Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
Кафедра мікроелектроніки НТУУ "КПІ"
ТВЕРДОТІЛЬНА ЕЛЕКТРОНІКА
ІНСТРУКЦІЯ
до лабораторної роботи № 7
Тема роботи: "Дослідження вольт-амперних характеристик біполярних транзисторів"
1. МЕТА РОБОТИ
Теоретичне вивчення і практичне дослідження біполярних транзисторів з допомогою вимірювання вольт-амперних характеристик, визначення фізичних та основних технічних параметрів біполярних транзисторів із вольт-амперних характеристик .
2. ЗАВДАННЯ
Вивчити структуру паспортних параметрів біполярних транзисторів. Ознайомитися із
вимірювальним стендом та використовуваними приладами (рис. 1, 2, 3, 4).
Зібрати схему для дослідження вольт-амперних характеристик біполярних транзистора
ввімкненого за схемою із спільним емітером (або із спільною базою).
Визначити експериментально і побудувати графічно сімейство вхідних характеристик
транзистора - залежність вхідного струму від вхідної напруги.
Визначити експериментально та побудувати графічно сімейство вихідних характеристик
транзистора - залежність вихідного струму від вихідної напруги.
* Провести температурні дослідження ВАХ біполярного транзистора при підвищеній
температурі Т2 ≈+70 °С.
**Із вхідних та вихідних ВАХ побудувати характеристики зворотного зв'язку і прямої
передачі.
За побудованими графіками характеристик визначити основні параметри біполярного
транзистора: коефіцієнт підсилення струму бази - β; коефіцієнт підсилення струму емітера -
α; диференційні опори емітерного rе і колекторного rc переходів для вибраної робочої точки
Ар (Ic, Uce); графічно визначити дифузійний потенціал емітерного переходу φ0е та опір бази rb.
Провести аналіз результатів досліджень, і зробити висновки з виконаної роботи.
3. ДОСЛІДНА УСТАНОВКА ТА МЕТОДИКА ВИМІРЮВАННЯ
Для дослідження транзисторів використовується схема із спільним емітером представлена на рис. 4 (зображено варіант для п-р-п транзистора). В схему досліджень входять: блок живлення Е1 для вхідного кола та блок живлення Е2 для вихідного кола схеми, міліамперметр А1 для вимірювання вхідного струму бази, міліамперметр А2 для вимірювання вихідного струму колектора, вольтметри V1 та V2 для вимірювання напруг база-емітер та колектор-емітер відповідно.
Для дослідження транзисторів може також використовуватись схема із спільною базою (представлена на рис. 3). В схему досліджень входять: міліамперметр Aе для вимірювання струму емітера, міліамперметр Ас для вимірювання струму колектора, вольтметри Vе та Vк для вимірювання напруг емітер-база та колектор-база відповідно.
Методика вимірювання вольт-амперної характеристики полягає у прямому вимірюванні напруги та струму на вхідних (чи вихідних) виводах транзистора при постійному значенні відповідного вихідного (чи вхідного) параметра на іншому виводі.
Для температурних досліджень транзистор розміщується в попередньо нагрітому термостаті поблизу термодатчика, і проводяться вимірювання при вищій температурі.
Із вхідної вольт-амперної характеристики, використовуючи апроксимацію Шоклі для
високого рівня інжекції, графічно визначається φ0е та rb:
4.ПОСЛІДОВНІСТЬ ВИКОНАННЯ ДОСЛІДЖЕНЬ
1. На початку роботи уважно прочитати та засвоїти цю інструкцію. Ознайомитись з будовою
стенду для дослідження ВАХ транзисторів. Виконати початкові установки на блоках
живлення: ручки регулювання вихідної напруги (дискретні перемикачі, "плавно", "U", і т.п.)
Встановити в нульову позицію (Uвих = 0).
2. Зібрати схему для дослідження вольт-амперної характеристики. Ввімкнути прилади
встановити на вольтметрах межу вимірювань для V1 - "1 B" або "5 В", для V2 - "1 B". Після 5... 10 хв, прогріву провірити точність установки "нулів" вольтметрів.
УВАГА! ПІД ЧАС ВИМІРЮВАНЬ НЕ ПЕРЕВИЩУЙТЕ ВКАЗАНІ РЕЖИМИ:
1) Uce max =20 В; 2)Іc max = 30 мА; 3) Іb max = 500 мкА для усіх типів транзисторів.
3. Вимірювання статичних ВАХ транзисторів за схемою із спільним емітером.
