У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.net

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Работа добавлена на сайт samzan.net: 2016-03-13

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 26.4.2025

ВОПРОСЫ К ЭКЗАМЕНУ

ПО КУРСУ "ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ"

  1.  Пояснить устройство, принцип действия и основные параметры выпрямительного полупроводникового диода.
  2.  Классифицировать полупроводниковые диоды по назначению и другим признакам, дав соответствующие пояснения.
  3.  Пояснить устройство и принцип действия полупроводникового стабилитрона. Определить и пояснить его основные параметры.
  4.  Пояснить процессы, связанные с включением и выключением диода на основе PN-перехода. Определить основные динамические параметры диода.
  5.  Пояснить особенности структуры и параметров выпрямительного диода Шоттки.
  6.  Пояснить устройство, принцип действия и основные параметры биполярного транзистора.
  7.  Изобразить и пояснить статические ВАХ биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Определить соответствующие h-параметры линеаризованной модели транзистора.
  8.  Пояснить термин «область безопасной работы» биполярного транзистора.
  9.  Определить основные режимы работы биполярного транзистора и указать на их применение.
  10.  Пояснить процессы, связанные с работой биполярного транзистора в режиме ключа, и определить соответствующие параметры транзистора.
  11.  Классифицировать биполярные транзисторы по назначению и другим признакам, дав соответствующие пояснения.
  12.  Определить и пояснить частотные параметры биполярных транзисторов.
  13.  Пояснить устройство, принцип действия и основные параметры триодного тиристора.
  14.  Классифицировать тиристоры, указав на особенности их применения.
  15.  Пояснить процессы, связанные с включением триодного тиристора, и определить его основные динамические параметры.
  16.  Пояснить устройство, принцип действия и основные параметры симистора.
  17.  Пояснить устройство и принцип действия запираемого тиристора. Определить его основные параметры.
  18.  Пояснить особенности структуры и назначение тиристора с обратной проводимостью.
  19.  Классифицировать планарные МДП-транзисторы и дать соответствующие пояснения.
  20.  Пояснить устройство и принцип действия планарного МДП-транзистора.
  21.  Изобразить и пояснить статические ВАХ планарного МДП-транзистора, включенного по схеме с общим истоком. Определить основные статические параметры транзистора.
  22.  Пояснить процессы, связанные с включением и выключением МДП-транзистора. Определить основные динамические параметры.
  23.  Пояснить особенности устройства мощного МДП-транзистора и его статических характеристик.
  24.  Пояснить устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим  переходом.
  25.  Изобразить и пояснить статические ВАХ полевого транзистора с управляющим PN-переходом. Определить параметры линеаризованной модели транзистора.
  26.  Классифицировать полевые транзисторы с управляющим переходом и указать области их применения.
  27.  Сравнить динамические и частотные свойства полевых транзисторов различных типов.
  28.  Дать сравнительную оценку свойствам ключей на основе МДП-транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором.
  29.  Пояснить устройство и принцип действия биполярного транзистора с изолированным затвором и указать на особенности его применения.
  30.  Дать сравнительную оценку свойствам силовых ключей большой мощности на основе различных полупроводниковых приборов.
  31.  Пояснить аналогию тепловых и электрических процессов как основу анализа тепловых режимов полупроводниковых приборов.
  32.  Пояснить цели расчета теплового режима полупроводникового прибора.
  33.  Изобразить и пояснить расчетную схему для анализа теплового режима мощного полупроводникового прибора.
  34.  Пояснить устройство и принцип действия излучающего диода и определить его основные параметры.
  35.  Пояснить устройство, принцип действия и основные характеристики полупроводникового лазера.
  36.  Классифицировать полупроводниковые фотоприемники и сравнить их основные параметры.
  37.  Изобразить и пояснить статические ВАХ фотодиода. Определить режимы работы фотодиода и их практическое использование.
  38.  Классифицировать полупроводниковые датчики неэлектрических величин и пояснить принцип их действия.
  39.  Пояснить устройство и принцип действия полупроводникового гальваномагнитного преобразователя
  40.  Пояснить устройство и принцип действия полупроводникового термоэлектрического преобразователя.
  41.  Пояснить термин «предельные эксплуатационные параметры» полупроводникового прибора.
  42.  Пояснить термин «характеризующие параметры» полупроводникового прибора.




1. на тему- классификация земель по их категориям типам землепользования целевым назначениям на территории Н
2. Федерализм как идеология самоуправляющегося общества
3. Автоматизация фильтровального отделения установки 39-2 (Депарафинизации масел)
4. Представительство в суде
5. Notes refers to the pst present or future it shows only whether the ction is simultneous with the ction expressed by the min verb or prior to it
6. Восточной Азии показывает что сбережения там находятся на значительно более высоком уровне чем в странах
7. Yer term. The prime minister nd first deputy prime minister re ppointed by the president
8. КИЇВСЬКИЙ ІНСТИТУТ АВТОМАТИКИ
9. якої затухаючої системи є затухаючими
10. Психологические аспекты деятельности руководителя

Материалы собраны группой SamZan и находятся в свободном доступе