Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
Задание 4
Экспресс- метод опредеоения теплового сопротивления
силовых модулей
Предлагаемый экспресс-метод быстрого определения теплового сопротивления мощных силовых IGBT-модулей апробирован на разработанной в НПП «ИНЕЛС» серии модулей М2ТКИ, МТКИД, МДТКИ, и МКТИ (на точки до 400 А, напряжение 1200В), изгототвливаемых по техноллогии паяной конструкции в пластмасовых негерметичных корпусах с изолированным основанием.
Для измерении с достаточной точностью необходимо создать значительную разность температур между кристаллом и основанием, что требует больших мощностей и отвода тепла. Поэтому измерение требует охлодителя с нанесением слоя теплопроводящей пасты между основанием и охлодителем (слой пасты- суспензия порошка окиси металла в масле, =0,8 Вт/м ). Слой теплопроводящей пасты между корпусом иохлодителем (более эффективный, чем воздух) существует как тепловой барьер между основанием модуля и охлодителем, и это вносит значительный вклад в суммарное сопротивление кристалл-окружающая среда. Выпуклая или вогнутая деформации (неплосткость) основания модуля иохлодителя могут привести к появлению воздушных промежутков , которые еще больше ухудшают тепловое сопротивление между основанием модуля и охладителем.
На рис.3 приведены примеры теплового сопротивления слоя теплопроводящей пасты КПТ-8 в зависимости ее толщины для двух типов корпусов силовых модулей серии МТКИ. Из-за влияния теплового сопротивления пасты тепловое сопротивление модуля может быт измерено со 100%-й ошибкой. Поэтому необходимо исключить из измеряемой величины R тепловое сопротивление слоя теплопроводящей пасты между основанием испытываемого модуля и охладителем, так как для модулей с R значение этого сопротивления сравнимо с измеряемой величиной.
Тепловые сопротивления серии модулей М2ТКИ, МТКИД, МДТКИ, МТКИ ПРИВЕДЕНЫ в табл. 1.
Эксперимент начинается с построения калибровочной кривой температурно-зависимого параметра .Калибровочная кривая показывает значение температуры кристалла в статике зависимости от температурно-зависимого параметра . Они зависят также и от тока и представляют собой семейства кривых для различных значений . Поэтому построение калибровочной кривой и измерения температуры кристалла по температурному параметру следует выполнять при одинаковой амплитуде тока. Температурные зависимости прямого падения напряжении на кристаллов IGBT при различных значениях амплитуды тока могут иметь и отрицательный (при малых токах), и положительный (при больших токах) температурные коэффициенты. Зависимость напряжения на затворе от температуры носит.