Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
Кировское областное государственное
образовательное бюджетное учреждение
среднего профессионального образования
“Кировский авиационный техникум”
Рассмотрено цикловой комиссией УТВЕРЖДАЮ:
электротехнических дисциплин Зам. директора техникума
Протокол № _____________Н. Ю. Мершина
Председатель Т. Н. Любчак «___» декабря 2012 г.
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 11
для экзамена по дисциплине
«Электронная техника»
основной профессиональной образовательной программы
220703 «Автоматизация технологических процессов и производств»
по отраслям
5. Донорная примесь - это примесь:
а) вызывающая увеличение числа электронов в полупроводнике,
б) вызывающая увеличение числа дырок в полупроводнике.
8. Какое соотношение между концентрацией дырок и электронов в полупроводнике n – типа:
а) концентрации одинаковые,
б) концентрация дырок меньше концентрации электронов,
в) концентрация дырок больше концентрации электронов.
10. Какие носители зарядов являются основными и какие неосновными в полупроводнике с донорной примесью:
а) дырки основные, электроны неосновные,
б) электроны основные, дырки неосновные.
13. Донорной примесью для германия являются вещества:
а) сурьма, галлий,
б) фосфор, индий,
в) сурьма, мышьяк,
г) мышьяк, бор.
15. Основными в полупроводнике n – типа являются носители зарядов:
а) электроны,
б) дырки.
17. Какой график представляет вольтамперную характеристику p-n перехода:
20. Объемный отрицательный заряд в пограничном слое возникает:
а) в полупроводнике p- типа,
б) в полупроводнике n- типа,
в) объемный заряд на границе p-n перехода отсутствует.
22. Прямому включению диода соответствует участок характеристики:
23. Если p-n переход включить в обратном направлении:
а) потенциальный барьер и ширина перехода увеличатся,
б) барьер увеличится, ширина перехода уменьшится,
в) барьер понизится, ширина увеличится,
г) барьер понизится, ширина не изменится,
д) барьер понизится, ширина уменьшится.
25. Какая схема имеет прямое включение полупроводникового диода:
30. Какое условно- графическое обозначение соответствует диоду:
35. Величина прямого тока p-n перехода определяется:
а) величиной приложенного напряжения,
б) концентрацией неосновных носителей заряда,
в) концентрацией неосновных и основных носителей заряда,
г) величиной обратного напряжения.
38. Основными носителями электрического заряда полупроводников являются:
а) молекулы,
б) ядра атомов,
в) дырки,
г) электроны,
д) атомы.
40. Какие из примесей придают германиевому полупроводнику электронную проводимость:
а) фосфор, индий,
б) мышьяк, галлий,
в) мышьяк, сурьма, индий,
г) мышьяк, фосфор,
д) индий, галлий, алюминий.
45. Переключение тиристора происходит путем:
а) изменения напряжения на коллекторном переходе,
б) введения заряженных носителей в крайние области тиристора,
в) вывода заряженных носителей из крайней области,
г)введения заряженных носителей в базовые области.
50. Нарисуйте структуру биполярного транзистора типа p-n-p.
58. Нарисуйте передаточные характеристики полевого транзистора с управляющим pn-переходом.
81. Какое условно-графическое обозначение соответствует полевому транзистору с изолированным затвором и индуцированным каналом p-типа:
а) в прямом; б) в обратном.
90. Какая схема соответствует LC генератору импульсов:
92. Какая схема соответствует инвертирующему усилителю:
100. Какое условно графическое изображение соответствует фототиристору:
101. Какая схема соответствует компаратору:
105. Какое условно графическое изображение соответствует диодному оптрону:
110. Какой логический элемент соответствует транзисторно-транзисторной логике (ТТЛ):
116. Какая схема соответствует регистру последовательного типа:
124. Нарисуйте, как осуществляется операция И-НЕ на транзисторе и составьте таблицу состояний.
Преподаватель В. В. Филимонов