Будь умным!


У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.net

У приведеній схемі транзистор VT1 включений за схемою з загальною базою

Работа добавлена на сайт samzan.net:

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 26.11.2024

Інтегральна інжекційна логіка

Базова схема елементів інжекційної логіки (ІІЛ), (І2Л) будується на багатоколекторних транзисторах і наведена на рис. У приведеній схемі транзистор VT1 включений за схемою з загальною базою. Він служить генератором (джерелом)  стабільного струму, який подається в базу багатоколекторного транзистора. Назва “інжекційна логіка” походить від того, що транзистор VT1 (точніше, його емітер) є інжектором  зарядів, які через базу та колектор транзистора VT1 подаються в базу VT2. Крім того, на базу цього ж транзистора подається і вхідний сигнал.

Таким чином, у вказаній схемі величина колекторного струму транзистора VT2 керується як інжекцією зарядів від транзистора VT1, так і величиною вхідної напруги. Зокрема, зменшенням вхідної напруги UВХ до рівня логічного нуля веде до перетікання інжектованих VT1 зарядів в електричне коло попереднього аналогічного логічного елемента. Це призводить до запирання транзистора VT2, а, відповідно, до появи на його колекторах напруги високого рівня. Величина цього логічного рівня задається падінням напруги на зміщеному в прямому напрямку p-n переході база-емітер багатоколекторного транзистора VT2.

Вхідна ж напруга високого рівня забаезпечує перехід транзистора у відкритий стан насичення, що забезпечує формування на виходах сигналів низького рівня. Цей рівень вихідної напруги визначається потенціалом колектора насиченого ключового транзистора. Отже, наведене схема є логічним елементом інвертором на один вхід і два входи. При цьому час переходів елементу з одного логічного стану в інший задається величиною струму VT1, яким можна керувати, змінюючи номінал емітерного резистора.

Для прикладу на рис. наведена схема ІІЛ, в якій, поряд з операціями інверсії по виходах y1 та y, виконується операція АБО-НІ.

На базі І2Л ІС легко будуються тригерні схеми. Але на сьогоднішній день використання І2Л технології обмежене. Пояснюється це здебільшого значним прогресом у розвитку КМОН- та БіКМОН-технологій, які забезпечують більш хороші експлуатаційні параметри.

Базові елементи емітерно-зв’язаної логіки (ЕЗЛ)

Базовий елемент ЕЗЛ реалізується на основі перемикачів струму за схемою диференціального каскаду (рис.). Наведений базовий елемент реалізує логічну функці. 2АБО-НІ за допомогою паралельного з’єднаних транзисторів VT1 і VT4.

Вихідні емітерні повторювачі по інверсному і прямому виходах, виконані на транзисторах VT5, VT6, забезпечують формування струму навантаження з запасом, достатнім для швидкого перезаряду ємностей навантаження.

Для таких схем слід забезпечувати важливу умову: опорна напруга E має встановлюватися з високою точністю і стабілізується в широкому температурному діапазоні. У наведеній схемі ці функції виконуються колом R, VD1, VD2, R7. У більш точних мікросхем (наприклад, серії К1500) для цього використовуються спеціальні схеми, які забезпечують високу стабільність Е0 при зміні температури та напруги живлення.

Емітернo-зв’язана логіка в останні роки інтенсивно розвивається, і на її основі виготовляється декілька типів базових логічних елементів. Один з напрямків розвитку ЕЗЛ пов’язаний з переносом емітерних повторювачів з виходу диференційного каскаду на його вхід (рис.).

Перевага такого базового елемента полягає у тому, що зменшується загальна кількість резисторів і оптимально розраховуються вхідні елементи схеми. Це приводить не тільки до спрощення технології, але і до поліпшення технічних характеристик базових елементів. Такі схеми мають назву емітерно-емітерно-зв’язана логіка (ЕЕЗЛ або Е2ЗЛ).


Рис. 2.41




1. Ресничные черви
2. Лекция прочитанная на Международном Конгрессе по Образованию Территет Швейцария 1923 и опубликованная под
3. Основы диагностики лечения и профилактики основных болезней эндокринной системы для студентов IV курс
4. Курсовой проект по дисциплине- Технология элеваторной промышленности Специальность 149 01 01 Технология
5. его поведение завис.
6. ТЕМА 1. Предмет метод та завдання дисципліни Урок 1
7. Статья- Цифровая модель местности и ее использование в современных геоинформационных системах
8. на тему- Розрахунок основних параметрів системи цифрового телевізійного мовлення Студента ки курс
9. реферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук ЛЬВІВ 1999 Д
10. Медные сплавы
11. реферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук Київ ~ 2000 Дисе.html
12. Судебная защита земельноимущественных прав для специальности- 080114.
13. .3.06 Программирование на C- Методические указания и индивидуальные задания к лабораторным работам по ку.
14. форма земельной собственности; крупное частное хозяйство производящее большие объемы товарной продукции н
15. физических глин частицы диаметром меньше 001 мм
16. Не оцінена сучасниками піввіку потому його теорія стала предметом гарячих дискусій що не припинилися й у н
17. СТАРООСКОЛЬСКИЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ КОЛЛЕДЖ ПРИКАЗ 2013г
18. Реферат- Из опыта работы с одаренными детьми в центре образования «Олимп»
19. зуд а не сыпь. Зуд бывает различным в течение дня но он обычно усиливается вечером и ночью
20. 1. Лицо ответственное за разработку Ф