Поможем написать учебную работу
Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Билет 9
1)Магнетроны генераторы СВЧ диапазона.
Магнетрон это мощная электронная лампа, генерирующая микроволны при взаимодействии потока электронов с магнитным полем.
Магнетроны могут работать на различных частотах от 0,5 до 100 ГГц, с мощностями от нескольких Вт до десятков кВт в непрерывном режиме, и от 10 Вт до 5 МВт в импульсном режиме при длительностях импульсов главным образом от долей до десятков микросекунд.
Магнетроны обладают высоким КПД (до 80 %).
Магнетроны бывают как неперестраиваемые, так и перестраиваемые в небольшом диапазоне частот (обычно менее 10 %). Магнетроны как генераторы сверхвысоких частот широко используются в современной радиолокационной технике.
Резонансный магнетрон состоит из:
1)Анодного блока
2)Резонатор
3)Колебательная система
4)Цилиндрический катод
5)Магниты
Используется в микроволновых печах, радарных устройствах…
2)Силовые полупроводниковые диоды, тиристоры, запираемые тиристоры.
Тиристор является силовым электронным не полностью управляемым ключом. Поэтому иногда в технической литературе его называют однооперационным тиристором, который может сигналом управления переводиться только в проводящее состояние, т.е. включаться. Для его выключения (при работе на постоянном токе) необходимо принимать специальные меры, обеспечивающие спадание прямого тока до нуля. Тиристорный ключ может проводить ток только в одном направлении, а в закрытом состоянии способен выдержать как прямое, так и обратное напряжение.
Запираемые тиристоры
Тиристоры являются наиболее мощными электронными ключами, используемыми для коммутации высоковольтных и сильноточных (сильнотоковых) цепей. Но они имеют существенный недостаток неполную управляемость. Это во многих случаях ограничивает и усложняет использование тиристоров. Для устранения этого недостатка разработаны тиристоры, запираемые сигналом по управляющему электроду G. Такие тиристоры называют запираемыми или двухоперационными. Запираемые тиристоры имеют четырехслойную р-п структуру, но в то же время обладают рядом существенных конструктивных особенностей, придающих им принципиально отличное от традиционных тиристоров свойство полной управляемости. Однако блокировать большие обратные напряжения ЗапТиристод обычно не способен и часто соединяется со встречно-параллельно включенным диодом. Кроме того, для ЗТ характерны значительные падения прямого напряжения. Для выключения ЗТ необходимо подать в цепь управляющего электрода мощный импульс отрицательного тока, но короткой длительности .
Запираемые тиристоры также имеют более низкие значения предельных напряжений и токов по сравнению с обычными тиристорами
Полупроводниковый диод полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами (электродами). В отличие от других типов диодов, принцип действия полупроводникового диода основывается на явлении p-n-перехода.
Билет 10
1)Клистроны
Клистро́н электровакуумный прибор, в котором преобразование постоянного потока электронов в переменный происходит путём модуляции скоростей электронов электрическим полем СВЧ (при пролёте их сквозь зазор объёмного резонатора) и последующей группировки электронов в сгустки (из-за разности их скоростей) в пространстве дрейфа, свободном от СВЧ поля.
Клистроны подразделяются на 2 класса: пролётные и отражательные.
В пролётном клистроне электроны последовательно пролетают сквозь зазоры объёмных резонаторов. В простейшем случае резонаторов 2: входной и выходной. Дальнейшим развитием пролётных клистронов являются каскадные многорезонаторные клистроны, которые имеют один или несколько промежуточных резонаторов, расположенных между входным и выходным резонаторами.
В отражательном клистроне используется один резонатор, через который электронный поток проходит дважды, отражаясь от специального электрода отражателя.
Первые конструкции пролётных клистронов были предложены и осуществлены в 1938 Расселом Варианом и Сигуртом Варианом.
Отражательный клистрон был разработан в 1940 году Н. Д. Девятковым, Е. Н. Данильцевым, И. В. Пискуновым и независимо В. Ф. Коваленко.
Пролётные клистроны являются основой всех мощных СВЧ передатчиков когерентных радиосистем, где реализуется стабильность и спектральная чистота высокостабильных водородных стандартов частоты. В частности, в выходных каскадах самых мощных в мире радиолокаторов для исследования астероидов и комет .