Вхідні характеристики - це залежність між струмом бази Ib і напругою на емітерному переході Ube при постійній напрузі колектор-емітер Uсe:
Вихідні характеристики - це залежність між струмом колектора Іc і напругою колектор-
емітер Uce при постійному струмові бази:
3.1. Вимірювання сімейства вхідних характеристик.
3.1.1. Встановлюються по черзі вибрані значення напруги колектор-емітер:
Uce = 0 В: потім ще 1... 3 значення від 2 до 10 В (за вибором). Кожному значенню Uce буде відповідати окрема вхідна характеристика.
3.1.2. Змінюючи струм бази через 30...50 мкА вимірювати відповідні значення напруги база-
емітер при зміні струму Іb від 0 до 500 мкА. При вимірюванні підтримувати незмінним
встановлене значення напруги колектор-емітер.
3.2. Вимірювання сімейства вихідних характеристик.
3.2.1. Встановлюються по черзі вибрані значення струму бази, наприклад :
Іb= 0; 50; 100; ...; мкА (за вибором 2...4 значення).
Кожному значенню Іb буде відповідати окрема вихідна характеристика. При вимірюванні підтримувати незмінним встановлене значення струму бази.
3.2.2. Змінюючи напругу колектор-емітер на ділянці до 3 В через 0,1 ... 0,5 В, потім через
1...2В, вимірювати відповідні значення струму колектора при зміні напруги Uce від 0 до
10 (або 20) В. Не перевищувати струм колектора: — Іc< 30 мА !!!.
УВАГА! Наприкінці кожного вимірювання: — спочатку знизити до нуля вихідну напругу джерела живлення колекторного кола Е2, а потім — зменшити до 0 напругу джерела живлення вхідного кола Е1.
4. Вимірювання статичних ВАХ транзисторів за схемою із спільною базою.
Вхідні характеристики представляють собою залежність струму емітера Іe від напруги емітер-база Ueb при постійній напрузі на колекторі:
Вихідні характеристики - це залежність струму колектора Іc від напруги колектор-база Ucb при постійному струмові емітера :
4.1. Вимірювання сімейства вхідних характеристик.
4.1.1. Встановлюються по черзі вибрані значення напруги колектор-база:
Ucb = 0 В: потім 1... 3 значення від 2 до 10 В (за вибором).
Кожному значенню Ucb буде відповідати окрема вхідна характеристика. При вимірюванні підтримувати незмінним встановлене значення напруги колектор-база.
4.1.2. Змінюючи струм емітера через 0,5...1 мА вимірювати відповідні значення напруги
емітер-база при зміні струму Іe від 0 до 10 мА.
4.2. Вимірювання сімейства вихідних характеристик.
4.2.1. Встановлюються послідовно вибрані значення струму емітера:
Іe =0,5; 1,0; 2,0; ... 10 мА (за вибором 2... 4 значення).
Кожному значенню Іe буде відповідати окрема вихідна характеристика. При вимірюванні підтримувати незмінним встановлене значення струму емітера. Не перевищувати струм колектора: Іe<30 мА !
4.2.2. Змінюючи напругу колектор-база: а) на ділянці до 2 В через 0,1... 0,5 В,
в) потім — через 1...2В, вимірювати відповідні значення струму колектора при зміні напруги Ucb від 0 до 10 В (або 20 В).
Зменшити напругу до 0, змінити полярність Ucb і проводити вимірювання від 0 В через 0,1... 0,2 В до досягнення нульового значення вихідного струму колектора Іc.
УВАГА! Наприкінці кожного вимірювання спочатку знизити до нуля вихідну напругу джерела живлення колекторного кола Е2, а потім зменшити до 0 напругу джерела живлення вхідного кола Е1.
5. *Температурні дослідження ВАХ транзистора.
Помістити плату з досліджуваним транзистором у попередньо нагрітий термостат (до температури Т2 ≈+70 ºС). Провести дослідження вхідної і вихідної ВАХ транзистора у відповідності із п.3 або п.4. Значення температури в процесі зняття ВАХ повинно підтримуватись постійним з точністю ±4 °С.
6. За отриманими даними побудувати графіки сімейств ВАХ транзистора. Однотипні
характеристики зняті при різних температурах зображуються на одному малюнку.
6.1. Із графіків знятих характеристик визначити основні параметри транзистора. Графічно визначити дифузійний потенціал φ0е та опір бази rb транзистора.
7. Провести аналіз результатів досліджень. Порівняти параметри транзистора для різних
режимів та різних температур, пояснити вплив температури на параметри і зробити висновки з
виконаної роботи.
5. РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ (зразок)
5.1.Результати вимірювань
Табл. №5.1 Вхідна ВАХ транзистора _______. (зразок)
Умови досліджень: схема із спільним емітером, Uсе = . . . В; Т1 = . . .ºС.
|
Іb, мкА |
0 |
Ib max |
||||||||
|
Ube , В |
0 |
Табл. №5.2 Вхідна ВАХ транзистора _______. (зразок)
Умови досліджень: схема із спільним емітером, Uce = . . . В; Т2 = 72 ºС.
|
Іb, мкА |
0 |
Ib max |
||||||||
|
Ube, В |
0 |
Табл. №5.3 Вихідна ВАХ транзистора . (зразок)
Умови досліджень: схема із спільним емітером, Іb = . . . мкА; Т1 = . . .ºС.
|
Uce, В |
0 |
Umax |
|||||||||
|
Іc, мА |
0 |
5.2. Розрахунки.
5.2.1. Із вольт-амперної характеристики, використовуючи апроксимацію Шоклі для високого рівня інжекції, визначили (див. побудову на графіках вхідних ВАХ):
для транзистора : φ0e В; Rb ~ Ом;
Табл. №5.4 (зразок)
|
Основні параметри транзистора: (умовне познач., розмірність) |
||||||
|
для режиму 1 : |
||||||
|
для режиму 2 : |
5.2.2. Результати температурних досліджень ВАХ, при Т1=20 °С і Т2=70 °С:
а) б)
Рис. 1 Структура (а) та умовне зображення в схемах (б) біполярного транзистора на схемах електричних принципових.
Рис.2. Схеми транзистора: а) із спільною базою; б) із спільним емітером;
в) із спільним колектором.
Рис.3. Схема дослідження характеристик транзистора ввімкненого за схемою із спільною базою.
Рис.4. Схема для дослідження вольт амперних характеристик транзистора ввімкненого за схемою із спільним емітером
Кафедра мікроелектроніки НТУУ "КПІ"
ТВЕРДОТІЛЬНА ЕЛЕКТРОНІКА
ІНСТРУКЦІЯ
до лабораторної роботи № 8
Тема роботи: "Дослідження частотних властивостей біполярних транзисторів"
1.МЕТА РОБОТИ
Теоретичне вивчення фізичних процесів та факторів, що впливають на частотні властивості біполярного транзистора. Освоєння методики вимірювання на змінному струмі параметрів транзистора: коефіцієнтів підсилення струмів емітера і бази - α = ψ1(f), β = ψ2(f); кута зсуву фаз струмів емітера і колектора φcе = ψ3(f).
2.ЗАВДАННЯ
3.ДОСЛІДНА УСТАНОВКА ТА МЕТОДИКА ВИМІРЮВАННЯ
Для дослідження частотних властивостей біполярного транзистора використовується схема представлена на рис.1. В схему входять: генератор високої частоти G, високочастотний вольтметр V2 та лабораторний макет. В макеті розміщені такі органи управління та прилади:
" Іe " - потенціометр для встановлення режиму постійного струму емітера Ie;
"Еc" - регулятор для встановлення режиму постійної напруги зміщення на колекторі;
мА - міліамперметр для вимірювання постійного струму емітера, шкала — 10 мА;
V1 - вольтметр для вимірювання постійної напруги колектор-база, шкала — 10 В;
S1 - перемикач для зміни напрямку протікання високочастотного сигналу;
S2 - перемикач для зміни режиму вимірювання коефіцієнтів α або β;
Елементи схеми: R1, Re та С1 служать для розвозки сигналів постійного та змінного струмів; Rc = 50 Ом Rb = 500 Ом — вимірювальні резистори для визначення, відповідно колекторного та базового струмів. При необхідності в схему може добавлятись частотомір F.
Використовувана схема дозволяє вимірювати, в залежності від позиції перемикача S2 (рис.1), як коефіцієнт підсилення струму емітера α так і коефіцієнт підсилення струму бази β.
Методика досліджень полягає у прямому вимірюванні високочастотним вольтметром V2 змінних напруг, пропорційних вхідному чи вихідному струмам, при заданому режимі роботи транзистора: вибраних значеннях постійного струму емітера та постійної напруги зміщення на колекторі.
