Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
Приложение
Определение параметров диода
Рис. 1. Вольтамперная характеристика диода
Параметры Iпр.max, Uпр.max и Uэл.проб определяются непосредственно по графику. Максимальное обратное напряжение Uобр.max принимают в диапазоне от 2/3 до 3/4 от напряжения электрического пробоя. Сопротивление диода в прямом направлении Rпр вычисляют по формуле:
сопротивление в обратном направлении:
Определение параметров стабилитрона
и Uэл.проб
Параметры Iст.min, Iст.mах и Uст определяют непосредственно из графика. Номинальный ток стабилизации Iст.ном вычисляют по формуле:
Изменение напряжения стабилизации ΔUст определяют при изменении тока стабилизации от минимума до максимума (от Iст.min до Iст.mах).
Дифференциальное сопротивление на участке стабилизации рассчитывается по формуле:
Температурный коэффициент стабилизации, а определяют по выражению:
Изменение напряжения стабилизации во времени ΔUcт t находят согласно формуле:
Температурный диапазон определяют следующим образом:
Приложение
Нахождение h-параметров биполярных транзисторов
Подставляя значения, полученные на графиках, в приведенные рядом формулы, определяем h-параметры биполярных транзисторов включенных по схеме с общим эмиттером (ОЭ).
Входное сопротивление
Коэффициент передачи напряжения
Коэффициент передачи тока
Выходная проводимость
Приложение
Нахождение параметров полевых транзисторов
Напряжение отсечки Uзи отс определяется по сток-затворной характеристике, в точке пересечения характеристики с осью абсцисс.
Крутизну характеристики S определяем по сток-затворной характеристике, подставляя значения, полученные на графике, в приведенную рядом формулу:
Внутреннее сопротивление Ri определяем по стоковой характеристике, подставляя значения ΔUси и ΔIс, полученные на графике, в приведенную рядом формулу: