У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.net

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Работа добавлена на сайт samzan.net: 2016-03-13

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 1.7.2025

ВОПРОСЫ К ЭКЗАМЕНУ

ПО КУРСУ "ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ"

  1.  Пояснить устройство, принцип действия и основные параметры выпрямительного полупроводникового диода.
  2.  Классифицировать полупроводниковые диоды по назначению и другим признакам, дав соответствующие пояснения.
  3.  Пояснить устройство и принцип действия полупроводникового стабилитрона. Определить и пояснить его основные параметры.
  4.  Пояснить процессы, связанные с включением и выключением диода на основе PN-перехода. Определить основные динамические параметры диода.
  5.  Пояснить особенности структуры и параметров выпрямительного диода Шоттки.
  6.  Пояснить устройство, принцип действия и основные параметры биполярного транзистора.
  7.  Изобразить и пояснить статические ВАХ биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Определить соответствующие h-параметры линеаризованной модели транзистора.
  8.  Пояснить термин «область безопасной работы» биполярного транзистора.
  9.  Определить основные режимы работы биполярного транзистора и указать на их применение.
  10.  Пояснить процессы, связанные с работой биполярного транзистора в режиме ключа, и определить соответствующие параметры транзистора.
  11.  Классифицировать биполярные транзисторы по назначению и другим признакам, дав соответствующие пояснения.
  12.  Определить и пояснить частотные параметры биполярных транзисторов.
  13.  Пояснить устройство, принцип действия и основные параметры триодного тиристора.
  14.  Классифицировать тиристоры, указав на особенности их применения.
  15.  Пояснить процессы, связанные с включением триодного тиристора, и определить его основные динамические параметры.
  16.  Пояснить устройство, принцип действия и основные параметры симистора.
  17.  Пояснить устройство и принцип действия запираемого тиристора. Определить его основные параметры.
  18.  Пояснить особенности структуры и назначение тиристора с обратной проводимостью.
  19.  Классифицировать планарные МДП-транзисторы и дать соответствующие пояснения.
  20.  Пояснить устройство и принцип действия планарного МДП-транзистора.
  21.  Изобразить и пояснить статические ВАХ планарного МДП-транзистора, включенного по схеме с общим истоком. Определить основные статические параметры транзистора.
  22.  Пояснить процессы, связанные с включением и выключением МДП-транзистора. Определить основные динамические параметры.
  23.  Пояснить особенности устройства мощного МДП-транзистора и его статических характеристик.
  24.  Пояснить устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим  переходом.
  25.  Изобразить и пояснить статические ВАХ полевого транзистора с управляющим PN-переходом. Определить параметры линеаризованной модели транзистора.
  26.  Классифицировать полевые транзисторы с управляющим переходом и указать области их применения.
  27.  Сравнить динамические и частотные свойства полевых транзисторов различных типов.
  28.  Дать сравнительную оценку свойствам ключей на основе МДП-транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором.
  29.  Пояснить устройство и принцип действия биполярного транзистора с изолированным затвором и указать на особенности его применения.
  30.  Дать сравнительную оценку свойствам силовых ключей большой мощности на основе различных полупроводниковых приборов.
  31.  Пояснить аналогию тепловых и электрических процессов как основу анализа тепловых режимов полупроводниковых приборов.
  32.  Пояснить цели расчета теплового режима полупроводникового прибора.
  33.  Изобразить и пояснить расчетную схему для анализа теплового режима мощного полупроводникового прибора.
  34.  Пояснить устройство и принцип действия излучающего диода и определить его основные параметры.
  35.  Пояснить устройство, принцип действия и основные характеристики полупроводникового лазера.
  36.  Классифицировать полупроводниковые фотоприемники и сравнить их основные параметры.
  37.  Изобразить и пояснить статические ВАХ фотодиода. Определить режимы работы фотодиода и их практическое использование.
  38.  Классифицировать полупроводниковые датчики неэлектрических величин и пояснить принцип их действия.
  39.  Пояснить устройство и принцип действия полупроводникового гальваномагнитного преобразователя
  40.  Пояснить устройство и принцип действия полупроводникового термоэлектрического преобразователя.
  41.  Пояснить термин «предельные эксплуатационные параметры» полупроводникового прибора.
  42.  Пояснить термин «характеризующие параметры» полупроводникового прибора.




1. Johnny ct your ge Пример- CHILD- w come on Let me see your book MRY- Be quiet nd ct your ge
2. КЛЮКВА ИП Катаранчук Станислав Александрович
3. автономной теорией
4. Контрольная работа- Чрезвычайные ситуации природного характера
5. РЕЛИЗ Уральской правозащитной группы по суду над начальником ИК6 г
6. а. Это не собственно методы политической науки
7. Гражданское право (общая часть)
8. Денежный оборот [3] Глава II
9. ное лексикосемантиче отнош.html
10. Реферат- Этнические стереотипы в структуре современной этнопсихологии