У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.net

1Магнетроны ~ генераторы СВЧ диапазона

Работа добавлена на сайт samzan.net: 2016-03-13

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 3.2.2025

Билет 9

1)Магнетроны – генераторы СВЧ диапазона.

Магнетрон — это мощная электронная лампа, генерирующая микроволны при взаимодействии потока электронов с магнитным полем.

Магнетроны могут работать на различных частотах от 0,5 до 100 ГГц, с мощностями от нескольких Вт до десятков кВт в непрерывном режиме, и от 10 Вт до 5 МВт в импульсном режиме при длительностях импульсов главным образом от долей до десятков микросекунд.

Магнетроны обладают высоким КПД (до 80 %).

Магнетроны бывают как неперестраиваемые, так и перестраиваемые в небольшом диапазоне частот (обычно менее 10 %). Магнетроны как генераторы сверхвысоких частот широко используются в современной радиолокационной технике.

Резонансный магнетрон состоит из:

1)Анодного блока

2)Резонатор

3)Колебательная система

4)Цилиндрический катод

5)Магниты

Используется в микроволновых печах, радарных устройствах…

2)Силовые полупроводниковые диоды, тиристоры, запираемые тиристоры.

Тиристор является силовым электронным не полностью управляемым ключом. Поэтому иногда в технической литературе его называют однооперационным тиристором, который может сигналом управления переводиться только в проводящее состояние, т.е. включаться. Для его выключения (при работе на постоянном токе) необходимо принимать специальные меры, обеспечивающие спадание прямого тока до нуля. Тиристорный ключ может проводить ток только в одном направлении, а в закрытом состоянии способен выдержать как прямое, так и обратное напряжение.

Запираемые тиристоры

Тиристоры являются наиболее мощными электронными ключами, используемыми для коммутации высоковольтных и сильноточных (сильнотоковых) цепей. Но они имеют существенный недостаток — неполную управляемость. Это во многих случаях ограничивает и усложняет использование тиристоров. Для устранения этого недостатка разработаны тиристоры, запираемые сигналом по управляющему электроду G. Такие тиристоры называют запираемыми или двухоперационными. Запираемые тиристоры  имеют четырехслойную р-п  структуру, но в то же время обладают рядом существенных конструктивных особенностей, придающих им принципиально отличное от традиционных тиристоров — свойство полной управляемости. Однако блокировать большие обратные напряжения ЗапТиристод обычно не способен и часто соединяется со встречно-параллельно включенным диодом. Кроме того, для ЗТ характерны значительные падения прямого напряжения. Для выключения ЗТ необходимо подать в цепь управляющего электрода мощный импульс отрицательного тока, но короткой длительности .

Запираемые тиристоры также имеют более низкие значения предельных напряжений и токов  по сравнению с обычными тиристорами

Полупроводниковый диод — полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами (электродами). В отличие от других типов диодов, принцип действия полупроводникового диода основывается на явлении p-n-перехода.

Билет 10

1)Клистроны

Клистро́н — электровакуумный прибор, в котором преобразование постоянного потока электронов в переменный происходит путём модуляции скоростей электронов электрическим полем СВЧ (при пролёте их сквозь зазор объёмного резонатора) и последующей группировки электронов в сгустки (из-за разности их скоростей) в пространстве дрейфа, свободном от СВЧ поля.

Клистроны подразделяются на 2 класса: пролётные и отражательные.

В пролётном клистроне электроны последовательно пролетают сквозь зазоры объёмных резонаторов. В простейшем случае резонаторов 2: входной и выходной. Дальнейшим развитием пролётных клистронов являются каскадные многорезонаторные клистроны, которые имеют один или несколько промежуточных резонаторов, расположенных между входным и выходным резонаторами.

В отражательном клистроне используется один резонатор, через который электронный поток проходит дважды, отражаясь от специального электрода — отражателя.

Первые конструкции пролётных клистронов были предложены и осуществлены в 1938 Расселом Варианом и Сигуртом Варианом.

Отражательный клистрон был разработан в 1940 году Н. Д. Девятковым, Е. Н. Данильцевым, И. В. Пискуновым и независимо В. Ф. Коваленко.

Пролётные клистроны являются основой всех мощных СВЧ передатчиков когерентных радиосистем, где реализуется стабильность и спектральная чистота высокостабильных водородных стандартов частоты. В частности, в выходных каскадах самых мощных в мире радиолокаторов для исследования астероидов и комет .

