности зон перекрытия смежных электродов (протяженности зазоров), от очередности подсоединения электродов к общим суммирующим шинам. Применяя ту или иную топологию преобразователей, можно реализовать фильтры с самыми разнообразными характеристиками.
По сравнению с другими типами фильтров, например, электрическими LC или RC-типа, фильтры на ПАВ обладают следующими достоинствами:
– возможностью реализаций различных достаточно сложных по форме АЧХ и ФЧХ при высокой точности обеспечения заданных параметров;
– технологичностью изготовления, возможностью применения стандартных технологических процессов микроэлектроники;
– высокой стабильностью параметров в процессе эксплуатации и надежностью работы, объясняющиеся тем, что фильтр на ПАВ представляет собой монолитное твердотельное устройство;
– хорошей сопрягаемостью с блоками микроэлектронной аппаратуры;
– малыми габаритами и весом.
К недостаткам фильтров на ПАВ относятся:
– повышенная стоимость, так как они строятся, как правило, на монокристаллической пьезоподложке;
4
– повышенный уровень вносимых потерь, так как их преобразователи обычно обладают двунаправленным излучением и приемом ПАВ, и поэтому менее одной четверти отдаваемой источником сигнала мощности достигает нагрузки.
Рис. 3. Диапазон возможных параметров фильтров на ПАВ
Удачный набор достоинств фильтров на ПАВ в значительной мере компенсирует их недостатки, поэтому в настоящее время фильтры на ПАВ практически не имеют конкурентов в широком диапазоне частот.
На рис. 3 показан диапазон возможных параметров фильтров на ПАВ.
5
1 ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
1.1 ЭТАПЫ ПРОЦЕССА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ФИЛЬТРОВ НА ПОВЕРХНОСТНО-АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ
Основные этапы процесса проектирования фильтров ПАВ можно показать в виде схемы, представленной на рис. 4.
Первый этап содержит составление требований на фильтр ПАВ, которые чаще всего задаются в частотной области. Поэтому в первый этап включаются требования к параметрам АЧХ (отклонение от заданной формы в полосе частот fн < f < fв и др.).
На первом этапе, кроме параметров АЧХ и ФЧХ, обычно задаются другие необходимые параметры, такие, как сопротивления генератора Rг и нагрузки Rн, между которыми будут работать фильтры, уровень сигнала ивх, интервал рабочих температур, габариты, масса, стоимость и т.п. (в нашем случае не задаются).
6
На втором этапе производится выбор материала звукопровода, поскольку последним определяются основные параметры фильтра: средняя частота, вносимое затухание, затухание в полосе заграждения, уровень ложных сигналов, температурная и временная стабильность, стоимость и т.п. Требования к материалу звукопровода, одновременно отвечающему перечисленным параметрам, достаточно противоречивы, поэтому, прежде всего, необходимо определить, какой набор характеристик материала является решающим для реализации конкретного фильтра. Для типовых конструкций фильтров при выборе материала чаще ориентируются на величину вносимого затухания и температурную стабильность, но для фильтров с жесткими или специальными характеристиками критерии выбора сложнее.
Рис. 4. Основные этапы процесса проектирования фильтров ПАВ
7`
Результатом второго этапа должно быть нахождение основных характеристик материала звукопровода: скорости ПАВ, коэффициента электромеханической связи, угла отклонения потока энергии, коэффициента анизотропии, акустического сопротивления, температурных коэффициентов скорости и задержки, диэлектрической проницаемости.
На третьем этапе устанавливается структурная схема фильтра ПАВ. Как уже отмечалось, передаточные свойства фильтра ПАВ определяются, в основном, преобразователями. Поэтому в первую очередь необходимо выбрать типы и конструкции преобразователей, их количество, способ включения, а также методы взвешивания электродов преобразователей, от которых зависят предельные реализуемые параметры последних.
Кроме того, звукопровод как передаточная среда для акустического сигнала оказывает определенное влияние на избирательные свойства фильтра. Поскольку передаточная функция или импульсная характеристика фильтра в целом зависит от всех конструктивных элементов, входящих в его структурную схему, результатом третьего этапа должно быть составление технических требований на каждый из этих элементов.
