Будь умным!


У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.net

В чем заключается эффект Холла и каков механизм его возникновения В 1879 г

Работа добавлена на сайт samzan.net:


Вопросы к лабораторному коллоквиуму.

Лаб. Раб 35


1. В чем заключается эффект Холла и каков механизм его возникновения?

В 1879 г. Э. Холл обнаружил, что в проводнике с током, помещенном в поперечное к току магнитное поле, возникает дополнительное электрическое поле, направленное перпендикулярно и к току, и к вектору магнитной индукции. Это явление получило название эффекта Холла. При наличии в металлическом образце электрического тока электроны проводимости движутся с некоторой дрейфовой скоростью в направлении, противоположном вектору плотности тока. В магнитном поле с индукцией  на движущиеся с этой скоростью электроны действует сила Лоренца, направленная перпендикулярно к векторам и . Поскольку заряд электронов отрицателен, под действием силы Лоренца они отклоняются в сторону. В результате на нижней грани образца накапливается отрицательный электрический заряд, а на противоположной грани возникает избыточный положительный заряд. Это приводит к возникновению поперечного электрического поля , направленного вертикально вниз.  Нетрудно убедиться, что если свободными носителями заряда являются дырки, то верхняя грань образца заряжается отрицательно, а нижняя – положительно. Таким образом, направление поля Холла  при заданных направлениях магнитного поля и тока зависит от знака носителей заряда.


2. От каких характеристик носителей тока зависит постоянная Холла зависит в собственных полупроводниках?

Постоянная Холла в таких полупроводниках может быть рассчитана по формуле:

где  и  - концентрации электронов и дырок,  и  - их подвижности (отношение дрейфовой скорости носителей тока к напряженности электрического поля, вызывающего дрейф).

В собственном полупроводнике концентрации электронов и дырок одинаковы:  В этом случае формула приобретает вид:

Если бы подвижности электронов и дырок в собственном полупроводнике были равны друг другу, постоянная Холла обратилась бы в нуль и эффект бы не наблюдался.


3. Вывод расчетной формулы для расчета постоянной Холла R=d tgα/B



Лаб. Раб 36

4. Что понимают под основными и неосновными носителями тока в полупроводниках?

В полупроводниках носителями заряда являются электроны и дырки. Отношение их концентраций определяет тип проводимости полупроводника.

Если значительно преобладают электроны, то такой полупроводник называется полупроводником n-типа. Электроны, в этом случае, называются основными носителями заряда, а дырки — неосновными.

Соответственно, если преобладают дырки, то полупроводник является полупроводником p-типа, дырки — основными носителями, а электроны неосновными.
5. Какие полупроводники называются электронными, какие дырочными? 

Электронным полупроводником или полупроводником типа n называется полупроводник, в кристаллической решетке которого помимо основных атомов содержатся примесные пятивалентные атомы, называемые донорами. Электроны в этом случае являются основными носителями заряда, а дырки - неосновными.

Дырочным полупроводником или полупроводником типа p называется полупроводник, в кристаллической решетке которого содержатся примесные трехвалентные атомы, называемые акцепторами.


6. Какой принцип действия полупроводникового диода?

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД - полупроводниковый прибор с двумя электродами, обладающий односторонней проводимостью. К полупроводниковым диодам относят обширную группу приборов с p-n-переходом. Принцип действия полупроводникового диода:

В основе принципа действия полупроводникового диода — свойства электронно-дырочного перехода, в частности, сильная асимметрия вольт-амперной характеристики относительно нуля. Таким образом, различают прямое и обратное включение. В прямом включении диод обладает малым электросопротивлением и хорошо проводит электрический ток. В обратном — при напряжении меньше напряжения пробоя сопротивление очень велико и ток перекрыт.


7. Как изменяется с температурой концентрация носителей тока в полупроводниках?


8. Каков характер зависимости обратного тока от температуры?


9. Вывод расчетной формулы для расчета ширины запрещенной зоны 


Лаб. Раб 33


10. Какие полупроводники называются собственными?

Собственный полупроводник — это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 10−8 … 10−9%. Концентрация дырок в нём всегда равна концентрации свободных электронов.


11. Какие носители электрического заряда создают электрический ток в собственном полупроводнике?


12. Что называется вольт- амперной характеристикой терморезистора?

Терморезистор – полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется с изменением температуры.  Статическая вольт-амперная характеристика терморезистора – зависимость силы протекающего по нему тока I от напряжения U, действующего на терморезисторе при условии стационарного состояния полупроводника с окружающей средой. Для всех терморезисторов характерно существование нелинейного участка на вольт-амперной характеристике.
13. Как объяснить нелинейность вольт – амперной характеристики?

При малом токе в терморезисторе выделяющейся в нем тепловой мощности недостаточно для существенного изменения его температуры, вследствие этого практически не меняется концентрация носителей тока и их подвижность, а следовательно, и сопротивление полупроводника, поэтому выполняется закон Ома. Дальнейшее увеличение силы тока приводит к росту выделяемой в полупроводнике тепловой мощности и повышению его температуры. Вследствие этого сопротивление полупроводника резко уменьшается и зависимость между напряжением и силой тока становится нелинейной.


14. Как определить ширину запрещенной зоны полупроводника, зная зависимость сопротивления полупроводника от температуры?


15. Вывод расчетной формулы для расчета ширины запрещенной зоны




1. Государственное управление земельными ресурсами от лица Правительства Российской Федерации осуществляют
2. Контрольная работа- Нарахування операційних комісійних та процентних доходів та витрат від операцій з клієнтами.html
3. вариант 1 Какая масса плода соответствует выкидышу до 999 г от 1000 до 1500 г более 1500 г до 2500 г с
4. Історія документування в Давньому Вавилоні Месопотамія
5. Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий механики и оптики Сп1
6. Кадам База отдыха Кадам расположена в 10 километрах от старинного коми села Керчомья
7. реферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата медичних наук Київ 2
8. Ноктюрнал Настоящие Правила определяют внутренний трудовой распорядок в ООО Ноктюрнал порядок прие.html
9. Бази даних є формування у студентів системи фундаментальних теоретичних і практичних знань щодо- архі
10. тема договоров направленных на восстановление феодальноабсолютистских монархий разрушенных французской
11. Тема 4 Феномен особистості і філософське осмислення можливостей освіти
12. практикум 1. Классификация ЧС.html
13. Построение гибридной сети доступа 5 1
14. Курсовая работа- Пряно-ароматические растения
15. Тема- Створення редагування та форматування документу
16. Лабораторный стенд Видеотракта
17. темах географических компонентов и феноменов взаимосвязанных в своем историческом развитии а также техног
18. 123 работы Вопрос а вы бы хотели перейти в правую сторону квадрата Скажите а есть такая возможность Есть ли.
19. вырастает исключительно из художественной деятельности; дизайн использует художественные методы проект
20. 3.1 УЧЁТ ОБЛИГАЦИЙ ФЕДЕРАЛЬНОГО ЗАЙМА С ПЕРЕМЕННЫМ КУПОННЫМ ДОХОДОМ