Якщо ключ S2 знаходиться в позиції "1" то транзистор буде увімкнутим за схемою із
спільною базою. Після установки режиму роботи транзистора (Еc, Іe), від генератора високої
частоти задається (коли ключ S1 знаходиться в позиції "1") змінний струм і1 з частотою f.
Величина встановлюваного струму і1 вимірюється електронним мілівольтметром V2 за спадом
напруги u1 на опорі Rc. При перемиканні S1 в позицію "2" струм і1 подається в емітер, і тоді іе=і1. При цьому на опорі Rc падає уже напруга u2 за рахунок протікання струму колектора іc.
Таким чином можна вирахувати значення струмів іе = u1/Rc , іc = u2/Rc , та коефіцієнт
підсилення струму емітера α: α = іc / іе= u2/ u1
Даною схемою можливо також виконувати прямі виміри β — коефіцієнта передачі струму
бази. Для цього S1 перемикається в позицію "2", S2 — в позицію "1", і вольтметром V2
спочатку вимірюється встановлювана напруга u2, пропорційна струму колектора іc. Потім К2
перемикається в позицію "2" і вимірюється u3 - напруга пропорційна струму бази іb. Величина
β знаходиться за формулою: β = іc/ іb =( u2/ u3 ) · (Rb / Rc).
Частоти, при яких абсолютні величини α чи β зменшуються в √2 раз, визначаються як граничні частоти fα чи fβ, відповідно.
Схема дає можливість зняти залежність коефіцієнта підсилення а від рівня інжекції (тобто від значення струму емітера), а також визначити величину кута зсуву фаз між струмом емітера та струмом колектора φcе (фазовий зсув).
4.ПОСЛІДОВНІСТЬ ВИКОНАННЯ ДОСЛІДЖЕНЬ
1. Ознайомитись з будовою стенду для досліджень транзистора на змінному струмі. Виконати
початкові установки на макеті: S1 — в позицію "2", S2 — в позицію "1". На генераторі
установити ручку регулятора вихідної напруги в нульову позицію, вибрати початкову частоту
— 10 кГц. На вольтметрі V2 перемикач "РОД РАБОТЫ" установити в позицію "U".
УВАГА! ПІД ЧАС ВИМІРЮВАНЬ НЕ ПЕРЕВИЩУЙТЕ ВКАЗАНІ РЕЖИМИ: 1) Uce max = 10 В; 2) Іc max = 10 мА; 3) u1 max = 50 мВ для усіх типів транзисторів.
3.1. Визначити αnom — величину коефіцієнта підсилення струму емітера транзистора при
номінальному робочому режимі — Ec nom , Іe nom і частоті 10 кГц.
Установити ручками "Іc" та "Еe" режим вимірювання (наприклад: Еc =10 В, Іe = 5 мА).
Перемикач S1 установити в позицію "1" і ручкою регулювання вихідної напруги генератора
встановити такий вихідний струм генератора і1, щоб стрілка вольтметра V2 відхилилась на
кінцеву відмітку шкали на вибраній межі вимірювань (але не більше 30 мВ), тим самим
встановлюється вибрана величина змінної напруги u1. Перемкнути S1 в позицію "2" і зняти нові показання вольтметра V2, тобто виміряти змінну напругу u2. Обчислити коефіцієнт підсилення αnom.
3.2. Зняти частотну залежність коефіцієнта підсилення струму емітера транзистора α = ψ1(f).
Встановлючи різну частоту генератора f і підтримуючи постійний струм і1 ( тобто u1), виконувати вимірювання u2 до тих пір, поки коефіцієнт α не зменшиться в три рази від початкового значення (або до досягнення максимальної частоти генератора) .
3.3. Розрахувати відповідні значення β — коефіцієнту підсилення струму бази за формулою
β = α /(1- α).
3.4. Зняти залежності і побудувати графіки α = ψ1(f) при різних значеннях Еc. Значення Еc
задається викладачем (або вибирається самостійно, наприклад: 1В, 2В, 8В).