Отражательные клистроны применяются в различной аппаратуре в качестве маломощных генераторов. Вследствие низкого КПД их не используют для получения больших мощностей и применяют в качестве гетеродинов СВЧ приемников, в измерительной аппаратуре и в маломощных передатчиках. Их основные преимущества заключаются в конструктивной простоте и наличии электронной перестройки частоты. Отражательные клистроны имеют высокую надежность и не требуют применения фокусирующей системы
2)Силовые биполярные, МОП-, SIT-, IGBT- транзисторы.
IGBT- трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами. IGBT представляет собой каскадное включение двух электронных ключей: входной ключ на полевом транзисторе управляет мощным оконечным ключом на биполярном транзисторе. Создан в начале 1980-х гг. Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.
МОП- Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
SIT-транзисторы. Это разновидность полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом (рис. 6.6., c). Рабочая частота SIT-транзисторов обычно не превышает 100 кГц при напряжении коммутируемых цепей до 1200 В и токах до 200 400 А.
Билет 11
1)Лампы бегущей волны.
Лампа бегущей волны (ЛБВ) электровакуумный прибор, в котором для генерирования и/или усиления электромагнитных колебаний СВЧ используется взаимодействие бегущей электромагнитной волны и электронного потока, движущихся в одном направлении (в отличие от лампы обратной волны (ЛОВ))
Лампа бегущей волны была впервые создана Рудольфом Компфнером в 1943 году.
Подразделяются на два класса: типа О и типа М.
В приборах типа О происходит преобразование кинетической энергии электронов в энергию СВЧ поля в результате торможения электронов этим полем.
В приборах типа М в энергию СВЧ поля переходит потенциальная энергия электронов.
Билет 12
1)Электровакуумные приборы технические средства различных областей деятельности человека.
Электровакуумный прибор устройство, предназначенное для генерации, усиления и преобразования электромагнитной энергии, в котором рабочее пространство освобождено от воздуха и защищено от окружающей атмосферы непроницаемой оболочкой.
К таким приборам относят как вакуумные электронные приборы, в которых поток электронов проходит в вакууме (см., напр., клистрон), так и газоразрядные электронные приборы, в которых поток электронов проходит в газе. Так же к электровакуумным приборам относятся и лампы накаливания.
Электровакуумные приборы используются в радиотехнике, радио связи, телевидении.
2)Пленочные пассивные элементы. Планарная технология.
Планарная технология совокупность технологических операций, используемая при изготовлении планарных (плоских, поверхностных) полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Особенность планарной технологии состоит в том, что после завершения каждой технологической операции, восстанавливается плоская (планарная) форма поверхности пластины, что позволяет создавать достаточно сложную структуру, используя конечный набор технологических операций. Планарная технология обеспечивает возможность одновременного изготовления в едином технологическом процессе огромного числа дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем на одной подложке, что позволяет существенно снизить их стоимость.
Основные технологические операции, используемые в планарной технологии, основаны на процессе литографии.
Билет 7
1)Разработка тетрода и пентода этап улучшения качественных характеристик электронных ламп.
Тетро́д электронная лампа, имеющая 4 электрода: термоэлектронный катод (прямого или косвенного накала), 2 сетки (управляющую и экранирующую) и анод. Изобретён Вальтером Шоттки в 1919.
Пенто́д вакуумная электронная лампа с экранирующей сеткой, в которой между экранирующей сеткой и анодом размещена третья (защитная или антидинатронная) сетка, подавляющая динатронный эффект. В 19061908 годах Ли де Форест изобрёл первую усилительную лампу
2)ПТШ -транзисторы. Истоки высокого быстродействия.
Полевой транзистор Шоттки способен усиливать и генерировать электромагнитные колебания. Благодаря более простой и совершенной технологии изготовления
ПТШ имеет меньший разброс электрических параметров. Ток в них течёт не через
р-n-переходы, а между омическими контактами однородной среде канала.
Благодаря этому ПТШ обладают более высокой линейностью передаточной
характеристики, у них нет шумов токораспределения, а плотность тока может
быть большой, следовательно, уровень их шумов меньше, отдаваемые мощности
больше.