После определения структурной схемы задача синтеза фильтра ПАВ, выполняемая на четвертом этапе, сводится к синтезу преобразователей и других конструктивных элементов по заданным параметрам. Поскольку на этом этапе оперируют с параметрами, определяемыми только собственными свойствами преобразователей без учета реальных нагрузок и эффектов второго порядка, то четвертый этап можно назвать синтезом по характеристическим параметрам. На этом этапе выбираются физико-математическая модель (или модели), описывающая работу преобразователей и других конструктивных элементов фильтра с необходимой для конкретного случая точностью, методы расчета частотных и временных характеристик, а также топологии конструктивных элементов и критерии близости рассчитанных характеристик к заданным.
8`
Результатом решения первой задачи синтеза (аппроксимации) должно быть нахождение реализуемых передаточных функций и импульсных характеристик конструктивных элементов, удовлетворяющих заданным критериям близости. Результатом же решения второй задачи синтеза (реализации) должен быть расчет топологии конструктивных элементов и фильтра ПАВ в целом, отвечающих требованиям, заданным на первом и третьем этапах. Ввиду ограниченности объема здесь будут рассматриваться расчеты электрических характеристик и топологии только встречно-штыревых преобразователей ПАВ, наиболее часто используемых при проектировании фильтров.
Входное и выходное сопротивления фильтра ПАВ зависят от апертур входного и выходного ВШП, который совместно с контактными площадками и технологическими полями определяет ширину звукопровода. Требования же к габаритам звукопровода часто диктуются его стоимостью, типом корпуса, в котором будет размещен фильтр ПАВ и др. Поэтому обычно сопротивления фильтра ПАВ отличаются от сопротивления нагрузок, и на его входе и выходе используются активные или пассивные согласующие цепи. Основной целью пятого этапа является выбор типа согласующей цепи и расчет рабочих параметров фильтра при нагружении на реальные сопротивления.
Если согласующие цепи относительно широкополосны и их основная задача состоит в уменьшении вносимого затухания фильтра, то на этом этапе проектирования обычно достаточно лишь учесть их влияние на рабочую передаточную функцию фильтра ПАВ. При выходе рабочих параметров за пределы поля допуска возможна коррекция топологии преобразователей, составляющих фильтр. Поскольку влияние широкополосных согласующих цепей на форму АЧХ и ФЧХ фильтра мало, то коррекция топологии преобразователей в этом случае также будет сравнительно слабой и монотонной, что не скажется сильно на характере последующих коррекций, необходимых, например, для учета влияния эффектов второго порядка.
9`
Если согласующие цепи сравнительно узкополосны и они вносят существенный вклад в формирование общей передаточной функции фильтра, то уже на этапе выбора структурной схемы заданную общую передаточную функцию фильтра следует разделить на составляющие передаточные функции преобразователей, других конструктивных элементов и согласующих цепей. В таком случае после расчета рабочих параметров на пятом этапе обычно требуется лишь сравнительно незначительная корректировка топологии преобразователей для удовлетворения требований к форме АЧХ и ФЧХ.
Пренебрежение влиянием согласующих цепей может привести к сильным искажениям формы АЧХ и ФЧХ и вызвать коренную перестройку фильтра.
Результатом пятого этапа проектирования должны быть электрические схемы входной и выходной согласующих цепей, расчет их элементов, частотных и временных характеристик, а также определение рабочих передаточных функций, импульсных характеристик, сопротивлений и расчет топологии всех конструктивных элементов и фильтра в целом, отвечающих заданным требованиям.
На частотные и временные характеристики фильтра ПАВ эффекты второго порядка оказывают существенное влияние, поэтому практически невозможно создание высококачественного устройства без учета и компенсации этих эффектов. Например, на пульсации АЧХ и ФЧХ в полосе пропускания влияют, в первую очередь, электромагнитная наводка, всевозможные отражения и паразитные ОАВ. Затухание же в полосе заграждения определяется в основном дифракцией ПАВ, электромагнитной наводкой, генерацией паразитных ОАВ, технологическими погрешностями. Коэффициент прямоугольности ухудшается вследствие дифракции и, особенно в широкополосных фильтрах, из-за генерации ОАВ. На режекции в заданных нулях АЧХ существенно сказываются технологические погрешности и др.