5.РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ (зразок)
5.1.Таблиці вимірювань
Табл. 5.1. Амплітудно-частотна характеристика коефіцієнта α. (зразок)
Умови вимірювань: ном. реж. — Еc nom= . . .В, Іe nom = . . .мА; u1 = ... мВ; T = ... °С; транзистор____
|
F, кҐц |
10 |
… |
… |
||||||||
|
u2 , мВ |
|||||||||||
|
Α |
|||||||||||
|
Β |
|||||||||||
|
lg f |
4 |
5 |
10 |
Табл. 5.2. Амплітудно-частотна характеристика коефіцієнта α. (зразок)
Умови вимірювань: Еc1= . . .В, Іe1 = . . . м А; u1 = ... мВ; T = 20 °С; транзистор______
|
F, кҐц |
10 |
1000 |
… |
… |
|||||||
|
U2 , мВ |
|||||||||||
|
Α |
|||||||||||
|
Ig f |
4 |
5 |
10 |
Табл. 5.3. Залежність коефіцієнту підсилення струму емітера від режиму. (зразок)
Умови вимірювань: Еc= . . .В, u1 = ... мВ; f = 10 кГц; T = 20 °С;
|
Іe, мА |
||||||||||
|
U1, мВ |
5.2. Розрахунки.
5.2.1. Розрахунок параметрів транзистора:
Із знятої характиристики визначили (див. на графіках):
для транзистора:______ αnom =…, βnom =…, … fα =… fα =… fβ =… , іе=…, іc=…, іb=….
5.2.2.Розрахунок ефективної товщини бази: для германію Dp=...; у номінальному режимі: fα=....кГц;
тоді Wb = … мкм.
5.3.2. Визначення кута φcе: для f =.... кГц розраховуємо значення змінних струмів іе , іc , іb
будуємо векторну діаграму і вимірюємо кут між іе та іc .
6.АНАЛІЗ РЕЗУЛЬТАТІВ ДОСЛІДЖЕНЬ ТА ВИСНОВКИ З ВИКОНАНОЇ РОБОТИ.
|
Основні параметри транзистора: (умовне познач., розмірність) |
||||||
|
для режиму _______ : |
Рис.1. Схема дослідження частотних властивостей біполярного транзистора:
RК=50 Ом, RБ=500 Ом, R1=5000 Ом, RЕ=1000 Ом,
Кафедра мікроелектроніки НТУУ "КПІ"
ТВЕРДОТІЛЬНА ЕЛЕКТРОНІКА
ІНСТРУКЦІЯ
до лабораторної роботи № 9
Тема роботи: "Дослідження польових транзисторів з керуючим р-п переходом."
1. МЕТА РОБОТИ
Дослідження польових транзисторів з р-п переходом в якості затвора. Теоретичне вивчення принципу роботи польових транзисторів, практичне визначення фізичних та основних
технічних параметрів із їх вольт-амперних характеристик.
2. ЗАВДАННЯ
вимірювальним стендом та використовуваними приладами.
переходом в якості затвора.
залежності струму стоку від напруги затвор-виток: Іd=f (Ugs), при Uds = const.
напруги сток-виток: Іd=f (Uds), при Ugs = const].
температурі Т2 ≈+70 °С.
характеристик передачі.
3. ДОСЛІДНА УСТАНОВКА ТА МЕТОДИКА ВИМІРЮВАННЯ
Для дослідження польових транзисторів використовується схема із спільним витоком. В схему досліджень входять: блок живлення Е1 для вхідного кола та блок живлення Е2 для вихідного кола схеми, вольтметри V1 та V2 для вимірювання напруг затвор-виток та сток-виток відповідно, міліамперметр А1 для вимірювання вихідного струму стоку. Особливістю польового транзистора з р-п переходом в якості затвора є те, що полярність робочої напруги на затворі протилежна полярності напруги на стоку.
На рис.1 представлена схема досліджень n-канального транзистора. Для дослідженню p-канального транзистора необхідно перемінити полярність напруг, що подаються від блоків живлення Е1 та Е2.
Вимірювання вольт-амперних характеристик полягає у прямому вимірюванні струму стоку в залежності від напруги на стоці при постійному значенні іншої напруги — напруги на затворі (вихідні характеристики), або вимірюванні струму стоку в залежності від напруги на затворі — вхідному виводі транзистора, відповідно при постійному значенні напруги на стоці.
Для температурних досліджень транзистор розміщується в попередньо нагрітому термостаті поблизу термодатчика, і проводяться вимірювання ВАХ при вищій температурі.
4.ПОСЛІДОВНIСТЬ ВИКОНАННЯ ДОСЛІДЖЕНЬ
УВАГА! А) ПІД ЧАС ВИМІРЮВАНЬ НЕ ПЕРЕВИЩУЙТЕ ВКАЗАНІ РЕЖИМИ:
1)Usd max=10 В; 2)Іd мax=10мА; 3)Ugd max = 5 В для усіх типів транзисторів. !!!.
Наприкінці вимірювання кожної характеристики польового транзистора спочатку зменшується до нуля напруга вихідного (стокового) блоку живлення Е2, а потім вхідного (затворного) блоку живлення Е1.
3. Вимірювання статичних ВАХ польових транзисторів за схемою із спільним витоком.
Характеристики передачі - це залежність між струмом стоку Id на виході і напругою затвор-виток Ugd на вході при постійній напрузі сток-виток Usd:
Іd=f (Ugd), при Usd =const.
Сімейство вихідних характеристик - це залежності між струмом стоку Іd і напругою сток-виток Usd на виході при вибраних постійних напругах затвор-виток на вході:
Іd=f (Usd), при Ugs =const.
3.1. Вимірювання сімейства характеристик передачі.
3.1.1. Встановлюється одне з вибраних значень напруги сток-виток, наприклад :
Usd = 1,50 В (потім 1,0; 3,0 ... 8,0 В — за вибором 2 ... З значення). Кожному значенню Usd буде відповідати окрема характеристика передачі.
3.1.2. Змінюючи напругу затвор-виток Ugd через 0,10... 0,20 В (від 0 до 3...5 В), вимірювати
відповідні значення струму стоку Іd . При вимірюванні підтримувати незмінним вибране
значення напруги сток-виток. Визначити експериментально напругу відсічки Ug sat для
кожної характеристики.
3.2. Вимірювання сімейства вихідних характеристик.
3.2.1. Встановлюється по черзі вибрані значення напруги затвор-виток:
наприклад — Usd = 0 В; потім 1...3 значення від 0,3 В до напруги відсічки Ug sat. . Кожному значенню Ugd буде відповідати окрема вихідна характеристика.
3.2.2. Змінюючи напругу сток-виток Uds в межах від 0 до 10 В спочатку через 0,2 В, потім
через 0,5...2 В, вимірювати відповідні значення струму стоку Іd при зміні напруги.
Підтримуйте незмінним встановлене значення напруги затвор-виток Ugd .
4. Температурні дослідження ВАХ польового транзистора.
Помістити плату з досліджуваним транзистором у попередньо нагрітий термостат (до температури Т2 ≈ +70 °С). Провести дослідження вихідних характеристик та характеристик передачі польового транзистора у відповідності із п.3. Значення температури в процесі зняття ВАХ повинно підтримуватись постійним (± 2°С).
5. РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ (зразок)
5.1.Результати вимірювань
Табл. 5.1 Характеристика передачі польового транзистора______(тип транзистора). (зразок)
Умови досліджень: схема із спільним витоком, Uds1 = … В, T1 = … ºС
|
Ugs ,В |
0 |
… |
… |
… |
… |
5 |
|||||
|
Іd, мА |
0,01 |
Табл. 5.2 Характеристика передачі польового транзистора______(тип транзистора). (зразок)
Умови досліджень: схема із спільним витоком, Uds1 = … В, T2 = … ºС
|
Ugs ,В |
0 |
||||||||||
|
Іd, мА |
Табл. 5.3 Вихідна ВАХ польового транзистора______. (зразок)
Умови досліджень: схема із спільним витоком, Ugs1 = … В, T1 = … ºС
|
Uds ,В |
0 |
… |
10 |
|||||||
|
Іd. мА |
Табл. 5.4 Вихідна ВАХ польового транзистора______.(зразок)
Умови досліджень: схема із спільним витоком, Ugs2 = … В, T2 = … ºС
|
Uds ,В |
0 |
… |
10 |
|||||||
|
Іd. мА |
5.2. Розрахунки
5.2.1. Із вольт-амперних характеристик визначаємо (див. побудову на графік сімейства вихідних ВАХ):
для транзистора_____:
5.2.2. Результати температурних досліджень ВАХ: при Т1=20 ºС і Т2=74 ºС .
6.АНАЛІЗ РЕЗУЛЬТАТІВ ДОСЛІДЖЕНЬ ТА ВИСНОВКИ З ВИКОНАНОЇ РОБОТИ
|
Основні параметри транзистора: (умовне познач., розмірність) |
||||||
|
для режиму 1______ : |
||||||
|
для режиму 2 _____ : |
||||||
|
при температурі Т2=74 ºС |
Рис.1. Схема експериментальної установки для дослідження польових транзисторів із
p-n-переходом і n-каналом
Рис.2. Сімейства вольт амперних характеристик польового транзистора із
p-n-переходом: а) вихідних – Іd=f(Uds)|Ugs=const ; б) перехідних – Іd=f(Ugs)|Uds=const