Отражательные клистроны применяются в различной аппаратуре в качестве маломощных генераторов. Вследствие низкого КПД их не используют для получения больших мощностей и применяют в качестве гетеродинов СВЧ приемников, в измерительной аппаратуре и в маломощных передатчиках. Их основные преимущества заключаются в конструктивной простоте и наличии электронной перестройки частоты. Отражательные клистроны имеют высокую надежность и не требуют применения фокусирующей системы

2)Силовые биполярные, МОП-, SIT-, IGBT- транзисторы.

IGBT- трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами. IGBT представляет собой каскадное включение двух электронных ключей: входной ключ на полевом транзисторе управляет мощным оконечным ключом на биполярном транзисторе. Создан в начале 1980-х гг. Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.

МОП- Полевой транзистор— полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.

SIT-транзисторы. Это разновидность полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом (рис. 6.6., c). Рабочая частота SIT-транзисторов обычно не превышает 100 кГц при напряжении коммутируемых цепей до 1200 В и токах до 200 — 400 А.

Билет 11

1)Лампы бегущей волны.

Лампа бегущей волны (ЛБВ) — электровакуумный прибор, в котором для генерирования и/или усиления электромагнитных колебаний СВЧ используется взаимодействие бегущей электромагнитной волны и электронного потока, движущихся в одном направлении (в отличие от лампы обратной волны (ЛОВ))

Лампа бегущей волны была впервые создана Рудольфом Компфнером  в 1943 году.

Подразделяются на два класса: типа О и типа М.

В приборах типа О происходит преобразование кинетической энергии электронов в энергию СВЧ поля в результате торможения электронов этим полем.

В приборах типа М в энергию СВЧ поля переходит потенциальная энергия электронов.

Билет 12

1)Электровакуумные приборы – технические средства различных областей деятельности человека.

Электровакуумный прибор — устройство, предназначенное для генерации, усиления и преобразования электромагнитной энергии, в котором рабочее пространство освобождено от воздуха и защищено от окружающей атмосферы непроницаемой оболочкой.

К таким приборам относят как вакуумные электронные приборы, в которых поток электронов проходит в вакууме (см., напр., клистрон), так и газоразрядные электронные приборы, в которых поток электронов проходит в газе. Так же к электровакуумным приборам относятся и лампы накаливания.

Электровакуумные приборы используются в радиотехнике, радио связи, телевидении.

2)Пленочные пассивные элементы. Планарная технология.

Планарная технология — совокупность технологических операций, используемая при изготовлении планарных (плоских, поверхностных) полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Особенность планарной технологии состоит в том, что после завершения каждой технологической операции, восстанавливается плоская (планарная) форма поверхности пластины, что позволяет создавать достаточно сложную структуру, используя конечный набор технологических операций. Планарная технология обеспечивает возможность одновременного изготовления в едином технологическом процессе огромного числа дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем на одной подложке, что позволяет существенно снизить их стоимость.

Основные технологические операции, используемые в планарной технологии, основаны на процессе литографии.

Билет 7

1)Разработка тетрода и пентода – этап улучшения качественных характеристик электронных ламп.

Тетро́дэлектронная лампа, имеющая 4 электрода: термоэлектронный катод (прямого или косвенного накала), 2 сетки (управляющую и экранирующую) и анод. Изобретён Вальтером Шоттки в 1919.

Пенто́д  — вакуумная электронная лампа с экранирующей сеткой, в которой между экранирующей сеткой и анодом размещена третья (защитная или антидинатронная) сетка, подавляющая динатронный эффект. В 1906—1908 годах Ли де Форест изобрёл первую усилительную лампу

2)ПТШ -транзисторы. Истоки высокого быстродействия.

Полевой транзистор Шоттки способен усиливать и генерировать электромагнитные колебания. Благодаря более простой и совершенной технологии изготовления

ПТШ имеет меньший разброс электрических параметров. Ток в них течёт не через

р-n-переходы, а между омическими контактами однородной среде канала.

Благодаря этому ПТШ обладают более высокой линейностью передаточной

характеристики, у них нет шумов токораспределения, а плотность тока может

быть большой, следовательно, уровень их шумов меньше, отдаваемые мощности

больше.




1. Новые схемы анализа как средство описания практики развивающего обучения
2. вариант бога Рудра Вишну вариант бога Сурьи бог солнца Брахма Группа учителейотшельников занимают
3. Реферат- Видатні постаті американського менеджменту
4. Технология регенерации очистки и осветления отработанных масел.html
5. х завдань які включають- одне теоретичне запитання з блоку А; одне теоретичне запитання з блоку Б;.
6. Кадры предприятия их состав и структура
7. 11 неделя
8. Тема 7. Системы искусственного интеллекта
9. Сравнение двух групп предметов
10. Лабораторная работа 2