Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
Міністерство освіти і науки України
Національний університет «Львівська політехніка»
Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки
«Дослідження структури кристалів методом Дебая-Шерера»
Методичні вказівки до лабораторного практикуму з курсу
«Кристалофізика)»
для студентів базового напрямку «Мікро- та наноелектроніка»
Затверджено на засіданні кафедри
напівпровідникової електроніки
Протокол № ___ від ______ 20___ року.
Львів – 2009
УДК 66-93 + 681.7.026.6
Дослідження структури кристалів методом Дебая-Шерера. Методичні вказівки до лабораторних робіт з курсу «Фізика твердого тіла» (кристалофізика) для студентів базового напрямку «Електроніка». Укладачі Логуш О.І., Товстюк К.К. – Львів, Національний університет «Львівська політехніка», Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки, кафедра напівпровідникової електроніки, 200 __ р., 1__ с.
Укладачі:
Логуш Олег Іларійович, старший викладач кафедри напівпровідникової електроніки.
Товстюк Корнелія Корніївна, доцент кафедри напівпровідникової електроніки.
Відповідальний за випуск: Дружинін Анатолій Олександрович, доктор технічних наук, професор, завідувач кафедри напівпровідникової електроніки.
Рецензент: Василечко Леонід Орестович, доктор хімічних наук, професор кафедри напівпровідникової електроніки.
Мета роботи: ознайомитися з основними принципами дослідження структури кристалів методом Дебая-Шерера, методикою отримання рентгенограми кристалічного тіла, її аналізу та розрахунку, визначенням за рентгенограмою міжплощинних віддалей кристалу, типу, будови та розмірів елементарної комірки, встановлення за таблицями речовини, рентгенограму якої розшифровували.
1. ТЕОРЕТИЧНА ЧАСТИНА
1.1. Метод Дебая-Шерера.
Метод Дебая-Шерера (порошків) – один з найпоширеніших методів рентгеноструктурного аналізу, який дозволяє визначити велику кількість структурних характеристик кристалів, зокрема обчислити міжплощинні віддалі, параметри кристалічної гратки, визначити індекси Міллера площин, від яких отримані дифракційні максимуми, тип комірки Браве, типи атомів в елементарній комірці, напруження кристалічної гратки, провести фазовий аналіз кристалів, тощо.
Дифракційні максимуми отримуються при виконанні умови Вульфа-Бреггів
(1)
Де: d – віддаль між кристалографічними площинами, Ө – кут між падаючим променем і набором паралельних площин в кристалі, n – порядок, λ – довжина хвилі рентгенівського променя.
Вимірюючи кут дифракції та знаючи довжину хвилі характеристичного випромінювання рентгенівської трубки (матеріал аноду) визначають значення міжплощинних віддалей, які відповідають кожному з отриманих дифракційних максимумів.
(2)
Значення набору міжплощинних віддалей є першою інформацією для визначення речовини, рентгенограму якої знімали, оскільки сукупність їх значень характерна тільки для однієї речовини.
Для покращення ідентифікації використовують також співвідношення інтегральних інтенсивностей дифракційних максимумів приймаючи інтенсивність найбільшого з них за одиницю або 100.
Водночас, міжплощинна віддаль кристалу визначається
Зразки для досліджень готують шляхом подрібнення вихідного матеріалу і подальшого розтирання в агатовій ступці до отримання однорідного дрібнодисперсного порошку.
1.2.
1.3.
2. ХІД ВИКОНАННЯ РОБОТИ.
3. КОНТРОЛЬНІ ЗАПИТАННЯ.