Характер эффектов второго порядка зависит в основном от материала звукопровода, конструкции преобразователей и режимов согласования. Поэтому учет эффектов второго порядка производится на шестом этапе после определения топологии фильтра и вида согласующих цепей.
1000`
Причины возникновения этих эффектов, методы расчета и способы их уменьшения весьма разнообразны и часто для различных эффектов противоречат друг другу. Поэтому уже на первом этапе проектирования необходимо выделить сравнительно узкий перечень параметров, наиболее важных для конкретного фильтра, например затухание в полосе заграждения, а на втором и третьем этапах определить пути (конструктивные или расчетно-аналитические) уменьшения искажений из-за каждого эффекта, влияющего на выделенные параметры, например дифракции, электромагнитной наводки и паразитных ОАВ. Кроме того, на третьем этапе следует выдирать конструкции преобразователей и других элементов в фильтрах, минимизирующих одни эффекты, например материалы звукопроводов с низким уровнем паразитных объемных мод или конструкции экранов, снижающих электромагнитную наводку. Тогда на рассматриваемом шестом этапе возможно уже независимо провести компенсацию влияния других эффектов, например, путем корректировки топологии преобразователей.
Если не принималось мер для уменьшения того или иного эффекта, на шестом этапе следует оценить степень его влияния на заданные параметры преобразователей и фильтра в целом.
Результатом проектирования на шестом этапе должно быть определение окончательной структурной схемы фильтра ПАВ, включая конструкции образующих его элементов и согласующие цепи: расчет рабочих параметров с учетом эффектов второго порядка и расчет топологии всех конструктивных элементов фильтра, в том числе топологии преобразователей, скорректированной для компенсации влияния некоторых из эффектов.
При необходимости в процессе проектирования может быть введен самостоятельный (седьмой) этап оптимизации конструкции фильтра по стоимости, габаритам, массе, чувствительности к технологическим погрешностям, времени изготовления фотошаблонов или выпуска документации и т.д. После этого можно изготовлять и испытывать лабораторный образец в качестве прототипа для дальнейших экспериментальных исследований и доработки фильтра (восьмой этап).
В последующих главах в основном рассматриваются задачи, введенные на первом – четвертом этапах.
1100`
1.2 СИНТЕЗ ФИЛЬТРА НА ПОВЕРХНОСТНО-АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ
Проектирование фильтра ПАВ производим по схеме, приведенной на рис. 4.
1. Исходными данными являются:
– центральная частота ;
– относительная полоса пропускания Δf / ;
– число лепестков импульсного отклика m;
– функция аподизации ω(n).
2. Выбирается материал звукопровода и его класс обработки (табл. П7).
3. Выбирается структурная схема фильтра – тип конструкции входного и выходного преобразователей.
4. Производится синтез фильтра:
а) расчет топологии преобразователей.
Если преобразователь эквидистантный неаподизованный (рис. 5), то расчет топологии ведется по ниже приведенным формулам:
Определяем количество пар N электродов
, (1)
1200`
– центральная частота, а Δf = fв – fн, где fв – верхняя граничная частота и fн – нижняя граничная частота. Следует пояснить, что значения fв и fн вытекают из соотношения Δf / .
Рис. 5. Схема проектируемого фильтра на ПАВ
Определяем расстояние h между соседними электродами
, (2)
где – длина волны.
Рассчитываем толщину электродов по формуле
. (3)
Находим апертуру (степень перекрытия) электродов
W=(10…200). (4)
Если ВШП неэквидистантный аподизованный (рис. 5), то для расчета топологии справедливы следующие формулы. Определяем количество пар N электродов
, (5)
где m – число лепестков импульсного отклика.
Определяем расстояние h между соседними электродами по формуле
, (6)
где – время задержки, где =8…10 мм - расстояние между преобразователями, n = 1, 2, …, N – количество пар электродов.
