У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.net

Лабораторна робота 12 Внутрішній фотоефект у напівпровідниках Мета роботи експериментально встановити

Работа добавлена на сайт samzan.net: 2016-03-13

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 5.4.2025

Лабораторна робота № 12

Внутрішній фотоефект у напівпровідниках

Мета роботи: експериментально встановити залежність опору напівпровідника від величини падаючого на нього потоку електромагнітного випромінювання та визначити чутливість фото резистора.

Прилади та обладнання: напівпровідниковий фото резистор ФСД-Г2, джерело світла (лампа), мікроамперметр та вольтметр постійного струму, джерело, що регулюється, постійної напруги (0-15В) , джерело напруги (6,3В).

Методика експерименту.

Схема лабораторної установки показана на рис.1.

Світло від лампочки накалювання Л падає на фото резистор, змінюючи його опір. За допомогою вольтметру вимірюється напруга на фото резисторі, яка може змінюватись від 0 до 15В. Мікроамперметр вимірює силу струму, що проходить через фото резистор. При збільшенні падаючого світлового потоку опір шунта Rш підключається тумблером SA1 і максимальний струм, що вимірюється становить Imax=5 мА. При відключенні Imax= I мА. Падаючий світловий потік Фп можна зменшувати, збільшуючи відстань від лампи до фото резистора. Його величина розраховується

,

де I- сила світла лампи, S=28 mm –площа світлочутливого шару фото резистору, α=0 –кут між напрямком світлового потоку та нормальною до світлочутливої поверхні, r –відстань між лампами до фото резистора визначається по шкалі.

Можна визначити величину падаючого світлового потоку

Отже, падаючий світловий потік змінюється обернено пропорційно квадрату відстані r від фото резистора до лампи накалювання.

Порядок виконання роботи.

  1.  Встановити вимірювання сили струму Imax=5мА. Включити живлення фото резистора та лампи, встановити напругу 10 В. Визначити силу струму при мінімальній відстані r. Збільшуючи r через 1 см зняти залежність Iп) (при U =const) та побудувати графік.

r(m)

I(A)

U(B)

Rф

Фп

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

2.Обчислити опір фото резистора Rф (Rф=U/Iф).для всіх значень сили струму та побудувати графік залежності Rф=f п)

  1.  установити лампу біля фото резистора (r=1 см). Змінюючи вхідну напругу через I B, зняти залежність I(U) при Ф= const та побудувати графік..

r(m)

U(B)

I(A)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Тестові питання

  1.  Що називається фотоефектом? Види фотоефекту.
  2.  Рівняння Планка.
  3.  Формула Ейнштейна для фотоефекту.
  4.  Як залежить опір від світлового потоку?
  5.  Від чого залежить сила струму фото резистора?
  6.  Де застосовуються фоторезистори?




1. Україна під владою Літви і Польщі
2. Лазерный спекл-коррелятор для исследования поверхностных процессов
3. О защите конкуренции
4. Причины и значение введения христианства на Руси В черноморских греческих городах так же как и на Поду
5. Природно-ресурсный потенциал Латинской Америки
6. Необоротные и оборотные ресурсы и активы предприятий
7. Какой орган должны уведомить государственные служащие в результате совершения коррупции орган проку
8. Проблема происхождения русского народа в отечественной литературе советского и пост-советского периодов
9. Реферат- Онкология (рак поджелудочной железы)
10. .Общие требования при проектировании бетонных и железобетонных конструкций Проектирование по СНБ д.