Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
Зм
Лист
№ докум.
Підпис
Дата
К607. 15ЛР02. 001 ЗЛ
Розробив
В.В.Козінський
Листів
ЗВІТ З
ЛАБОРАТОРНОЇ РОБОТИ №1
З ПРЕДМЕТУ
КОМП’ЮТЕРНА ЕЛЕКТРОНІКА
Лист
Літ.
1
5
28
К-20
Перевірив
Н. контр.
Т. контр.
Лабораторна робота № 4
“Дослідження статичного режиму роботи транзистора”
1 Мета роботи: Дослідити роботу транзистора у статичному режи- мі і розрахувати його статичні h-параметри.
2 Завдання:
2.1 До лабораторної роботи!
Із довідника Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам – Киев: Техника, 1989 – 574 ст. (або аналогічного) запи-сати до теоретичних положень ( пункт 3.1 )
– основні електричні параметри транзистора ГТ108А,
– накреслити схемне позначення і цоколівку.
2.2 Під час виконання лабораторної роботи:
Зняти статичні характеристики, побудувати їх, розрахувати по вхідним характеристикам вхідний опір (h11) і коефіцієнт зво-ротного зв’язку (h12). По вихідним характеристикам коефіцієнт підсилення (h21) і вихідну провідність транзистора (h22). Порівня-ти отримані результати з довідниковими.
3 Характеристика робочого місця:
3.1 Теоретичні відомості:
ГТ108А
ГОСТ 2.730 –73
Б
К
Е
Б
К
Е
= 20 50.
Uк =10 В.
Ік = 50 мА.
Ік0 = 10 мкА.
h22= 3.3 мкC.
fм = 0,5 МГц.
С = 50 пФ.
Р = 75 мВт.
Вим.
Лист
№ докум.
Підпис
Дата
2
Лист
3.2 Схема електрична принципова:
Rб
А
mV
mА
R1
VT
Р1
Р2
Р3
Ек = 20 В
V
Rк
Р4
3.3 Прилади та обладнання:
– Робоче місце № ___ ;
– Макет № ___ ;
– Джерело живлення постійним струмом 10 В;
– Джерело живлення постійним струмом = 30 В;
– Вимірювальні прилади макету:
|
П.№ |
Назва |
Тип |
Система |
Клас |
Межа вимірювань |
|
1 |
Вольтметр |
М/ел |
5,0 |
0 0,5 |
|
|
2 |
Міліамперметр |
М/ел |
5,0 |
0 0,5 |
|
|
3 |
Вольтметр |
М/ел |
5,0 |
0 5 |
|
|
4 |
Міліамперметр |
М/ел |
5,0 |
0 50 |
4 Хід роботи:
4.1 Таблиці вимірювань:
Таблиця 1
|
Uб (В) |
0 |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
|
|
Uк = 0 (В) |
Іб (мА) |
||||||
|
Uк= -4(В) |
Таблиця 2
|
Uк (В) |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1,0 |
2,0 |
4,0 |
8,0 |
10 |
|
|
Іб = 50 мкА |
Ік (мА) |
||||||||||
|
Іб = 100 мкА |
|||||||||||
|
Іб = 150 мкА |
4.2 Характеристики :
Іб=f(Uбе)
– Вхідні характеристики
Uк
Іб(мА)
Uбе(В)
0
Ік=f(Uке)
– Вихідні характеристики
Іб
Ік(mА)
40 0
Uке(В)
0
4.3 Розрахунки:
Розрахунки h - параметрів по вхідним характеристикам:
– вхідний опір транзистора
І1
h11 =
U1
U2
=
Іб
Uб
Uк
=
Uк =
=
(Ом);
Uб
– коефіцієнт зворотного зв’язку
U1
h12 =
=
=
=
U2
Uк
І1
Іб
Іб =
Розрахунки h - параметрів по вихідним характеристикам:
– коефіцієнт підсилення
=
(раз);
Uк=
=
Іб
Uк
Ік
h21 =
Ік
– вихідна провідність
=
=
Uк
Іб
Іб=
(мкСім);
h22 =
5 Аналіз отриманих результатів: