Будь умным!


У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.net

Тема- Методы локализации неисправностей на аппаратуре СВ и РМ Вариант ’2 Работу в

Работа добавлена на сайт samzan.net:

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 25.11.2024

10

Московский Государственный Технический Университет

им. Н.Э.Баумана.

Факультет Военного обучения

Военная кафедра №1

Тема: «Методы локализации неисправностей на аппаратуре СВ и РМ»

Вариант №2

Работу выполнил: студент группы МТ2-102                                           Коробейников А.В.

(подпись)

Руководитель курсовой работы: подполковник                                       Кабардинский А.Ю.

(подпись)

Отметка о защите курсовой работы:                                           «      »                        2012г.    

Москва, 2012 г.


Содержание

Введение 3

Поиск неисправности на структурном уровне 3

Алгоритм поиска неисправности на структурном уровне 5

Поиск неисправности на функциональном уровне 6

Алгоритм поиска неисправности на функциональном уровне 8

Поиск неисправности на принципиальном уровне 9

Алгоритм поиска неисправности на принципиальном уровне 11

Таблица элементов схемы управления и защиты 12

Выводы 13

Список использованной литературы 14


Введение

В данной курсовой работе рассматриваются пути поиска неисправностей РМ-10 при следующих внешних проявлениях:

Яркая засветка экрана ЭЛТ БИО

Особое внимание уделяется нахождению оптимальной методики поиска неисправностей и обоснование различных вариантов поиска, созданию алгоритмов поиска неисправности на структурном, функциональном и принципиальном уровнях.

Поиск неисправности на структурном уровне

По структурной схеме РМ-10 устанавливаем вероятный неисправный блок. Рассмотрим структурную схему РМ-10.

Рис. 1. Структурная схема РМ

Учитывая внешний признак проявления неисправности, очевидно, что неправильно работающим устройством РМ-10 могут являться:

- блок БИО (внутренняя неисправность блока);

- блок питания ВС-158 (для питания БИО подается не +27В);

- блок питания ВС-306 (отклонения вырабатываемых потенциалов от номинала).

Неисправность БИО — наиболее вероятная причина возникновения неисправности, т. к. именно в нём содержатся устройства, отвечающие за яркость изображения на экране ЭЛТ. Неисправность блоков питания может привести к отсутствию питания отдельных элементов БИО или отклонению напряжения на них от номинала.


Алгоритм поиска неисправности на структурном уровне

Согласно внешним признакам проявления неисправности и, приняв, что блоки питания работают исправно, переходим к поиску неисправного узла блока БИО.

Поиск неисправности на функциональном уровне

Рис. 2. Функциональная схема БИО.

Рассмотрим работу ЭЛТ БИО по функциональной схеме, чтобы определить, неправильное функционирование каких из устройств может вызвать описанные выше проявления.

Для питания ЭЛТ по цепям электродов, схемы управления и  защиты  ЭЛТ используется  высоковольтный  блок  ВС-1020 . При поступлении на блок ВС-1020 напряжения  +27 В из блока питания ВС-158 с его выхода на второй анод ЭЛТ подается напряжение +15000 В  и дополнительно  +4000 В  на фокусирующий электрод. Кроме того, на схему управления и защиты ЭЛТ через делитель напряжения поступают постоянные напряжения +125 В и +400 В.

Со схемы управления и защиты на  ускоряющие  электроды  ЭЛТ поступают:

  1.  на первый ускоряющий электрод (У) постоянное напряжение +452,6 В;
  2.  на второй ускоряющий электрод постоянное напряжение,  изменяющееся в пределах от +40 В до +452,6 В;
  3.  на третий ускоряющий электрод постоянное напряжение,  изменяющееся в пределах от 0В до 65В.

        К схеме управления подключен переменный резистор регулировки «ЯРКОСТЬ», с выхода которого постоянное напряжение  подается  на модулятор ЭЛТ и может изменяться в пределах от -52,6 В до +20 В. (Расположен в нижней части БИО и регулирует величину подсвета информации).

