У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.net

Прикладная электроника для специальности 230113 Компьютерные системы и комплексы 3 курс Электрон

Работа добавлена на сайт samzan.net:

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 28.12.2024

Экзаменационные вопросы

промежуточной аттестации

по дисциплине «Прикладная электроника»

для специальности 230113 «Компьютерные системы и комплексы»

3 курс

  1. Электрон в электрическом и магнитном поле.
  2. Суть явлений в приложении к электронной технике.
  3.  Электропроводность полупроводников.
  4.  Полупроводники p и n типа.
  5.  Проводники, диэлектрики, полупроводники, физические явления, свойства.
  6.  Примесные полупроводники, структура и зонные диаграммы электронного и дырочного полупроводников.
  7.  Образование и свойства p-n перехода.
  8.  Физические явления при образовании p-n перехода.
  9.  Свойства p-n перехода в равновесном состоянии и при наличии внешнего напряжения.
  10.  Вольтамперная характеристика p-n перехода.
  11.  Устройство, характеристики и классификация диодов.
  12.  Разновидности и области применения полупроводниковых диодов.
  13.  Устройство, принцип работы, схемы включения выпрямительных диодов.
  14.  Устройство, принцип работы, схемы включения кремниевых стабилитронов.
  15.  Устройство, принцип работы, схемы включения варикапов.
  16.  Устройство, принцип работы, схемы включения светодиодов, фотодиодов.
  17. Биполярные транзисторы. Классификация, условные графические обозначения транзисторов.
  18. Структура, принцип действия биполярных транзисторов.
  19. Режимы работы, схемы включения транзисторов.
  20.  Статические характеристики биполярных транзисторов.
  21. Полевые транзисторы. Структура, принцип действия полевых транзисторов.
  22.  Характеристики, параметры полевых транзисторов.
  23. Схемы включения полевых транзисторов.
  24. Структура и принцип действия металл диэлектрик полупроводник  (МДП) – транзисторов с индуцированными n и p – каналами.
  25. Особенности транзисторов со встроенным каналом.
  26. Тиристоры. Классификация, условные графические обозначения.
  27. Четырехслойная полупроводниковая структура и ее особенности.
  28. Схемы включения, характеристики и параметры диодных и триодных тиристоров. Применение.
  29. Фотоэлектронные излучающие приборы.
  30. Фотодиоды, особенности конструкции, схемы включения, характеристики. параметры.
  31. Фототранзисторы,  особенности конструкции, схемы включения, характеристики. параметры.
  32. Фототиристоры. особенности конструкции, схемы включения, характеристики, параметры.
  33. Оптроны, составляющие их элементы, условные обозначения, классификация, области применения.
  34. Назначение и классификация буквенно-цифровых индикаторов.
  35. Светодиодные индикаторы. Конструкция, схемы, система обозначений, основные типы и их параметры, применение.
  36. Газоразрядные индикаторы.
  37. Жидкокристаллические индикаторы.
  38. Вакуумные  люминесцентные индикаторы.
  39. Электролюминесцентные индикаторы.
  40. Технико-экономические характеристики и показатели интегральных схем (ИС).
  41. Классификация и система обозначений интегральных схем (ИС).
  42. Особенности, достоинства, недостатки гибридных интегральных схем.
  43. Основные части гибридных интегральных схем  (ГИС). Конструкция элементов ГИС. Компоненты ГИС.
  44. Особенности, достоинства и недостатки полупроводниковых интегральных микросхем ПИМС на биполярных структурах.
  45. Полупроводниковые интегральные микросхемы (ПИМС) на структурах полевых транзисторов.
  46. Структура металл диэлектрик полупроводник (МДП) транзисторов.
  47. Основные направления развития функциональной микроэлектроники.
  48.  Оптоэлектроника. Акустоэлектроника.
  49. Магнетоэлектроника. Криоэлектроника.
  50. Хемотроника. Биоэлектроника.
  51. Дальнейшее развитие микроэлектроники.
  52. Миниатюризация и микроминиатюризация электронных  устройств.
  53. Основные понятия микроэлектроники.
  54. Классификация интегральных микросхем.
  55. Элементы интегральных микросхем.
  56. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы.
  57. Большие интегральные микросхемы и микропроцессоры.
  58. Функциональная микроэлектроника.
  59. Электронные выпрямители, преобразователи, стабилизаторы напряжения и тока, защита электронных устройств. Назначение, применение. Принципы построения схем.
  60. Классификация и основные параметры усилителей.
  61. Принцип построения каскада усиления.
  62. Режим транзисторного каскада по постоянному и переменному току.
  63. Способы подачи напряжения смещения на базу, затвор.
  64. Способы температурной стабилизации положения рабочей точки на характеристике каскада.  
  65. Предварительные каскады усиления на биполярном и полевом транзисторах.
  66.  Усилители мощности.
  67. Дифференциальные усилители.
  68. Общие сведения об электрических сигналах.
  69. Частотный спектр сигнала.
  70. Транзисторные электронные ключи.
  71. Классификация генераторов.
  72. Примеры интегрального исполнения генераторов.
  73. Основные логические операции.
  74. Простейшие логические схемы.
  75. Характеристики и параметры логических интегральных микросхем. Транзисторно-транзисторная логика.
  76. Интегральные логические элементы на металл диэлектрик полупроводник (МДП) - структурах.
  77. Эмиттерно-связанная логика (ЭСЛ).
  78. Большие интегральные схемы (БИС).
  79. Сверхбольшие интегральные схемы (СБИС)
  80. Микропроцессоры в виде одной или нескольких сверхбольших интегральных схем (МП СБИС).

Преподаватель: Н.Ф. Махкамов ______________




1. летний опыт проведения курсов обучения разработка методик учебных и методических материалов
2. Изучение технико-экономической характеристики ОАО «Совхоз комбинат «Сож», организационной структуры данного предприятия
3. Исследование финансово-хозяйственной деятельности Дульдургинского райпо
4. МЕТОДИКА РАБОТЫ С «ПОРТФОЛИО» МЛАДШИХ ШКОЛЬНИКОВ
5. либо одной группе
6. Форма и содержание в искусстве
7. реакции в опорах 1 и 2 от сил в зубчатом зацеплении 2
8. Тема; V1-Пропедевтика терапевтической стоматологии V2-Организация и оборудование стоматологического каб.
9. КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА ПО ИНФОРМАЦИОННЫМ ТЕХНОЛОГИЯМ В ЮРИДИЧЕСКОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ Вариант 2 Выполните следую
10. Статья 216. Уголовный кодекс РФ Нарушение правил безопасности при ведении горных строительных или иных работ.html
11. I. Тестовая часть Проставьте или в колонках соответствующих правильному по Вашему мнению ответу
12. Мосстройцены 2006 наименование стройки ОБЪЕКТНАЯ
13. Начальные этапы обучения технике эстрадного вокала
14. Наконецто появилась книга о сбыте и торговле способная порадовать и ветерана и новичка в равной степени Я
15. . 28с. Предисловие Несмотря на ряд фундаментальных работ построенных на фактическом материале архиво
16. з курсу ldquo;Гроші і кредитrdquo; 1
17. Реферат- Нейропсихологическая реабилитация
18. реферату- Творчість Леонардо да ВінчіРозділ- Образотворче мистецтво Творчість Леонардо да Вінчі Серед ти
19. Чрезвычайный режим на Украине
20. Происхождение, термический режим и природные ресурсы озер