Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
Подписываем
Уральский федеральный университет
имени первого Президента России Б.Н. Ельцина
Институт радиоэлектроники и информационных технологий – РТФ
Дисциплина: Электротехника и электроника
Лабораторная работа №1
Тема: Полупроводниковые диоды
Вариант 8
Выполнили студенты
группы РИ-210201
Рапопорт А.,
Худяков А.
Проверил: Матвиенко В.А.
Екатеринбург, 2012
Цель работы – исследование статических вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов и определение их основных параметров.
Эксперимент
Соберем схему для исследования прямой ветви вольт-амперной характеристики диодов. (рис. 1)
Рис. 1
Снимем прямую ветвь вольт-амперной характеристики U = f(I) кремниевого диода при температуре C, при этом задаём ток и снимаем показания вольтметра:
Таблица 1
|
I, мА |
1 |
10 |
20 |
50 |
100 |
200 |
350 |
500 |
750 |
1000 |
|
U, мВ |
586,3 |
670,3 |
695,5 |
728,9 |
754,5 |
780,4 |
802 |
816,2 |
833 |
845,5 |
Снимем прямую ветвь вольт-амперной характеристики U = f(I) диода Шоттки при температуре C , при этом задаём ток и снимаем показания вольтметра:
Таблица 2
|
I, мА |
1 |
10 |
20 |
50 |
100 |
200 |
350 |
500 |
750 |
1000 |
|
U, мВ |
27,71 |
103,1 |
112,8 |
174,1 |
206,3 |
239,3 |
266,7 |
284,8 |
306,1 |
322 |
Сравним постоянное прямое напряжение на кремниевом диоде и диоде Шоттки при токе 1 А:
мВ
мВ
Получаем при одинаковом токе, т.е. , как и предполагалось.
Снимем прямую ветвь вольт-амперной характеристики U = f(I) кремниевого диода при температуре C, при этом задаём ток и снимаем показания вольтметра:
Таблица 3
|
I, мА |
1 |
10 |
20 |
50 |
100 |
200 |
350 |
500 |
750 |
1000 |
|
U, мВ |
546,7 |
635,7 |
662,5 |
698,2 |
725,4 |
753 |
775,9 |
791 |
808,8 |
822 |
Снимем прямую ветвь вольт-амперной характеристики U = f(I) диода Шоттки при температуре C , при этом задаём ток и снимаем показания вольтметра:
Таблица 4
|
I, мА |
1 |
10 |
20 |
50 |
100 |
200 |
350 |
500 |
750 |
1000 |
|
U, мВ |
7,578 |
48,43 |
72,55 |
110,9 |
143 |
177 |
205,7 |
224,6 |
247 |
263,7 |
Определим дифференциальное сопротивление обоих диодов при токе 1 А и температуре C (воспользуемся результатами измерения напряжения на диодах при значениях тока в 1 А и 0,75 А).
Для кремниевого диода:
Ом
Для диода Шоттки:
Ом
Определим статическое сопротивление обоих диодов при токе 1 А и температуре C.
Для кремниевого диода:
Ом
Для диода Шоттки:
Ом
Определим температурный коэффициент напряжения на прямосмещённом диоде при токе 1 А для обоих диодов, для чего используем результаты измерения напряжений на диодах при двух значениях температуры C и C.
Для кремниевого диода:
(знак "минус" соответствует низковольтному стабилитрону, который мы и использовали).
Для диода Шоттки:
(знак "минус" соответствует низковольтному стабилитрону, который мы и использовали).
Вывод:
Получил типичные для полупроводниковых диодов ВАХ при температуре 27 и 47 градусов Цельсия. Определил дифференциальное и статическое сопротивление кремниевого диода и диода Шоттки, которые совпали по порядку со средними теоретическими значениями. Найденный отрицательный температурный коэффициент свидетельствует об использовании в опыте низковольтного стабилитрона.