Схема управления и защиты  обеспечивает защиту  экрана  ЭЛТ от прожога при выключении источников питания, а  также  обеспечивает защиту видеоусилителя ВУ-3 от межэлектродных пробоев в ЭЛТ.

Металлический катод ЭЛТ, имеющий косвенный подогрев, благодаря току, протекающему через нить накаливания, излучает электроны под действием термоэлектронной эмиссии. Электроны ускоряются модулятором, имеющим отрицательный относительно катода потенциал. Чем больше отрицательный потенциал модулятора, тем меньше плотность электронного потока, прошедшего через отверстие модулятора и, следовательно, меньше яркость изображения на экране ЭЛТ.

Таким образом, учитывая внешний признак проявления неисправности, делаем заключение, что на модуляторе высокий положительный потенциал относительно катода. Неправильно работающими устройствами блока БИО могут являться:

- ЭЛТ (неисправен модулятор);

- высоковольтный источник ВС-1020 (напряжение, вырабатываемое этим блоком, имеет значительное отклонение от номинала);

- регулировка «ЯРКОСТЬ» (обрыв резистора R12 по номиналу –52,6 В);

- схема защиты и управления.

Наиболее вероятной причиной неисправности является выход из строя схемы защиты и управления. Именно с нее, через резистор R12, должен поступать отрицательный потенциал на модулятор.


Алгоритм поиска неисправности на функциональном уровне

Согласно внешним признакам проявления неисправности и, приняв, что ЭЛТ,  блок питания и регулятор яркости работают исправно, переходим к поиску неисправности внутри схемы защиты и управления блока БИО.


Поиск неисправности на принципиальном уровне

Схема управления и защиты  обеспечивает защиту  экрана  ЭЛТ от прожога при выключении источников питания, а  также  обеспечивает защиту видеоусилителя ВУ-3 от межэлектродных пробоев в ЭЛТ.

Рис. 3. Схема питания ЭЛТ БИО.

Питание высоковольтного блока ВС-1020 осуществляется от источника с напряжением +27В. Высокое напряжение +15кВ от ВС-1020 подается непосредственно на второй анод ЭЛТ.

От видеоусилителя ВУ-3 импульсы подсвета поступают на катод ЭЛТ с постоянной составляющей +52,6В.

Необходимое для ЭЛТ ускоряющее напряжение +400В организовано последовательным включением напряжения 52,6В блока ВС-306 и источника +400В блока ВС-1020 через диоды Д2, Д3 платы управления.

Питание модулятора ЭЛТ производится с движка переменного резистора блока БИО R12 «Яркость», который совместно с резисторами платы управления R1 «Огр. ярк.», R2 и диодом Д1 образуют делитель напряжения. С одной стороны к делителю подведено напряжение +452,6В, а с другой стороны — –52,6В.

Конденсатор С2 платы управления – блокировочный. Он служит для уменьшения на модуляторе ЭЛТ амплитуды пульсаций источника 400В, входящего в состав ВС-1020.

Диод Д6 служит для защиты катодного узла ЭЛТ и видеоусилителя ВУ-3 при возникающих иногда кратковременных внутренних пробоях ЭЛТ. В обычном рабочем состоянии диод Д6 закрыт. Во время кратковременного пробоя диод Д6 открывается и модулятор ЭЛТ оказывается подключенным к конденсатору большой емкости С12 видеоусилителя ВУ-3, который находится под напряжением + 52,6В. В связи с тем, что заряд пробоя достаточно мал, напряжение на конденсаторе С12 практически остается неизменным.

Источник напряжения 125В высоковольтного блока ВС-1020 служит для организации защиты от засветки экрана ЭЛТ при отключении питания РМ.

Нагрузкой источника 125В служит резистор R8, параллельно которому включен конденсатор С3 через диод Д1. При включении питания РМ конденсатор С3 платы управления заряжается источником напряжения 125В через диод Д1.

При отключении питания РМ через резистор R8 с конденсатора С3 напряжение –125В подается на модулятор ЭЛТ, диод Д1 заперт. Величина постоянной времени разряда конденсатора С3 достаточно большая (запирающее напряжение уменьшается в два раза за 30 – 60 сек) и катод за это время успевает остыть. Термоэлектронная эмиссия катода прекратится раньше, чем напряжение на модуляторе (относительно катода) достигнет значения, соответствующего появлению луча.