1300`
Рассчитываем толщину электродов по формуле
. (7)
Находим координаты краев электродов ВШП по оси Y
, (8)
где W0 – апертура входного преобразователя, n = –N …+N, а Ф(n) имеет вид
, (9)
где ω(n) – передаточная функция (функция аподизации).
При n = 0 длина электрода равна (10…200)λ. Конец этого электрода будет являться началом системы координат Y(n);
б) определение габаритных размеров проектируемого фильтра.
Определяем длину звукопровода
=+ ++2 , (10)
где Lвх – длина входного преобразователя; Lвых – длина выходного преобразователя; L1 = 8…10 мм – расстояние между преобразователями; L2 = 5…10 мм – расстояние между крайним электродом преобразователя и торцевой гранью звукопровода.
Если преобразователь эквидистантный, то
=h(2N–1)+d.
Если преобразователь неэквидистантный, то
(12)
Ширина звукопровода фильтра
, (13)
где L3 = 5…10 мм – расстояние между общей шиной решетки преобразователя и продольной гранью звукопровода; L4 = 2d – ширина общей шины решетки преобразователя.
Толщина звукопровода выбирается около 20λ для уменьшения влияния объемных волн. В нашем случае толщина звукопровода составляет 1,5 мм.
5. Приводится описание конструкции проектируемого фильтра.
1400`
2 РАССЧЕТНАЯ ЧАСТЬ
2.1 ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ ДЛЯ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
В результате проведения расчётов, должен получиться фильтр на поверхностно-акустических волнах со следующими параметрами:
2.2 ВЫБОР МАТЕРИАЛЛА ЗВУКОПРОВОДА
В качестве материалла звукопровода выбираем ниобат лития LiNbO3, ориентация среза 41,5°Х со скоростью распространения волны υ = 4⋅ м/с. Класс обработки звукопровода – ∇13.
2.3 ВЫБОР СТРУКТУРНОЙ СХЕМЫ ФИЛЬТРА
Структурная схема фильтра – входной преобразователь эквидистантный неаподизованный, выходной – неэквидистантный аподизованный.
2.4 РАСЧЕТ ТОПОЛОГИИ
1) расчет топологии входного преобразователя (эквидистантного неаподизованного).
Если преобразователь эквидистантный неаподизованный (рис. 5), то Определяем количество пар N электродов
,
– центральная частота, а Δf = fв – fн, где fв – верхняя граничная частота (для нашего фильтра fв = Гц) и fн – нижняя граничная частота (для нашего фильтра fн = Гц).
Δf= Гц;
пары.
Определяем расстояние h между соседними электродами
,
где – длина волны.
242мкм;
1500`
мкм.
Рассчитываем толщину электродов по формуле
.
Находим апертуру электродов
W=(10…200).
Для данного проектируемого фильтра выбираем
мкм;
2) расчет топологии выходного преобразователя (неэквидистантного аподизованного).
Определяем количество пар N электродов
,
где m – число лепестков импульсного отклика.
пар.
Определяем расстояние h между соседними электродами по формуле
,
где – время задержки, где =8…10 мм - расстояние между преобразователями, n = 1, 2, …, N – количество пар электродов.
мкс.
Получаем, что
.
Полученные значения запишем в таблицу:
|
n |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
12 |
13 |
14 |
15 |
16 |
|
h, мкм |
21 |
43,1 |
64,7 |
86,4 |
108 |
130 |
151 |
173 |
195 |
217 |
238 |
260 |
282 |
304 |
326 |
347 |
Рассчитываем толщину электродов по формуле
.
Находим координаты краев электродов ВШП по оси Y
1600`
,
где W0 – апертура входного преобразователя, n = –N …+N, а Ф(n) имеет вид
,
где ω(n) – передаточная функция (функция аподизации).
В нашем случае . Следовательно,
.
Получаем, что
.
