Прикладная электроника для специальности 230113 Компьютерные системы и комплексы 3 курс Электрон
Работа добавлена на сайт samzan.net:
Поможем написать учебную работу
Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
от 25%
Подписываем
договор
Экзаменационные вопросы
промежуточной аттестации
по дисциплине «Прикладная электроника»
для специальности 230113 «Компьютерные системы и комплексы»
3 курс
- Электрон в электрическом и магнитном поле.
- Суть явлений в приложении к электронной технике.
- Электропроводность полупроводников.
- Полупроводники p и n типа.
- Проводники, диэлектрики, полупроводники, физические явления, свойства.
- Примесные полупроводники, структура и зонные диаграммы электронного и дырочного полупроводников.
- Образование и свойства p-n перехода.
- Физические явления при образовании p-n перехода.
- Свойства p-n перехода в равновесном состоянии и при наличии внешнего напряжения.
- Вольтамперная характеристика p-n перехода.
- Устройство, характеристики и классификация диодов.
- Разновидности и области применения полупроводниковых диодов.
- Устройство, принцип работы, схемы включения выпрямительных диодов.
- Устройство, принцип работы, схемы включения кремниевых стабилитронов.
- Устройство, принцип работы, схемы включения варикапов.
- Устройство, принцип работы, схемы включения светодиодов, фотодиодов.
- Биполярные транзисторы. Классификация, условные графические обозначения транзисторов.
- Структура, принцип действия биполярных транзисторов.
- Режимы работы, схемы включения транзисторов.
- Статические характеристики биполярных транзисторов.
- Полевые транзисторы. Структура, принцип действия полевых транзисторов.
- Характеристики, параметры полевых транзисторов.
- Схемы включения полевых транзисторов.
- Структура и принцип действия металл диэлектрик полупроводник (МДП) транзисторов с индуцированными n и p каналами.
- Особенности транзисторов со встроенным каналом.
- Тиристоры. Классификация, условные графические обозначения.
- Четырехслойная полупроводниковая структура и ее особенности.
- Схемы включения, характеристики и параметры диодных и триодных тиристоров. Применение.
- Фотоэлектронные излучающие приборы.
- Фотодиоды, особенности конструкции, схемы включения, характеристики. параметры.
- Фототранзисторы, особенности конструкции, схемы включения, характеристики. параметры.
- Фототиристоры. особенности конструкции, схемы включения, характеристики, параметры.
- Оптроны, составляющие их элементы, условные обозначения, классификация, области применения.
- Назначение и классификация буквенно-цифровых индикаторов.
- Светодиодные индикаторы. Конструкция, схемы, система обозначений, основные типы и их параметры, применение.
- Газоразрядные индикаторы.
- Жидкокристаллические индикаторы.
- Вакуумные люминесцентные индикаторы.
- Электролюминесцентные индикаторы.
- Технико-экономические характеристики и показатели интегральных схем (ИС).
- Классификация и система обозначений интегральных схем (ИС).
- Особенности, достоинства, недостатки гибридных интегральных схем.
- Основные части гибридных интегральных схем (ГИС). Конструкция элементов ГИС. Компоненты ГИС.
- Особенности, достоинства и недостатки полупроводниковых интегральных микросхем ПИМС на биполярных структурах.
- Полупроводниковые интегральные микросхемы (ПИМС) на структурах полевых транзисторов.
- Структура металл диэлектрик полупроводник (МДП) транзисторов.
- Основные направления развития функциональной микроэлектроники.
- Оптоэлектроника. Акустоэлектроника.
- Магнетоэлектроника. Криоэлектроника.
- Хемотроника. Биоэлектроника.
- Дальнейшее развитие микроэлектроники.
- Миниатюризация и микроминиатюризация электронных устройств.
- Основные понятия микроэлектроники.
- Классификация интегральных микросхем.
- Элементы интегральных микросхем.
- Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы.
- Большие интегральные микросхемы и микропроцессоры.
- Функциональная микроэлектроника.
- Электронные выпрямители, преобразователи, стабилизаторы напряжения и тока, защита электронных устройств. Назначение, применение. Принципы построения схем.
- Классификация и основные параметры усилителей.
- Принцип построения каскада усиления.
- Режим транзисторного каскада по постоянному и переменному току.
- Способы подачи напряжения смещения на базу, затвор.
- Способы температурной стабилизации положения рабочей точки на характеристике каскада.
- Предварительные каскады усиления на биполярном и полевом транзисторах.
- Усилители мощности.
- Дифференциальные усилители.
- Общие сведения об электрических сигналах.
- Частотный спектр сигнала.
- Транзисторные электронные ключи.
- Классификация генераторов.
- Примеры интегрального исполнения генераторов.
- Основные логические операции.
- Простейшие логические схемы.
- Характеристики и параметры логических интегральных микросхем. Транзисторно-транзисторная логика.
- Интегральные логические элементы на металл диэлектрик полупроводник (МДП) - структурах.
- Эмиттерно-связанная логика (ЭСЛ).
- Большие интегральные схемы (БИС).
- Сверхбольшие интегральные схемы (СБИС)
- Микропроцессоры в виде одной или нескольких сверхбольших интегральных схем (МП СБИС).
Преподаватель: Н.Ф. Махкамов ______________