Учитывая внешний признак проявления неисправности делаем вывод, что неисправными элементами схемы защиты и управления могут являться:

- конденсатор С2;

- диод Д6.

Наиболее вероятен выход из строя диода Д6.


Алгоритм поиска неисправности на принципиальном уровне


Таблица элементов схемы управления и защиты

Ниже приведена таблица элементов схемы управления и защиты. При выходе какого-либо элемента платы из строя с помощью неё подбирается необходимый элемент замены.

Обозначение элемента

Наименование элемента

R1

Резистор IIсп-II-1-3,3МОм±30%-А; ОЖО.468.084ТУ

R2

Резистор ОМЛТ-0,5-1МОм±5%; ОЖО.467.107ТУ

R3

Резистор ОМЛТ-0,25-160кОм±5%; ОЖО.467.107ТУ

R4

Резистор ОМЛТ-0,5-470кОм±5%; ОЖО.467.107ТУ

R5

Резистор IIсп-II-1-680кОм±30%-А; ОЖО.468.084ТУ

R6

Резистор ОМЛТ-0,5-33кОм±5%; ОЖО.467.107ТУ

R7

Резистор ОМЛТ-2-6,2кОм±5%; ОЖО.467.107ТУ

R8

Резистор ОМЛТ-1-62кОм±5%; ОЖО.467.107ТУ

R9

Резистор ОМЛТ-0,5-62Ом±5%; ОЖО.467.107ТУ

R10, R11

Резистор ОМЛТ-0,125-10Ом±5%; ОЖО.467.107ТУ

C1, C3

Конденсатор К50-20-160-50; ОЖО.464.120ТУ

C2

Конденсатор КМ-5б-М750-1500пФ±10%; ОЖО.460.043 ТУ, изолированный

Д1…Д5

Диод кремниевый Д237Б; ТР3.362.021 ТУ

Д6

Диод 2Д213А; Ц23.362.008 ТУ

П1

Плата ЭП7.102.957


Выводы

В ходе анализа причин проявления неисправности установлено, что вышел из строя блок БИО. Было установлено, что неисправным элементом БИО является схема защиты и управления. В схеме защиты и управления найден неисправный элемент — диод Д6. Для вышедшего из строя диода был найден элемент замены — диод 2Д213А; Ц23.362.008 ТУ.

Неисправное

устройство

Неисправный

узел

Неисправный

элемент

Элемент замены

БИО

Схема управления и защиты

Диод Д6

Диод 2Д213А; Ц23.362.008 ТУ


Список использованной литературы

1. Лекции по технической подготовке;

2. Методические разработки по технической подготовке;

3. Эксплуатационная документация РМ-10.

1




1. реферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата біологічних наук Київ 2004
2. Психологические последствия применения информационных технологий
3. Отчет по практике- Система управления персоналом на предприятии
4. 6 CSEтехнологии CSEтехнологии Computerided Softwre-System Engineering разработка программного обеспечения-систем с исполь
5. Направления и проблемы западной философии ХХ века
6. Вариант 4 Ответ дается на все вопросы.
7. Преподобный Нил Сорский
8. Контрольная работа- Международное правовое регулирование сервиса на воздушном транспорте
9. РЕФЕРАТ дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата економічних наук Київ ~
10. Юбка брюки джинсы
11.  Возникновение государства Вавилонское государство располагалось в Азиатском Междуречье между реками Ти
12. Организация работы на зернотоках
13. Реферат- Психологические особенности профессионального мышления работника уголовного розыска
14. аудит качества
15. Причинение вреда при задержании лица, совершившего преступление
16. НЕВОСТИЛЬ.КЛУБ. СанктПетербург ул
17. У бедных нет денег но есть время а это большая драгоценность 20 декабря 2013 Анастасия Овся
18. Правовые гарантии доступа к информации1
19. Реферат Международные отношения России и Латвии
20. Особенности и проблемы развития хозяйства Поволжья