Полученные значения запишем в таблицу:
|
n |
-16 |
-15 |
-14 |
-13 |
-12 |
-11 |
-10 |
-9 |
-8 |
-7 |
-6 |
|
Y(n) |
270 |
153 |
190 |
309 |
242 |
358 |
135 |
119 |
345 |
244 |
317 |
|
n |
-5 |
-4 |
-3 |
-2 |
-1 |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
|
Y(n) |
203 |
149 |
261 |
204 |
395 |
0 |
84 |
276 |
219 |
330 |
277 |
|
n |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
12 |
13 |
14 |
15 |
16 |
|
Y(n) |
163 |
237 |
134 |
361 |
345 |
121 |
238 |
170 |
290 |
327 |
209 |
При n = 0 длина электрода равна (10…200)λ. Конец этого электрода будет являться началом системы координат Y(n);
3) определение габаритных размеров проектируемого фильтра.
Определяем длину звукопровода
=+ ++2 ,
где =(2–1)+ – длина входного преобразователя;
– длина выходного преобразователя;
L1 = 8…10 мм – расстояние между преобразователями;
L2 = 5…10 мм – расстояние между крайним электродом преобразователя и торцевой гранью звукопровода.
=(2– 1)+= м;
м;
м.
Ширина звукопровода фильтра
1700`
,
где L3 = 5…10 мм – расстояние между общей шиной решетки преобразователя и продольной гранью звукопровода; L4 = 2d – ширина общей шины решетки преобразователя.
мм,
Толщина звукопровода выбирается около 20λ для уменьшения влияния объемных волн. В нашем случае толщина звукопровода составляет 1,5 мм.
2.5 ОПИСАНИЕ КОНСТРУКЦИИ ПРОЕКТИРУЕМОГО ФИЛЬТРА
Фильтр содержит один входной преобразователь и один выходной. Входной преобразователь – эквидистантный неаподизованный широкополосный, число пар штырей – 4. Выходной преобразователь – неэквидистантный аподизованный с числом пар штырей – 16.
Материалом для звукопровода проектируемого фильтра на ПАВ является ниобат лития с ориентацией ZY. Класс обработки звукопровода – ∇13. Размеры подложки 32,3 × 16,5 × 1,5 мм.
Материалом изготовления штырей преобразователей является алюминий А99 ГОСТ11069–64, по соображениям наименьшей стоимости. Для улучшения адгезии используется подслой ванадия. Для защиты от воздействия окружающей среды элементы конструкции ВШП покрываются защитным материалом – фоторезист негативный ФН-11 ТУ6-14-631–71. В качестве материала для поглотителей используется эпоксидная смола ЭД-5 ГОСТ10587–75.
Проектируемый фильтр изготовляют по методу прямой контактной фотолитографии.
Для герметизации фильтра используется металлостеклянный прямоугольный корпус из ковара, со штырьковыми выводами типа 1210 (157.29-1), соответствующий по типоразмеру ГОСТ17467–79.
1800`
Развитие устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ) являются ярким примером рождения новой области техники. Работы в этой области начались в 1960-х гг., после того, как были оценены потенциальные возможности применения рэлеевских волн в радиоэлектронике и были выработаны основные концепции проектирования широкого ряда устройств. Одновременно развивались методы анализа таких устройств, что, в свою очередь привело к самосовершенствованию приемов проектирования и улучшению параметров. В результате появился новый класс высококачественных радиоэлектронных компонентов с широкими возможностями применения, в некоторых случаях позволяющих выполнять совершенно новые процедуры обработки сигналов.
1900`
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ
1. Коледов, Л.А. Конструирование и технология микросхем /
Л.А. Коледов. –М. :Высшая школа, 1984-231с.
2. Орлов, В.С. Фильтры на поверхностных акустических волнах / В.С. Орлов, В.С. Бондаренко. –М. :Радио и связь, 1984.-272с.
3. Рычина, Т.А. Устройства функциональной электроники и электрорадиоэлементы / Т.А. Рычина, А.В. Зеленский. –М.: Радио и связь, 1989.-352с.
4. Свитенко, В.Н. Электрорадиоэлементы: курсовое проектирование: учебное пособие для вузов / В.Н. Свитенко.-М.: Высшая школа,1987.-207с.
5. Фильтры на поверхностных акустических волнах (расчет, технология и применение) / под ред. Г. Меттьюза: пер. с англ. Под ред. В.Б. Акпамбетова. –М.: Радио и связь, 1981.-472с.
2000`